從國外媒體處獲悉：美國IBM公司和日本TDK公司日前宣布，將發(fā)起一項(xiàng)聯(lián)合研發(fā)計(jì)劃，推動磁阻內(nèi)存（MRAM）的量產(chǎn)和市場推廣。 

　　傳統(tǒng)內(nèi)存使用電荷存儲數(shù)據(jù)，磁阻內(nèi)存使用電磁性能存儲數(shù)據(jù)，它沒有讀寫次數(shù)限制，功耗更低，速度比目前的閃存還要快，被認(rèn)為是內(nèi)存技術(shù)的未來。不過，目前磁阻內(nèi)存的生產(chǎn)成本還比較高。 

　　IBM公司和TDK公司宣布，聯(lián)合研發(fā)計(jì)劃的重點(diǎn)是開發(fā)高容量、高密度的磁阻內(nèi)存電路，可以當(dāng)作單獨(dú)的內(nèi)存芯片，或是集成到其他芯片上。 

　　專家表示，將來如果磁阻內(nèi)存獲得推廣，人們在幾秒鐘之內(nèi)啟動系統(tǒng)將不是夢想。因?yàn)榇抛鑳?nèi)存的數(shù)據(jù)斷電也可自行保存，無須再從硬盤上拷入。 

　　聯(lián)合研發(fā)計(jì)劃為期四年，將在IBM公司和TDK公司的多個(gè)研究機(jī)構(gòu)內(nèi)進(jìn)行，其中包括TDK公司在美國加州Milpitas市的研發(fā)中心。 

　　值得一提的是，今年三月份，中國科學(xué)院物理所宣布，已經(jīng)研發(fā)出了一種全新的磁阻內(nèi)存，比其他廠商的成果相比，功耗更低、芯片面積更小。