【21ic電子網(wǎng)原創(chuàng)】：三星將在2012 ISSCC會(huì)議上發(fā)布20nm制程的8GB相變內(nèi)存（PCM），重新點(diǎn)燃業(yè)界關(guān)于相變內(nèi)存是否可投入商用的爭(zhēng)論。

2011年12月5日到7日在華盛頓舉行的國(guó)際電子器件會(huì)議上，三星的工程師將先展示20nm制程的相變RAM單元。

與當(dāng)前的技術(shù)水平相比，20nm制程的8G相變RAM是一大很大的飛躍。在2011年2月舉行的ISSCC會(huì)議上，三星展示了58nm制程的1G相變內(nèi)存，該內(nèi)存配備了一個(gè)低功耗的DDR非易失性?xún)?nèi)存（LPDDR2-N）接口。

三星和美光科技公司（Micron Technology）是業(yè)界可提供非易失性相變內(nèi)存并投入商用的兩家公司。即便如此，目前該領(lǐng)域還是幾乎沒(méi)有關(guān)于相變內(nèi)存的報(bào)告。

此次三星打算推出一個(gè)工作電壓為1.8V、帶寬為40Mb/s的20nm制程的大型相變內(nèi)存，這使得相變內(nèi)存的性能提升至接近NAND閃存的水平。

不過(guò)，NAND閃存存儲(chǔ)和檢測(cè)多位元的能力使得閃存比PCM更具內(nèi)存容量?jī)?yōu)勢(shì)。閃存也有望可以發(fā)展成以一種垂直堆疊多個(gè)內(nèi)存單元的形式來(lái)使內(nèi)存容量進(jìn)一步微縮。

相變內(nèi)存的工作原理是通過(guò)檢測(cè)電阻加熱時(shí)硫?qū)倩衔锖辖鹪诜蔷B(tài)和晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變所產(chǎn)生的電阻變化來(lái)存儲(chǔ)信息。業(yè)界一直希望這種技術(shù)可以將交叉點(diǎn)內(nèi)存的可微縮性?xún)?yōu)勢(shì)與閃存的非易失性?xún)?yōu)勢(shì)相結(jié)合，同時(shí)提供優(yōu)異的耐用性和尋址能力。

不過(guò)，PCM在部署上還面臨著很多障礙，不僅僅是超越NAND閃存的快速微縮能力。PCM的技術(shù)挑戰(zhàn)將繼續(xù)存在于存儲(chǔ)單元微縮熱效應(yīng)的能力，以及來(lái)自鄰近單元的熱干擾問(wèn)題。另外，考慮到PCM材料對(duì)溫度的敏感性，不知道預(yù)編程的相變內(nèi)存在印刷電路板生產(chǎn)過(guò)程中是否會(huì)受影響。