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半導(dǎo)體喜迎“超級硅片時(shí)代”造就IC產(chǎn)業(yè)輝煌

時(shí)間：2007-02-28 15:28:34

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體硅片 IC產(chǎn)業(yè) 天線

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[導(dǎo)讀]模擬器件公司(ADI)的模擬技術(shù)副總裁LewisCounts表示，隨著IC采用SiGe和SOI等其它材料制造，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在過去10年已進(jìn)入“超級硅時(shí)代”，硅已不能獨(dú)自滿足電子產(chǎn)業(yè)的要求。 Counts在國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上發(fā)表主

模擬器件公司(ADI)的模擬技術(shù)副總裁LewisCounts表示，隨著IC采用SiGe和SOI等其它材料制造，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在過去10年已進(jìn)入“超級硅時(shí)代”，硅已不能獨(dú)自滿足電子產(chǎn)業(yè)的要求。

Counts在國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上發(fā)表主旨演講時(shí)，對臺下的數(shù)百名聽眾說道：“我在過去10年里提出，我們已進(jìn)入超級硅時(shí)代。”

Counts贊揚(yáng)了JeanHoerni和他的飛兆半導(dǎo)體同事在上世紀(jì)50年代發(fā)明平面工藝，將之稱為“20世紀(jì)意義最重大的成就之一”，并稱其奠定了硅作為電子產(chǎn)業(yè)中關(guān)鍵材料的地位。但他指出，最近幾年出現(xiàn)了更加復(fù)雜的工藝，以滿足更高的系統(tǒng)要求。他說，今天需要從SiGeBiCMOS一直到100VDMOS的各種工藝，以最好地支持許多系統(tǒng)。

Counts表示，其它新型結(jié)構(gòu)和材料可能進(jìn)入半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，將把器件性能提升到目前無法想像的高度。

Counts指出：“在不降低模擬和混合信號器件的動(dòng)態(tài)范圍情況下，我們能否繼續(xù)改善速度和性能？我認(rèn)為我們能夠做到這點(diǎn)，但必須對器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行根本性的改變?！?BR>
Counts認(rèn)為模擬/混合信號芯片設(shè)計(jì)面臨五大挑戰(zhàn)：動(dòng)態(tài)范圍，帶寬，絕對值(電壓，電流，速度和溫度)、功率效率和復(fù)雜性。他說，模擬與數(shù)字設(shè)計(jì)之間的界線趨于模糊，但二者仍然保持區(qū)別而且屬于不同領(lǐng)域?！暗谧罡邔哟紊?，設(shè)計(jì)就是設(shè)計(jì)。”

Counts還談及把多個(gè)射頻集成到手機(jī)之中所面臨的挑戰(zhàn)，估計(jì)未來的手機(jī)將至少含有六種無線技術(shù)，支持Wi-Fi、Bluetooth、WiBree、超寬帶(UWB)、WiMax、近距通訊(NFC)和電子標(biāo)簽(RFID)等通訊標(biāo)準(zhǔn)。他說，這將在技術(shù)方面遇到挑戰(zhàn)，商業(yè)前景也會遇到麻煩，因?yàn)橐氤晒Φ匕堰@些技術(shù)整合在一起，同時(shí)必須把成本和功耗控制在最低水平。

Counts表示，設(shè)計(jì)師不愿意為每種無線技術(shù)建立多個(gè)天線，但將會需要某種形式的自適應(yīng)性天線。他猜測這種自適應(yīng)性天線也許是MEMS開關(guān)。

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