過去臺灣在DRAM產(chǎn)業(yè)上的主要技術(shù)合作來源包括日本、美國、南韓和德國，這幾大陣營各自在制程技術(shù)上有很大差別，最大差別在于德系業(yè)者采用溝槽式(Trench)制程技術(shù)，在這一波金融風暴洗禮之下，成為被淘汰的陣營。

當年各廠面臨溝槽式和堆棧式(Stack)技術(shù)的十字路口時，日系東芝(Toshiba)、德系西門子(Siemens)和美系IBM都決定選擇發(fā)展溝槽式技術(shù)，其它像是恩益禧(NEC)、三菱(Mitsubishi)、日立(Hitachi)、三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)則是押寶堆棧式技術(shù)。

溝槽式技術(shù)瓶頸浮現(xiàn)　僅西門子繼續(xù)發(fā)展

隨著半導體技術(shù)制程微縮進度到了90納米以下，東芝和IBM漸漸面臨技術(shù)瓶頸，因此這兩家公司率先決定退出DRAM產(chǎn)業(yè)，唯一選擇繼續(xù)做下去的是西門子，之后西門子將半導體部門獨立為英飛凌(Infineon)，最后是將內(nèi)存事業(yè)群獨立成為奇夢達(Qimonda)，當時奇夢達也感受到溝槽式制程的瓶頸壓力，但還是繼續(xù)往下微縮。

DRAM技術(shù)在90納米制程以下，最關(guān)鍵的分界點就是溝槽式和堆棧式的機器設備，必須采用不同的設計方式。奇夢達知道設備商支持開發(fā)技術(shù)的重要性，因此就要求美商應用材料(Applied Materials)等關(guān)鍵設備商，一定要持續(xù)開發(fā)溝槽式機器設備，以免設備端的資源全倒向堆棧式技術(shù)制程。

同時，奇夢達也積極拉攏臺系DRAM廠，包括臺塑集團旗下的南亞科、華亞科和華邦等加入奇夢達技術(shù)，讓溝槽式技術(shù)的規(guī)模在全球有足夠的產(chǎn)能，以能說服設備廠商繼續(xù)生產(chǎn)。

半導體技術(shù)愈尖端　設備商支持與否成關(guān)鍵

在半導體領(lǐng)域中，當制程技術(shù)越走越尖端時，材料設備就會有很大的不同，一旦更換技術(shù)陣營，機器設備幾乎都要重新更換，如果DRAM業(yè)者制程技術(shù)都是延續(xù)同一個陣營，在機器設備的沿用性上也較有優(yōu)勢。

像現(xiàn)在爾必達(Elpida)和力晶、瑞晶等，從68納米、65納米到63納米制程到下一世代的45納米，都是維持同一技術(shù)基礎(chǔ)，機器設備也都可以沿用下去。

再者，爾必達過去在50納米研發(fā)上，曾經(jīng)導入銅制程，但在新一代45納米制程上，爾必達選擇放棄銅制程，持續(xù)使用鋁制程，這大概是全世界唯一在40納米世代還能持續(xù)用鋁制程的DRAM廠，爾必達甚至還想把銅制程繼續(xù)沿用到38納米制程，這對于成本結(jié)構(gòu)的降低有很大的幫助。

整體來看，如果導入50納米制程的業(yè)者，必須增加銅制程和浸潤式微米曝光機臺的投資，成本將增加30~35%，但50納米相較63納米增加的顆粒數(shù)卻不到30%。

此外，像是在63納米制程世代上，良率最高可以拉升至80~90%，但到了50納米制程，即使是三星的良率要做到成本交叉點(Cross Over)，頂多也只能拉到80%的良率，顯見半導體產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)越往下微縮，良率越來越難提升，投資與報酬率不如以往這么高。

簡而言之，半導體業(yè)產(chǎn)業(yè)每一個世代制程越往下走，其投資金額卻是越來越高，但產(chǎn)生的效應卻是越來越有限，這是物理上的限制，也是半導體產(chǎn)業(yè)的一大挑戰(zhàn)，尤其是在30納米制程以下，此物理效應會更為明顯。

