三星電子今日宣布，該公司已成為業(yè)內(nèi)首個(gè)成功試產(chǎn)16GB DDR4內(nèi)存模組的廠商。此次亮相的這一產(chǎn)品為RDIMM形式，面向企業(yè)級(jí)服務(wù)器市場(chǎng)。

目前三星采用的生產(chǎn)制程工藝為30nm級(jí)別，6月試產(chǎn)的樣品包括單條8GB/16GB容量型號(hào)。三星此前曾在2010年12月份展示過業(yè)界首個(gè)30nm工藝2GB DDR4內(nèi)存。

三星透露，DDR4內(nèi)存對(duì)比DDR3的優(yōu)勢(shì)顯而易見：帶寬方面明年的DDR4產(chǎn)品最多可達(dá)目前常見的DDR3-1600的兩倍，即3200Mbit/s；此外工作電壓對(duì)比三星此前的DDR3L內(nèi)存1.35V數(shù)值也下降至1.2V，使得整體功耗最多可減小約40%。

三星表示將與OEM客戶以及主要CPU/內(nèi)存控制器制造商緊密合作擴(kuò)展高存儲(chǔ)密度DDR4內(nèi)存模塊的市場(chǎng)，零售產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于明年大規(guī)模量產(chǎn)上市。而在制程進(jìn)化到20nm級(jí)別之后，DDR4內(nèi)存的單條容量更是可提升至32GB。