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臺積電40納米良率大躍進已逾60%

時間：2009-08-05 08:33:34

關(guān)鍵字：臺積電 40納米 CPU 先進制程

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[導(dǎo)讀]外界關(guān)心臺積電40納米制程良率進展，臺積電30日法說首次破例現(xiàn)場聯(lián)機至Fab 12，請先進制程事業(yè)副總劉德音說明。劉德音表示，40納米制程良率已從30%進展到60%，預(yù)期10月其缺陷密度將達0.2左右，同時，臺積電本季40納米

外界關(guān)心臺積電40納米制程良率進展，臺積電30日法說首次破例現(xiàn)場聯(lián)機至Fab 12，請先進制程事業(yè)副總劉德音說明。劉德音表示，40納米制程良率已從30%進展到60%，預(yù)期10月其缺陷密度將達0.2左右，同時，臺積電本季40納米制程產(chǎn)能也將沖上3萬片。臺積電董事長張忠謀則認為，臺積電32、28納米制程，未來承接CPU訂單的機會將愈來愈多。

過去臺積電法說會多現(xiàn)場問答，這次破例進行現(xiàn)場與Fab 12即時聯(lián)機，并由先進制程副總劉德音身著無塵衣，親自對外界40納米制程進度說明釋疑并接受提問。劉德音說，目前40納米制程產(chǎn)能已達單月9,000片，預(yù)估第3季總產(chǎn)能將達3萬片，同時，良率進展也維持穩(wěn)定改善步伐前進，目前部分客戶的芯片缺陷密度已經(jīng)達0.3~0.2，預(yù)期10月將全面達到0.2。

劉德音分析，由于在45/40納米包括浸潤式顯影、ELK及SiGe等新材料倒入的挑戰(zhàn)比起以往制程復(fù)雜，但是臺積電投入可制造設(shè)計服務(wù)(DFM)就是為了將制程與設(shè)計兩者綜效最佳化，面對外資提問怕不怕競爭者仍采取T-Like制程競爭，劉德音說，不能阻止客戶選擇，但是到了40納米必須制程與設(shè)計兩相配合才能獲得絕佳效果。

當(dāng)外資繼續(xù)追問32、28納米制程進展時，張忠謀則笑稱「It’s my show」拿回回答的主導(dǎo)權(quán)。張忠謀說，32、28納米制程皆如期進展，臺積電預(yù)計2010年第1季投產(chǎn)32納米制程，預(yù)期2010年底到2011年初投產(chǎn)28納米制程。此時，法人關(guān)心的CPU及嵌入式CPU貢獻，張忠謀說，整合元件廠(IDM)2009年將關(guān)廠20幾座，未來臺積電28、32納米制程爭取CPU訂單的機會愈來愈多。

劉德音也指出，目前已經(jīng)有許多客戶采用臺積電制程生產(chǎn)嵌入式CPU，而獨立式CPU(stand alone CPU)目前釋出的訂單規(guī)模有限，同時在少數(shù)幾家業(yè)者掌控下有授權(quán)及權(quán)利金的問題;不過張忠謀隨即補充說，目前臺積電已經(jīng)與英特爾(Intel)達成合作意向書(MOU)，言下之意是雙方合作空間仍大。

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