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臺積電與英飛凌共同開發(fā)65納米eFlash制程

時間：2009-11-12 08:37:34

關(guān)鍵字： Flash 臺積電英飛凌微控器

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[導(dǎo)讀]英飛凌科技(Infineon)和臺積電(TSMC)日前宣布，將針對下一代汽車、芯片卡及安全應(yīng)用擴大雙方的合作關(guān)系，共同開發(fā)及生產(chǎn)65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，英飛凌和臺積電將為嵌入式閃存微控器(M

英飛凌科技(Infineon)和臺積電(TSMC)日前宣布，將針對下一代汽車、芯片卡及安全應(yīng)用擴大雙方的合作關(guān)系，共同開發(fā)及生產(chǎn)65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，英飛凌和臺積電將為嵌入式閃存微控器(MCU)共同開發(fā) 65 納米制程技術(shù)，以滿足汽車工業(yè)嚴(yán)格的質(zhì)量要求以及芯片卡和安全性市場對于安全的高度需求。

這項與臺積電的擴大合作案，符合英飛凌委外代工并參與共同開發(fā)65納米及更先進(jìn)制程技術(shù)之策略。以汽車應(yīng)用而言，65納米eFlash技術(shù)能達(dá)成最高程度的功能整合，來實現(xiàn)未來的安全和排氣標(biāo)準(zhǔn)中所要求的效能和功用。至于芯片卡和安全應(yīng)用，65納米eFlash技術(shù)能實現(xiàn)英飛凌對于客制化安全產(chǎn)品的創(chuàng)新，在智能卡的外形尺寸之外，以最佳的成本效能比達(dá)到適當(dāng)?shù)牡陌踩燃墶?

安全微控器的制程與產(chǎn)品驗證以及量產(chǎn)準(zhǔn)備預(yù)計在2012年下半年完成，車用微控器的產(chǎn)品驗證及生產(chǎn)則預(yù)定在2013 年上半年開始。英飛凌32位微控器的TriCore系列將是采用該65 納米eFlash制程的車用類先期產(chǎn)品。

至于芯片卡和安全應(yīng)用方面，臺積電將負(fù)責(zé)制造英飛凌在所有應(yīng)用層面所提供的各式安全微控器產(chǎn)品，包含接觸型(contact-based)和感應(yīng)型(con-tact-less)接口或是兩用型接口。

回顧過去，英飛凌和臺積電在多個應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)和有線通訊方面，已累積逾十年的生產(chǎn)合作關(guān)系。兩年前雙方更協(xié)議以臺積電65納米低功率技術(shù)為英飛凌生產(chǎn)行動裝置應(yīng)用產(chǎn)品。此次的合作則將這項協(xié)議內(nèi)容擴大至汽車電子和芯片卡應(yīng)用領(lǐng)域，象征雙方堅定且持續(xù)的承諾，為建立強大開發(fā)聯(lián)盟及長期穩(wěn)定的生產(chǎn)伙伴關(guān)系所做的努力。

英飛凌在2008年，于總規(guī)模約183億美元的全球汽車電子取得9.5%的占有率，亦是芯片卡半導(dǎo)體的首選供貨商；2008年全球芯片卡半導(dǎo)體市場為24億美元，英飛凌市占率達(dá) 25.5%。臺積電能提供符合AEC-Q100規(guī)格的0.25微米及0.18微米嵌入式閃存智財，號稱是全球目前唯一有此能力的專業(yè)晶圓代工廠。

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