日本半導體大廠爾必達(Elpida)與東芝(Toshiba)決定自2011年7月起，增加新款儲存內存產量。其中爾必達決定加強日本廣島工廠和臺灣工廠的產能, 將產能提升至75%，確保搶先開發(fā)出25納米DRAM的先機。東芝則決定于2011年9月將產能提升至60%，穩(wěn)定技術領先地位。

爾必達在2011年6月底的新款DRAM生產比例為15%，而產業(yè)龍頭南韓面板大廠三星電子(Samsung Electronics)的比例估計為50%。爾必達預估三星最快將于2011年12月推出25納米DRAM，因此刻意猛沖產量，鞏固率先開發(fā)25納米DRAM所帶來的先機。

爾必達于2011年5月創(chuàng)下世界首例，成功開發(fā)25納米DRAM，同時該公司重新檢討DRAM設計電路，創(chuàng)立能用較低成本生產DRAM的方法，使設備投資成本控制在以往的3分之1到4分之1，能以較南韓、臺灣、美國等同業(yè)更低的成本，生產新款DRAM。

世界第2大閃存廠東芝，決定讓設置于日本三重縣四日市的新工廠，成為專門制造新款24納米、19納米內存的中央工廠。該公司以往新產品都采少量生產政策，本次趁著新工廠成立，決定在2011年9月一口氣將生產比例提高至60%。

東芝在閃存的微細化技術，一直是世界指標，與三星約有半年的技術差距，但和英特爾(Intel)及美光(Micron)競爭激烈。該公司計劃設立新工廠，并大量生產新款產品，確保對海外大廠的優(yōu)勢。

半導體業(yè)界中，日本企業(yè)的稅務與人事費用、水電等雜項支出，都比南韓、臺灣來得吃重。如今又適逢日圓升值、美元下跌，使收益變相減少。因此為增加利潤，大廠決定加強生產新款產品，讓收益穩(wěn)定。