近日消息，據(jù)路透社報道，英特爾重申，明年有望實現(xiàn)22nm工藝SoCs芯片，因為該公司正在試圖縮小他和ARM、高通和NVIDIA等競爭對手之間的差距。 “英特爾的22nm工藝SoC芯片，將于2013年開始準備大批量制造”本周英特爾公司在舊金山表示。但是目前該公司是尚未給即將開始的生產(chǎn)計劃列出一個更具體的時間表。

雖然英特爾已經(jīng)擁有22nm制作SoCs芯片技術(shù)，但是目前又碰到了一個問題，SoC芯片技術(shù)不僅適合于處理器，也同時適合于其他部件 例如內(nèi)存，收音機，數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)等以及其他一些緊湊的模塊中。

為了幫助它實現(xiàn)這一目標，英特爾計劃使用的3D三柵極工藝的Ivy Bridge處理器，以獲得更好的效果。英特爾將使用特殊的堆疊架構(gòu)，在三柵極導(dǎo)電通道三面添加“垂直尾翼結(jié)構(gòu)”，最終的結(jié)果是排除多余的熱量，通過高的組合的柵絕緣體和應(yīng)變硅，為移動設(shè)備提供更長的電池壽命和更好的性能。