據(jù)外電報導，三星電子(Samsung Electronics)繼2010年對半導體進行達96億美元的大規(guī)模資本額投資后，2011年也將持續(xù)投資92億美元發(fā)展半導體事業(yè)。三星連續(xù)2年在半導體投資額排名居世界之冠。

三星2011年將優(yōu)先對華城廠16產(chǎn)線進行投資建設，此外為量產(chǎn)30奈米制程DRAM、20奈米制程快閃存儲器(NAND Flash)等，也將積極投資微細制程化作業(yè)。同時三星也將在美國德州奧斯汀設立系統(tǒng)半導體生產(chǎn)線，進行資本額投資。

據(jù)市調(diào)機構(gòu)Gartner統(tǒng)計，三星2010年對半導體設備投入96億美元資金，2011年也將大筆投入92億美元，投資規(guī)模居世界第1。排名第2位的英特爾(Intel) 2011年將投資50億美元，較2010年減少2億美元，而排名第3的臺積電2011年將投資49億美元，較2010年減少10億美元。

而2010年投資18.15億美元的東芝(Tosshiba)，估計2011年將投資36.3億美元，在半導體資本額投資方面2010年排名第7，2011年將可望攀升至第4名。

海力士(Hynix) 2010年投資25億美元，排名第5，2011年約投資27.5億美元，排名將滑落至第6，并由GlobalFoundries以投資32億美元接下第5名位置。除此之外，華亞、美光(Micron)、聯(lián)電、爾必達(Elpida)等投資排名2011年也將提升至7~10名。

Gatner世界半導體產(chǎn)業(yè)2011年總投資金額較2010年的507億美元增加10.1%，達558億美元規(guī)模。