近期DRAM市場供需雜音多，由于終端需求前景不明，7月合約價不見起色，仍持續(xù)往下修正，加上隨著40和50納米制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能增加，進而壓抑價格走勢，然值得注意的是，目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉(zhuǎn)換不順消息頻傳，新產(chǎn)能是否能如期出籠仍存變量，因此，第3季DRAM價格還有多少修正空間，目前仍處于混沌狀態(tài)。

DRAM業(yè)者表示，自從PC大廠祭出降低DRAM搭載率策略后，原本供給吃緊的DRAM市場頓時松動，原本搭配4GB模塊被砍到僅搭配2GB，等于少掉50%的DRAM產(chǎn)能消耗量，加上歐洲債信問題雪上加霜，導(dǎo)致整個終端買氣急冷凍，第2季DRAM價格走勢呈現(xiàn)虎頭蛇尾情況。

展望第3季DRAM價格走向，7月合約價反映需求疲弱而持續(xù)下跌，各業(yè)者對于第3季整體合約價看法，樂觀的業(yè)者認為可維持平穩(wěn)或小跌，但悲觀聲浪認為將一路走跌，直至PC企業(yè)換機潮大量出籠后，才有回穩(wěn)跡象。

不過，DRAM業(yè)者指出，第3季 DRAM價格走向要看各廠制程微縮進度是否如預(yù)期順利，按照各家DRAM廠40和50納米量產(chǎn)時間表，第3季DRAM產(chǎn)能增加數(shù)量將相當可觀，但近期各家 DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順消息頻傳，若第3季新產(chǎn)能開出進度不如預(yù)期，價格走勢未必會太悲觀。

事實上，由于各DRAM廠進入40和50納米制程后，開始導(dǎo)入浸潤式曝光機臺(Immersion Scanner)，可說是最艱深的一道門檻，轉(zhuǎn)換制程學(xué)習(xí)曲線難度遠高于過去，導(dǎo)致2010年DRAM供給端變量相當復(fù)雜。

存儲器業(yè)者表示，南亞科和華亞科2009年起由70納米轉(zhuǎn)進50納米，加上溝槽式(Trench)轉(zhuǎn)進堆疊式(Stack)亦是大工程，直到2010年第3季50納米產(chǎn)品才會大量產(chǎn)出，但各界對于其50納米進度仍存疑慮，凸顯50納米制程門檻頗高。另外，爾必達(Elpida)陣營包括力晶、瑞晶、茂德等，未來要從 63納米轉(zhuǎn)進45納米所遇到困難，并不亞于南亞科和華亞科，尤其跳過50納米直接轉(zhuǎn)進45納米，更是一大挑戰(zhàn)。

DRAM業(yè)者表示，7月合約價持續(xù)往下，目前各界對于8月合約價走勢不太樂觀，主要是短期內(nèi)看不到終端需求大幅回籠跡象，唯一寄望是企業(yè)換機潮大量出籠，而另一個穩(wěn)住價格動力，就是各廠40和50納米量產(chǎn)進度再度往后延。