美國東部時間3月13日（北京時間3月14日）消息：三星電子公司宣稱它將成為批量生產(chǎn)80納米制程的512Mb的DDR 2 DRam（動態(tài)隨機讀寫存儲器）的第一家廠商。

三星電子公司說，公司依靠其80納米制程生產(chǎn)工藝可以將先前90納米制程的生產(chǎn)工藝的生產(chǎn)效率提高50％。

三星半導(dǎo)體公司DRam市場營銷總裁Tom Trill說：“自從DDR 2于2004年首次面世以來，市場對于DDR 2的需求便一直很大，我們利用80納米制程生產(chǎn)工藝可以更有效地滿足今年DDR 2市場的需求增長?！?

　三星電子公司稱，它可以從90納米制程生產(chǎn)工藝平穩(wěn)過渡到80納米制程的生產(chǎn)工藝上，因為它所使用的許多基礎(chǔ)工藝并沒有很大改變，它只需對其產(chǎn)品生產(chǎn)線進行一些升級即可。

三星電子公司的凹槽數(shù)組晶體管（RCAT）技術(shù)的發(fā)展推動了其生產(chǎn)工藝向80納米制程的躍遷。 這種三維晶體管設(shè)計布局極大地提高了數(shù)據(jù)存儲器中的關(guān)鍵性部件即刷新率。

凹槽數(shù)組晶體管技術(shù)也減少了存儲單元的截面積，增加了單位硅片上所能安裝的芯片個數(shù)，從而提高了工藝制程。

據(jù)Gartner公司預(yù)計，在2006年，DDR 2存儲器將占據(jù)整個動態(tài)隨機讀寫存儲器市場50％以上的比例。