臺灣臺積電(TSMC)的日本法人——臺積電日本于2010年7月1日在東京都內舉行了記者說明會，介紹了對半導體市場的長期展望。臺積電日本代表董事社長小野寺誠表示，2012年以后“預計年平均增長率為4.2%，將繼續(xù)保持平穩(wěn)增長”。該公司認為，雖然業(yè)界將半導體的新市場寄望于新興市場國家，但新興市場國家的平均售價較低，因此無法成為恢復到以前兩位數增長勢頭的原動力。

臺積電預測，2010年半導體市場相對于上年的增長率將為30%。該公司表示，雖然2011年將繼續(xù)保持增長，但相對于上年的增長率僅為7%。 2012年以后的增長趨勢將放緩。臺積電提到了以下四個理由。(1)半導體需求有望出現擴大的用途是價格競爭激烈的消費類產品用途;(2)有望成為新市場的新興市場國家，其電子產品的平均售價較低;(3)半導體部件成本(BOM)在電子產品中所占的比例超過20%，已經達到極限，無望出現增加;(4)遵循摩爾(Moore)法則的微細化步伐今后將會放緩。

另外，包括代工在內的半導體廠商今后將在技術和成本兩個方面面臨較大的課題。該公司在技術方面提到了以下兩個課題：(a)即便推進技術更新換代，也難以縮小晶體管的柵長;(b)每推進一代技術換代，泄漏電流就會增大，半導體芯片單位面積的功耗會持續(xù)增加。在成本方面，存在著(c)研發(fā)成本的增大和(d)半導體工廠建設成本的增大這兩個課題。關于(c)課題，臺積電預計在22/20nm工藝中，工藝開發(fā)成本和設計開發(fā)成本將分別達到130nm工藝的 7倍和14倍。在(d)的課題中，采用450mm晶圓的半導體工廠建設費用，將達到150mm晶圓的工廠的25倍。

由于上述課題，預計自己擁有最尖端工廠的半導體廠商數量將趨于減少。因此，像臺積電這樣“存留下來的少數半導體廠商需要完成的任務將越來越多”(小野寺)。為了應對這種情況，臺積電今后將把研發(fā)工作的強化和生產規(guī)模的擴大作為長期目標加以推進。在研發(fā)方面，2010年將把投資額和員工增至2006年的 2倍和3倍。在生產規(guī)模方面，目前已將兩個300mm工廠(“Fab12”和“Fab14”)的產能分別提高至10萬張/月以上，新的300mm工廠 “Fab15”將在2010年夏季開工建設。Fab15“將以在2011年啟動為目標而迅速著手建設”(小野寺)。

今后，臺積電計劃“進一步加深與客戶之間的緊密合作”(小野寺)。具體做法是從開發(fā)初期階段開始就進行合作，以便致力于在晶體管水平上按照不同用途優(yōu)化LSI性能與功耗之間的平衡。從利潤率的觀點來看，“判斷哪一代技術何時確立將變得更為重要”(小野寺)。