[導(dǎo)讀]半導(dǎo)體制造商GLOBALFOUNDRIES日前在東京舉行了公司戰(zhàn)略新聞發(fā)布會(huì),該公司首席執(zhí)行官Douglas Grose發(fā)布了GLOBALFOUNDRIES 2010年的總結(jié)和2011年的展望。
● 重點(diǎn)提高晶圓加工能力
Grose首先對(duì)2010年進(jìn)行了回
半導(dǎo)體制造商GLOBALFOUNDRIES日前在東京舉行了公司戰(zhàn)略新聞發(fā)布會(huì),該公司首席執(zhí)行官Douglas Grose發(fā)布了GLOBALFOUNDRIES 2010年的總結(jié)和2011年的展望。
● 重點(diǎn)提高晶圓加工能力
Grose首先對(duì)2010年進(jìn)行了回顧,他表示:“半導(dǎo)體工藝技術(shù)日益微細(xì)化,材料和光刻技術(shù)以及封裝技術(shù)都需要不斷得改進(jìn),設(shè)計(jì)復(fù)雜性也在不斷增加。而IDM(整合元件制造商)企業(yè)依然傾向無(wú)生產(chǎn)線或輕生產(chǎn)線模式的發(fā)展方向。因此對(duì)我們這樣的晶圓加工企業(yè)的需求也是一直不斷增加的。”
GLOBALFOUNDRIES在2010年收購(gòu)新加坡特許半導(dǎo)體制造公司(Chartered Semiconductor Manufacturing)之后,其員工數(shù)量總計(jì)超過(guò)11000名,業(yè)務(wù)開(kāi)展橫跨三大州分布在12個(gè)地方。GLOBALFOUNDRIES擁有涵蓋IBM在內(nèi)的150家無(wú)生產(chǎn)線或輕生產(chǎn)線模式的企業(yè)客戶,并一直專注于利用尖端技術(shù)向這些客戶提供批量生產(chǎn)時(shí)限短或附加增值的代工晶圓產(chǎn)品。
為實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步投資,GLOBALFOUNDRIES將擴(kuò)大德國(guó)德累斯頓Fab1工廠的生產(chǎn)能力。除額外增加生產(chǎn)設(shè)備,還將新建9900平方米的潔凈車間。預(yù)計(jì)到2011年中期Fab1工廠晶圓加工能力將達(dá)到月產(chǎn)8萬(wàn)個(gè)。
而美國(guó)紐約州Fab 8工廠正在興建中,計(jì)劃將在2013年開(kāi)始投入量產(chǎn)。由于處于生產(chǎn)初期,F(xiàn)ab 8工廠將主要集中生產(chǎn)20/28nm工藝制品,其加工能力有望達(dá)到月產(chǎn)6萬(wàn)張。
另外,GLOBALFOUNDRIES已在阿布扎比國(guó)際機(jī)場(chǎng)附近選好建廠地址,計(jì)劃新建一個(gè)技術(shù)集群區(qū),該區(qū)主要用于協(xié)作合作伙伴研究IP解決方案。GLOBALFOUNDRIES還將提供獎(jiǎng)學(xué)金計(jì)劃進(jìn)行人才培養(yǎng),以支持長(zhǎng)期投資計(jì)劃。
● 集中精力于28nm工藝
為在技術(shù)方面有所提高,GLOBALFOUNDRIES將集中發(fā)展28nm工藝。相比40nm工藝 ,28nm 的Gate First(先柵極)可使集成密度增加兩倍,速度提升50%,轉(zhuǎn)換器和能源皆減少50%。此技術(shù)還將繼續(xù)結(jié)合HKMG(High-K絕緣層金屬柵極)。28nm工藝有望在2011年第二季度對(duì)外進(jìn)行測(cè)試。
另一方面,GLOBALFOUNDRIES將于2011年期間大規(guī)模量產(chǎn)32nm工藝。AMD的Llano將采用GLOBALFOUNDRIES 32nm工藝制造,Llano是擁有四核x86 CPU、支持DirectX 11且集成了GPU的APU產(chǎn)品。此外,三星將首次采用High-K金屬柵極技術(shù)發(fā)布SoC產(chǎn)品。
最近,28nm工藝受到了越來(lái)越多的關(guān)注,移動(dòng)產(chǎn)品市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大是其中的一個(gè)重要因素。Grose表示:“近幾年,3G網(wǎng)絡(luò)用戶急劇增長(zhǎng),網(wǎng)絡(luò)視頻的普及增加了對(duì)通信量的需求。要想在移動(dòng)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)視頻功能,就必須保證高性能、低功耗且電池壽命長(zhǎng)等特性,而28nm工藝可實(shí)現(xiàn)客戶期待的這些特性。”
而且GLOBALFOUNDRIES還將與Common Platform Alliance成員企業(yè)IBM、三星、意法半導(dǎo)體合作,在2011年期間實(shí)現(xiàn)28nm工藝制造工廠同步的目標(biāo)。采用28nm工藝的客戶將可獲得大批量且靈活生產(chǎn)的益處。
此外,預(yù)計(jì)移動(dòng)設(shè)備未來(lái)還將大幅增長(zhǎng),GLOBALFOUNDRIES為此加強(qiáng)了與ARM的戰(zhàn)略合作,推出了業(yè)界首顆28nm 工藝的Cortex-A9處理器。其功耗最多可減少30%,待機(jī)模式下的電池壽命可延長(zhǎng)一倍,且多任務(wù)處理和圖形性能也得到了大幅度的提升。此外,基于Cortex-A9架構(gòu)的SoC處理器也正處開(kāi)發(fā)中,其雙核宏的主頻范圍為10MHz~2.5GHz。
● 2011年擴(kuò)大投資 發(fā)展20nmEUV光刻技術(shù)
GLOBALFOUNDRIES 2011年的計(jì)劃投資金額將增至54億美元,相當(dāng)于2010年的兩倍。其投資重點(diǎn)將放在200mm晶圓生產(chǎn)線,計(jì)劃致力于MEMS元件(壓力傳感器和加速度傳感器及回速器)的生產(chǎn)。投資還計(jì)劃用于前面所述的,擴(kuò)大Fab 1工廠產(chǎn)能、擴(kuò)建Fab 8以及實(shí)現(xiàn)阿布扎比技術(shù)集群區(qū)計(jì)劃。
在開(kāi)發(fā)實(shí)用的28nm工藝同時(shí),GLOBALFOUNDRIES還將著手22/20nm工藝的基礎(chǔ)研究。此外,28nm工藝采用了Gate First技術(shù),而20nm工藝將采用Gate Last(后柵極)技術(shù)結(jié)合HKMG(High-K絕緣層金屬柵極)的方式。
在 MEMS方面,市場(chǎng)目前主要以150mm晶圓生產(chǎn)為主,通過(guò)采用200mm晶圓可滿足未來(lái)的大量需求。大型無(wú)晶圓廠MEMS企業(yè)對(duì)此也可能非常期待。
GLOBALFOUNDRIES還將研發(fā)先進(jìn)的封裝技術(shù),改善3D堆疊技術(shù)成本并提高其性能。
隨著半導(dǎo)體制造業(yè) 0 0 博客 小組 論壇 share.floatwin('GLOBALFOUNDRIES CEO:2011主攻28nm工藝');
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