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[導讀]目前次世代微影技術發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn),而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出,EUV技術最快于2014年可望進入量產,而應用存儲器制程又將早于邏輯制程,他也

目前次世代微影技術發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn),而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出,EUV技術最快于2014年可望進入量產,而應用存儲器制程又將早于邏輯制程,他也指出,無光罩多重電子束恐怕來不及進入量產。

目前次世代微影技術主要包括深紫外光、無光罩多重電子及浸潤式微影多重曝光技術,然由于各種技術成本相對上都還高,發(fā)展也尚未成熟,因此次世代微影技術尚未有明顯的主流。

IMEC 在納米電子上向來具有先端研究技術,同時也與設備大廠愛司摩爾(ASML)進行多年的EUV技術研發(fā),也為EUV陣營的主要代表之一。不過目前EUV技術最為人所詬病的在于EUV機臺、光罩與外圍材料設備都造價高昂,恐怕沒有幾家晶圓廠能夠負擔,即便制程順利開發(fā)成功,也少有客戶有能力采用。

因此目前臺積電也極力投入無光罩多重電子束制程開發(fā),由于該制程不需要光罩,且設備造價也不若EUV機臺來的高昂,也提供了EUV之外的另一個選擇。更重要的是,讓過去幾年聲勢浩大的EUV,能夠有抗衡的對象。

Luc Van den hove指出,IMEC向來專注投入EUV技術研發(fā),即便EUV技術在光罩及光阻等多面向上,仍有待改進,不過成熟度高,發(fā)展時間也較久,未來幾年成本也將會下滑,適合于大量生產。他預估,2014年EUV技術將具有成本效益,開始進入量產,首先會采用EUV制程的應是存儲器廠商,用于20納米制程,至于邏輯制程則會較晚,預計將用于16納米制程。

Luc Van den hove也表示,半導體業(yè)界的確需要EUV外有別的選擇方案,不過電子束過去一段時間投入的研發(fā)資源不夠,開發(fā)尚未成熟,尤其不適合用于存儲器制程,只適合用于小量生產,恐怕也趕不上業(yè)界量產的時程。

在 EUV陣營方面,ASML日前宣布,首臺EUV機臺已于本月正式出貨,預計到2011年中為止,還有5臺將陸續(xù)出貨。同時,ASML也正在著手研發(fā)第3代 EUV機臺NEX:3300,目前已有8套訂單,將于2012年開始出貨。因此業(yè)界對于未來1年EUV機臺進廠后的成果也十分關注,將是次世代微影技術發(fā)展的重要里程碑。

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