21ic訊 中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際")日前宣布推出其1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平臺，與其0.13微米(um)低漏電(LL)工藝完全兼容。該平臺經(jīng)過流片以及IP驗(yàn)證，在降低功耗、芯片尺寸和成本的同時(shí)，能提高數(shù)據(jù)的安全性。這個(gè)新平臺為中芯國際的成熟工藝節(jié)點(diǎn)提供了最新的增值服務(wù)，主打中國快速發(fā)展的雙界面金融IC卡市場及全球非接觸式智能卡市場。

建立在中芯國際的0.13微米低功耗技術(shù)上，該1.2V低功耗平臺使用字節(jié)模式操作的真正的EEPROM技術(shù)。與0.18微米EEPROM技術(shù)相比，該0.13微米平臺減少了約50%的芯片面積，同時(shí)降低了約50%的功耗。還可選用高速緩存控制器，在低功耗的同時(shí)加快讀取速度，為客戶提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性。該平臺是卡類應(yīng)用最理想的平臺，如雙界面銀行卡、社會(huì)保障卡、醫(yī)療保險(xiǎn)卡、交通卡、電子護(hù)照和電子支付卡。該平臺集成了EEPROM、ROM、VR、OSC、I/O、存儲器編譯器和光檢測器(light detector)IP。除了上述中芯國際自己研發(fā)的IP，存儲器編譯器方面亦提供第三方IP的選擇。中芯國際的0.13微米過程中使用銅低k互連和硅化鈷晶體管的互連。以中芯國際0.13微米LL技術(shù)構(gòu)建的設(shè)備將支持溫度范圍從-40攝氏度到85攝氏度完整的讀取和編程操作，并且在55攝氏度的溫度下，10萬讀取和寫入周期后，還能保證至少30年的數(shù)據(jù)保存(等同于在室溫下超過300年的數(shù)據(jù)保存)。該平臺目前正在通過一百萬次讀取和寫入周期的品質(zhì)驗(yàn)證。

中芯國際商務(wù)長季克非表示，"年底將有銀行IC卡產(chǎn)品在這一新平臺投片，我們?yōu)榭蛻舻姆e極反響感到鼓舞。根據(jù)我們多年0.18微米EEPROM的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)以及客戶的反饋，我們預(yù)期該技術(shù)將快速上量并帶來強(qiáng)勁的市場需求。"