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臺研究機構(gòu)三年內(nèi)將推相變內(nèi)存 MRAM明年實用

時間：2007-10-10 11:06:00

關(guān)鍵字： RAM 內(nèi)存 BSP 芯片制造商

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10月10日消息，據(jù)國外媒體報道，一家中國臺灣研究機構(gòu)稱，它將在三年內(nèi)推出相變內(nèi)存（PRAM)，另一種與DRAM內(nèi)存競爭的MRAM技術(shù)（磁性隨機儲存）也將在2008年底進入實用階段。

　　與六家中國臺灣芯片制造商合作的工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI)在兩年前開始開發(fā)相變內(nèi)存技術(shù)。到目前為止，該合作集團已經(jīng)得到了相關(guān)新技術(shù)的50項專利，并生產(chǎn)了芯片原型，同時還完成了晶圓切割。 ITRI與芯片制造商的合作關(guān)系將在明年6月結(jié)束，但有可能再次結(jié)成新的合作。

　　PRAM內(nèi)存可在芯片供電中斷時保存數(shù)據(jù)，與普通閃存的工作原理相同。但PRAM寫入數(shù)據(jù)的速度要比閃存塊30倍，其壽命周期也將至少提高十倍。

　　ITRI可能不是第一家銷售PRAM內(nèi)存產(chǎn)品的商家。全球最大芯片制造商三星公司在去年發(fā)布了512MB新內(nèi)存原型，并有望在明年早些時候上市銷售。但ITRI其他公司有可能以更大的內(nèi)存容量和不同功能來擊敗三星。

　　其他芯片制造商也在積極開發(fā)相變內(nèi)存，其中有英特爾公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半導(dǎo)體公司、Hynix半導(dǎo)體公司和Ovonyx。

　　臺積電和ITRI也在開發(fā)磁性隨機儲存內(nèi)存技術(shù)（MRAM)，雙方已經(jīng)獲得了與此有關(guān)的40多項專利。臺積電有可能在明年底或2009年早期向客戶銷售MRAM。

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