瑞豐光電研發(fā)中心發(fā)布Chip LED衰減改善成果
[導讀]瑞豐光電研發(fā)中心近日正式發(fā)布針對ChipLED的衰減改善成果。通過對關鍵材料的改進和線路的重新設計，新一代的ChipLED的衰減只有之前版本的31%。由于抗衰減能力的大幅度提升，ChipLED將能在指示、背光燈領域的應用將有
瑞豐光電研發(fā)中心近日正式發(fā)布針對ChipLED的衰減改善成果。通過對關鍵材料的改進和線路的重新設計，新一代的ChipLED的衰減只有之前版本的31%。由于抗衰減能力的大幅度提升，ChipLED將能在指示、背光燈領域的應用將有全新的發(fā)展。
ChipLED項目負責人朱經理介紹，ChipLED的抗衰減性能的改善主要基于兩個原因：通過PCB線路的重新設計降低產品的熱阻；另一方面包含到固晶膠材和封裝膠材的改進，除了降低產品的熱阻之外，也大幅度的改善了材料的光老化特性。據(jù)最新的老化數(shù)據(jù)顯示，新一代的產品衰減只有原來的31%，抗衰減性能大幅提升。
目前采用新材料和制程的ChipLED已經正式導入量產。
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