雖然臺積電、三星以及Globalfoundries公司都會在今年底或者明年初量產(chǎn)更先進(jìn)的7nm工藝，不過其他技術(shù)的工藝并不意味著就會淘汰，在半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)上將會存在一些很長壽的制程，28nm工藝就是其中的一個，即便是臺積電，28nm工藝帶來的營收依然是大頭，營收比例超過其他先進(jìn)工藝。UMC臺聯(lián)電也給自家的28nm找到了新的領(lǐng)域，他們宣布與美國Avalanche公司合作研發(fā)28nm工藝的MRAM存儲芯片。

MRAM磁阻式隨機(jī)存儲芯片是下一代存儲芯片的候選人之一，兼具非易失、高速度、高密度、低耗等各種優(yōu)良特性，可說是集各種記憶體優(yōu)點(diǎn)于一體的產(chǎn)品，因此被認(rèn)為是電子設(shè)備中的理想存儲器。只不過這些指標(biāo)還是理論上的，MRAM芯片離取代內(nèi)存、閃存的日子還早著呢，但在物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)、汽車電子行業(yè)應(yīng)用前景很廣泛。

美國公司Avalanche主要研發(fā)ST- MRAM (自旋矩磁阻RAM)技術(shù)，日前他們宣布與UMC聯(lián)電達(dá)成合作協(xié)議，共同研發(fā)MRAM芯片，同時聯(lián)電也將透過Avalanche的授權(quán)提供技術(shù)給其他公司，并透過授權(quán)提供客戶具有成本效益的28 奈米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。

在28nm工藝之外，兩家公司還考慮將合作范圍擴(kuò)展到28nm以下的工藝中去。

在聯(lián)電之前，臺積電也宣布使用28nm工藝生產(chǎn)eMRAM及eRRAM芯片，預(yù)計2018年底試產(chǎn)。三星早前宣布4nm工藝時也提到了會針對物聯(lián)網(wǎng)市場推出28nm FD-SOI工藝，也會生產(chǎn)eMRAM存儲芯片。Globalfoundries之前公布的22FDX工藝也同樣針對低功耗的物聯(lián)網(wǎng)市場，也會推進(jìn)eMRAM芯片研發(fā)生產(chǎn)。

國內(nèi)的中芯國際也針對下一代存儲芯片布局了，去年初他們宣布已經(jīng)出樣40nm工藝的ReRAM芯片，這種芯片密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片(200mm2左右)即可實(shí)現(xiàn)TB級存儲，還具備結(jié)構(gòu)簡單、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。