在國家自然科學基金委、科技部、中國科學院的大力支持下，化學所有機固體院重點實驗室研究人員與中科院微電子所科技人員合作，在高性能、低成本有機場效應晶體管的研究方面取得新進展，有關研究成果申請了中國發(fā)明專利并發(fā)表在J.Am.Chem.Soc.(2006,Vol.128,No.51,p.16418－16419)上。

研究人員從低成本的銅和銀的下電極結構出發(fā)，結合對二氧化硅襯底的表面修飾，通過簡單的一步溶液法在電極上生成有機電荷轉移復合物，從而提高了銅和銀電極的表面功函數，改進了電極和有機半導體之間的接觸，降低了接觸電阻，改善了載流子的注入，從而實現了和金上電極結構器件相當的高性能。該方法具有普適性，可以適用于多種有機半導體材料。這一研究進展可以大大降低有機場效應晶體管的制備成本，為有機場效應晶體管的實用化奠定了良好的基礎。

有機場效應晶體管按電極結構分為上電極結構和下電極結構器件。

在上電極結構器件中，源漏電極與有機半導體材料之間具有良好的接觸，從而使其具有較高的性能。下電極結構可以采用光刻技術，易實現大規(guī)模工業(yè)化生產，降低產品的成本。然而下電極結構器件由于較大的電極-半導體接觸電阻而使場效應性能較差。另外，目前廣泛使用的源漏電極材料為高成本的金電極，從實際應用角度考慮最好使用低成本的金屬電極，如銅和銀等，但由于它們具有低的功函數，采用銅或銀為源漏電極制備的場效應器件的性能不理想。因此，制備低成本、高性能的下電極結構的器件是有機場效應晶體管研究的一個重要目標。

近年來，有機場效應晶體管由于在有源矩陣顯示、射頻標簽等方面的潛在應用前景而備受學術界和工業(yè)界的廣泛關注并取得了長足的發(fā)展。目前高性能有機場效應晶體管的性能已經可以和廣泛應用的無定形硅晶體管相媲美。相對于無機場效應晶體管器件，有機場效應晶體管具有低成本和柔韌性的獨特優(yōu)勢。