北京時間2月20日，IBM公司旗下研究公司成功地研究出了一種方法，可以用現(xiàn)有的設備生產(chǎn)出29.9納米的硅片，遠比如今的芯片要小。這項技術進步有助于在未來芯片生產(chǎn)中降低成本。

這項技術突破是圍繞著一種增強性和試驗性的浸液光刻技術而展開的。 在浸液光刻技術中，硅片是浸沒在純水之中的。 然后利用激光穿透一個復雜的蒙板，將一個微小的陰影圖投射到硅片上然后通過化學加工形成永久的結構，這個過程與照片底片曬印的過程非常相似。 蒙板圖案制作得越復雜，最后得到的電路也就越小。

之所以將硅片浸沒在水中是因為光在水中的折射程度比在空氣中的折射程度要大一些，因此也就更容易制作出清晰的分辨率和更小的圖案出來。 浸液光刻技術將在相對較近的未來投入商業(yè)使用之中。

在這個系統(tǒng)中，IBM公司將水換成了JSR Micro公司生產(chǎn)的一種特殊液體以及一種特殊的抗光蝕劑系統(tǒng)。

IBM公司旗下研究公司Almaden研究中心的光刻技術材料經(jīng)理Robert Allen說：“我們通常都可以完成30納米以下的光刻工作。”

如果Nemo系統(tǒng)最終得到商業(yè)應用，那么業(yè)界將可以將目前的193納米光刻技術使用得更久一些。 基于這些標準的生產(chǎn)設備的成本為每臺1500萬美元，可以向廠商定制，迄今為止已經(jīng)使用了好多年了。 這個名字來源于一個事實，即激光的波長小于193納米。

用新技術生產(chǎn)出來的設備來替換這些設備并不是一件容易的事。 許多年以前，IBM公司曾經(jīng)是X光光刻技術的主要支持者之一。 那種方法確實有效，但是成本太高了。 在過去的十年中，英特爾公司與AMD公司和IBM公司一起，已經(jīng)研究出了超短紫外光光刻技術（Extreme Ultra Violet lithography，EUV）。

超短紫外光光刻技術目前仍只用于實驗室之中。 雖然英特爾公司也許會在2009年或者2010年左右的時候在生產(chǎn)32納米制程的芯片中使用它，但是研究人員們說直到開發(fā)下一代芯片的時候英特爾公司才會使用它。屆時處理器的平均外形尺寸大概只有22納米了。

IBM公司對于Nemo非常有信心，它堅信浸液光刻技術與193納米系統(tǒng)肯定可以用于32納米制程的芯片生產(chǎn)中。 Allen說，但是，如果想將芯片生產(chǎn)推進到22納米制程，則需要更好的浸液、其他的抗光蝕劑材料以及由目前尚未鑒別出來的一些物質生產(chǎn)的透鏡。

IBM公司將在這個星期即將在加利福尼亞州圣約瑟市召開的2006年微縮光刻技術大會上展示這一技術的研究成果。