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通富微電10億元擴產(chǎn)半導(dǎo)體

時間：2009-12-10 13:29:34

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 BSP QFN 3G手機

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[導(dǎo)讀]通富微電計劃總投資預(yù)計10億元，啟動半導(dǎo)體三期工程和擴建二期工程。此次擬開工建設(shè)的三期工程建筑面積約2.6萬平方米，二期擴建工程建筑面積約1萬平方米。工程建設(shè)完成后將用于8英寸、12英寸NEW-WLP、BUMP 新型封裝

通富微電計劃總投資預(yù)計10億元，啟動半導(dǎo)體三期工程和擴建二期工程。

此次擬開工建設(shè)的三期工程建筑面積約2.6萬平方米，二期擴建工程建筑面積約1萬平方米。工程建設(shè)完成后將用于8英寸、12英寸NEW-WLP、BUMP 新型封裝的研究開發(fā)及其量產(chǎn)，BGA、FCBGA、QFN、LQFP 產(chǎn)品的擴產(chǎn)，形成BGA、FCBGA、QFN、LQFP產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)能力。上述產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于3G手機、移動電視、無線射頻網(wǎng)絡(luò)、汽車電子、消費電子等領(lǐng)域。項目資金來源為自有資金和銀行項目貸款。

通富微電認(rèn)為，2010年半導(dǎo)體行業(yè)將進(jìn)入景氣周期，啟動三期工程、擴建二期工程是為了保證發(fā)展所必需的環(huán)境和空間，擴大生產(chǎn)規(guī)模，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升技術(shù)水平。

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