DRAM產(chǎn)業(yè)由盛到衰　2009年大衰退史無前例

回顧1999年以前，全球DRAM產(chǎn)業(yè)百花齊放，共計有14家DRAM廠，包括三星、美光(Micron)、IBM、現(xiàn)代、西門子、NEC、日立、三菱、東芝、力晶、茂德、南亞科、華邦、世界先進等，之后全球DRAM產(chǎn)業(yè)共經(jīng)歷4次大整合，第1次是2001~2002年之間，IBM、東芝退出市場，南韓的現(xiàn)代獨立半導體事業(yè)部門成立海力士，日系陣營的NEC、日立、三菱也整合成爾必達等。

到了2003~2004年，全球DRAM產(chǎn)業(yè)更只剩下5大陣營，包括三星和海力士；茂德和爾必達；力晶和奇夢達；南亞科、華亞科和華邦；最后則是美光；然到了2007年后的這一波整合潮，全球5大陣營出現(xiàn)變化，南亞科和華亞科選擇和美光結(jié)盟，與奇夢達同一陣營的只剩下華邦，這時只有三星仍單打獨斗。

2009年這一波金融風暴，原因可推回2004~2006年期間，全球資本市場資金借貸非常寬松，每家DRAM廠都大舉借貸來擴充產(chǎn)能，導致2008~2009年這一波有史以來最嚴重的衰退潮。

DRAM價格從2006年第4季1顆6美元，一路跌到2009年第1季只剩下0.6美元，幾乎只剩10分之1的價格，也讓全球所有DRAM廠都面臨巨額虧損壓力，多數(shù)DRAM廠只好把晶圓廠暫時停產(chǎn)，當時力晶13萬片的12吋晶圓廠產(chǎn)能，減產(chǎn)到最低1個月只生產(chǎn)2萬片。

奇夢達更在這次的衰退潮下宣布退出全球DRAM產(chǎn)業(yè)，剩下的4大陣營也出現(xiàn)轉(zhuǎn)變，茂德從海力士陣營轉(zhuǎn)投爾必達陣營，全球剩下三星、海力士、爾必達結(jié)合力晶、瑞晶、茂德和華邦，以及美光結(jié)合南亞科和華亞科等4大陣營鼎立。

以目前全球4大陣營12吋晶圓廠產(chǎn)能來看，爾必達自己廠房有10萬片，加上力晶13萬片，加上瑞晶8萬片、茂德6萬片，總共有37萬片；而美光自己有8萬片產(chǎn)能，加上南亞科3萬片和華亞科13萬片產(chǎn)能，共有24萬片產(chǎn)能；三星、海力士則分別有32萬片和26萬片產(chǎn)能。

三星追求利潤和ROE　殺價競爭機率不高

受到金融風暴重擊，2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)是史上頭一遭沒有任何1座新廠產(chǎn)能加入生產(chǎn)行列，但日前三星宣布要蓋1座月產(chǎn)能20萬片的半導體晶圓廠，引發(fā)市場相當大的疑慮和擔憂。

深入了解，這座月產(chǎn)能20萬片的晶圓廠涵蓋3大項產(chǎn)品，包括60納米以下的邏輯制程、NAND Flash和DRAM等，以三星目前市場規(guī)模和客戶需求，其實不用擔心新產(chǎn)房擴充會造成供過于求的后果。

再者，三星現(xiàn)在的策略是追求獲利率和股東權(quán)益報酬率(ROE)為主，更不會希望把臺灣這些DRAM廠都趕盡殺絕，如果只剩下三星在DRAM產(chǎn)業(yè)的市占率獨大，未來恐面臨美國反壟斷訴訟。

面對未來臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展策略，最重要的就是不能再像過去一樣不斷舉債且盲目蓋廠，再投資個500億元讓DRAM價格又跌一半，然后大家又再一次面臨巨額虧損的磨難，這樣的游戲以前力晶也是其中一員，但不能再重來一次，否則一旦面臨景氣反轉(zhuǎn)直下時，背負的巨額負債問題，將會再度威脅到公司生存地位。(黃崇仁口述，記者連于慧整理)

黃崇仁為力晶科技董事長暨創(chuàng)辦人，畢業(yè)于臺大物理系、美國紐約市立大學西奈山醫(yī)學院醫(yī)學博士。