半導體制造商GLOBALFOUNDRIES日前在東京舉行了公司戰(zhàn)略新聞發(fā)布會，該公司首席執(zhí)行官Douglas Grose發(fā)布了GLOBALFOUNDRIES 2010年的總結(jié)和2011年的展望。
● 重點提高晶圓加工能力
Grose首先對2010年進行了回顧，他表示：“半導體工藝技術日益微細化，材料和光刻技術以及封裝技術都需要不斷得改進，設計復雜性也在不斷增加。而IDM（整合元件制造商）企業(yè)依然傾向無生產(chǎn)線或輕生產(chǎn)線模式的發(fā)展方向。因此對我們這樣的晶圓加工企業(yè)的需求也是一直不斷增加的。”
GLOBALFOUNDRIES在2010年收購新加坡特許半導體制造公司（Chartered Semiconductor Manufacturing）之后，其員工數(shù)量總計超過11000名，業(yè)務開展橫跨三大州分布在12個地方。GLOBALFOUNDRIES擁有涵蓋IBM在內(nèi)的150家無生產(chǎn)線或輕生產(chǎn)線模式的企業(yè)客戶，并一直專注于利用尖端技術向這些客戶提供批量生產(chǎn)時限短或附加增值的代工晶圓產(chǎn)品。
為實現(xiàn)進一步投資，GLOBALFOUNDRIES將擴大德國德累斯頓Fab1工廠的生產(chǎn)能力。除額外增加生產(chǎn)設備，還將新建9900平方米的潔凈車間。預計到2011年中期Fab1工廠晶圓加工能力將達到月產(chǎn)8萬個。
而美國紐約州Fab 8工廠正在興建中，計劃將在2013年開始投入量產(chǎn)。由于處于生產(chǎn)初期，F(xiàn)ab 8工廠將主要集中生產(chǎn)20/28nm工藝制品，其加工能力有望達到月產(chǎn)6萬張。
另外，GLOBALFOUNDRIES已在阿布扎比國際機場附近選好建廠地址，計劃新建一個技術集群區(qū)，該區(qū)主要用于協(xié)作合作伙伴研究IP解決方案。GLOBALFOUNDRIES還將提供獎學金計劃進行人才培養(yǎng)，以支持長期投資計劃。
● 集中精力于28nm工藝
為在技術方面有所提高，GLOBALFOUNDRIES將集中發(fā)展28nm工藝。相比40nm工藝 ，28nm 的Gate First（先柵極）可使集成密度增加兩倍，速度提升50%，轉(zhuǎn)換器和能源皆減少50%。此技術還將繼續(xù)結(jié)合HKMG（High-K絕緣層金屬柵極）。28nm工藝有望在2011年第二季度對外進行測試。
另一方面，GLOBALFOUNDRIES將于2011年期間大規(guī)模量產(chǎn)32nm工藝。AMD的Llano將采用GLOBALFOUNDRIES 32nm工藝制造，Llano是擁有四核x86 CPU、支持DirectX 11且集成了GPU的APU產(chǎn)品。此外，三星將首次采用High-K金屬柵極技術發(fā)布SoC產(chǎn)品。
最近，28nm工藝受到了越來越多的關注，移動產(chǎn)品市場的不斷擴大是其中的一個重要因素。Grose表示：“近幾年，3G網(wǎng)絡用戶急劇增長，網(wǎng)絡視頻的普及增加了對通信量的需求。要想在移動環(huán)境中實現(xiàn)網(wǎng)絡視頻功能，就必須保證高性能、低功耗且電池壽命長等特性，而28nm工藝可實現(xiàn)客戶期待的這些特性?！?br /> 而且GLOBALFOUNDRIES還將與Common Platform Alliance成員企業(yè)IBM、三星、意法半導體合作，在2011年期間實現(xiàn)28nm工藝制造工廠同步的目標。采用28nm工藝的客戶將可獲得大批量且靈活生產(chǎn)的益處。
此外，預計移動設備未來還將大幅增長，GLOBALFOUNDRIES為此加強了與ARM的戰(zhàn)略合作，推出了業(yè)界首顆28nm 工藝的Cortex-A9處理器。其功耗最多可減少30%，待機模式下的電池壽命可延長一倍，且多任務處理和圖形性能也得到了大幅度的提升。此外，基于Cortex-A9架構的SoC處理器也正處開發(fā)中，其雙核宏的主頻范圍為10MHz～2.5GHz。
● 2011年擴大投資 發(fā)展20nmEUV光刻技術
GLOBALFOUNDRIES 2011年的計劃投資金額將增至54億美元，相當于2010年的兩倍。其投資重點將放在200mm晶圓生產(chǎn)線，計劃致力于MEMS元件（壓力傳感器和加速度傳感器及回速器）的生產(chǎn)。投資還計劃用于前面所述的，擴大Fab 1工廠產(chǎn)能、擴建Fab 8以及實現(xiàn)阿布扎比技術集群區(qū)計劃。
在開發(fā)實用的28nm工藝同時，GLOBALFOUNDRIES還將著手22/20nm工藝的基礎研究。此外，28nm工藝采用了Gate First技術，而20nm工藝將采用Gate Last（后柵極）技術結(jié)合HKMG（High-K絕緣層金屬柵極）的方式。
在 MEMS方面，市場目前主要以150mm晶圓生產(chǎn)為主，通過采用200mm晶圓可滿足未來的大量需求。大型無晶圓廠MEMS企業(yè)對此也可能非常期待。
GLOBALFOUNDRIES還將研發(fā)先進的封裝技術，改善3D堆疊技術成本并提高其性能。
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