具有涂敷25微米厚的涂層至150微米薄的晶圓上的能力，DirEKt Coat晶圓背覆涂層技術(shù)使加工時(shí)間更快并使芯片封裝尺寸最大化。傳統(tǒng)如涂敷的芯片粘合劑工藝，已不能提供當(dāng)今大批量制造所需的速度和涂敷精度。不均勻的粘合劑覆蓋、由于樹脂溢出和芯片四周帶狀成形導(dǎo)致芯片封裝尺寸的限制、及較慢的連續(xù)涂敷速度是傳統(tǒng)芯片貼合工藝固有和眾所周知的問題。而DirEKt Coat能在已獲認(rèn)可的印刷設(shè)備上提供并行處理，于一個(gè)行程內(nèi)在200毫米大的晶圓上進(jìn)行材料涂敷，并十倍提升加工速度。而且，粘合劑層達(dá)到客戶規(guī)格，而芯片四周帶狀成形予以清除，提供更具功能性的更大芯片面積。

DirEKt Coat工藝能力的提升關(guān)鍵，是得可的全新Galaxy薄晶圓系統(tǒng)，其包括穩(wěn)健的軌道和精密的輸送技術(shù)，及容納全新設(shè)計(jì)的下一代晶圓托盤。獨(dú)有

“伴隨產(chǎn)品小型化和增強(qiáng)功能的不變進(jìn)程，當(dāng)今的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)正迫使封裝公司更多地利用其工藝。”得可半導(dǎo)體和可替代應(yīng)用經(jīng)理David Foggie說：“而我們?cè)谪瀼氐每伞诖唷淖谥己吐男屑夹g(shù)引領(lǐng)地位的承諾方面，已經(jīng)賦予DirEKt Coat適用于未來的工藝，提供薄晶圓應(yīng)用更好的性能、更強(qiáng)的穩(wěn)定性和更快的加工速度，而所有這些相比目前的芯片貼合薄膜產(chǎn)品，減少了30%的材料成本。”

值得一提的是，對(duì)DirEKt Coat晶圓背覆涂層工藝的改進(jìn)并未損失其原有的任何優(yōu)勢(shì)，包括由于芯片四周帶狀成形消除使所需粘合劑量的減少、預(yù)生產(chǎn)和儲(chǔ)存晶圓以應(yīng)對(duì)隨時(shí)需求的能力、以及相對(duì)于采購(gòu)不同厚度和寬度的薄膜產(chǎn)品，使用單一材料滿足多種需求所獲得的供應(yīng)鏈效率的提升。 

Galaxy薄晶圓系統(tǒng)能進(jìn)行其他各種先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，包括但并不限于DirEKt Ball Placement、熱界面材料涂敷、晶圓凸起和密封劑涂敷。