韓國
三星電子(Samsung Electronics)與
東芝宣布,開發(fā)出了面向
NAND閃存的
接口規(guī)格,并且已向JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(Solid State Technology Association)提出了標(biāo)準(zhǔn)化方案。兩公司的目標(biāo)是2011年初實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化。接口規(guī)格的名稱為“Toggle DDR 2.0”,最大數(shù)據(jù)傳輸速度為400Mbit/秒。據(jù)兩公司介紹,這一速度相當(dāng)于目前廣泛普及的NAND閃存的10倍左右。
Toggle DDR 2.0是基于DDR(Double Data Rate)的接口技術(shù)。兩公司表示通過追加信號噪聲對策等功能,可實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸。另外,最大數(shù)據(jù)傳輸速度為133Mbit/秒的“Toggle DDR 1.0”也已開發(fā)完成。東芝目前正在開發(fā)采用Toggle DDR 1.0的NAND閃存。實用化時間未公布。
本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請及時聯(lián)系本站刪除。