11月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。

由于受超薄氧化物層覆蓋，采用該種芯片的設(shè)備將提供更好的性能以及更低的能耗。參與此次合作研究的公式有ARM、法國(guó)半導(dǎo)體廠商Leti、比利時(shí)魯汶大學(xué)(the Université Catholique de Louvain) 、IBM、Globalfoundries、 法國(guó)Soitec。

SOI工業(yè)協(xié)會(huì)組織的執(zhí)行總裁Horacio Mendez表示： “這項(xiàng)工作表明表明電路板的制成技術(shù)由體硅轉(zhuǎn)向FD-SDI可以直接進(jìn)行，這僅取決于特定芯片制造商所使用的FD-SDI技術(shù)。這項(xiàng)設(shè)計(jì)能縮短基于FD-SOI設(shè)備的面世時(shí)間，同時(shí)將帶來(lái)更優(yōu)化的ICs以及更快的實(shí)時(shí)速度。”

研究中bulk-to-fd-soi網(wǎng)絡(luò)芯片設(shè)計(jì)的移植，將在現(xiàn)有的平面設(shè)計(jì)中進(jìn)行最小的調(diào)整，尤其是可行的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、內(nèi)存編譯器和輸入輸出操作系統(tǒng)，以獲得模擬和混合信號(hào)設(shè)計(jì)。

FD-SOI一項(xiàng)設(shè)計(jì)特點(diǎn)是其潛在性能，在運(yùn)行全I(xiàn)P內(nèi)核或者整組芯片時(shí)電壓的供給可以非常低，大概在0.5-0.6V之間。

目前，該小組正在為全芯片設(shè)計(jì)接口的兩線路進(jìn)行檢測(cè)。