聯(lián)電旗下設計服務廠智原科技昨（14）日發(fā)表適用于聯(lián)電90納米制程的低漏電存儲器解決方案，相較于一般存儲器，智原方案最高可以降低90％以上的漏電率，讓客戶的芯片面積有效的限縮到更理想范圍，一并滿足客戶對于耗電以及面積兩大議題的需求。

智原的低漏電存儲器已通過完整的矽驗證，并開始供應給IC設計公司、晶圓廠、系統(tǒng)廠、IDM廠等客戶。