今天三星電子宣布1TB存儲容量的eUFS2.1正式量產(chǎn)，它采用三星第五代V-NAND技術(shù)。

在相同封裝尺寸(11.5mm x 13.0mm)內(nèi)，1TB eUFS解決方案將先前512GB版本的容量提升了一倍，將16個堆疊的三星最先進的512千兆位(Gb)V-NAND閃存和新開發(fā)的專有閃存控制器組合在一起。新的eUFS速度高達每秒1,000MB/s，隨機讀寫分別為58,000 IOPS和50,000 IOPS，相比512GB提升38%。

三星計劃在2019年上半年在其位于韓國平澤的工廠擴大其第五代512Gb V-NAND的產(chǎn)量，以充分滿足全球移動設(shè)備制造商對1TB eUFS的強勁需求。

可能有的人不知道三星家的eUFS的強大之處，我們通過官方的介紹了解一下：

與 eMMC 相比，eUFS 在讀取速度方面表現(xiàn)出更強的性能，順序讀取速度提升高達 40%。當(dāng)在系統(tǒng)(Gen1 5Gbps、Gen2 10Gbps)上優(yōu)化 USB 3.1 性能時，文件復(fù)制操作可提高 40% 的性能。

eUFS不僅傳輸速度還快，還降低了功耗，因而能提供更出色的能效。實際上，在相同的工作負載下，UFS 展現(xiàn)出比 eMMC 高 8% 的電池壽命。處理相同工作負載的實際工作時間減少 30%。

目前eUFS已經(jīng)進入到了3.0時代，它將于2019年上半年推出，首批將有128GB、256GB、512GB三種大小的存儲容量，最大數(shù)據(jù)傳輸速率為2000MB/s，2021年出貨1TB存儲容量。

據(jù)悉eUFS 3.0規(guī)范發(fā)布于去年年初，單通道帶寬提升到11.6Gbps，理論最大速度約2.9GB/s，相較于目前旗艦機普遍采用的UFS 2.1直接翻番。