臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀透露將提高今年資本支出，新的金額將大于去年的72.9億美元（約新臺(tái)幣2，152億元），極可能超越三星邏輯芯片系統(tǒng)部門（LSI）的73億美元；這不僅是臺(tái)積電的新高紀(jì)錄，更凸顯力抗三星的企圖。

臺(tái)積電年度技術(shù)論壇于美國(guó)時(shí)間17日在舊金山展開，張忠謀親自出席，他表示，“只要28納米產(chǎn)能趕緊擴(kuò)充，臺(tái)積電最壞情況確定過(guò)去。”這項(xiàng)談話引發(fā)法人圈對(duì)調(diào)高資本支出題材正面解讀。

臺(tái)積電今年原訂資本支出60億美元，與去年相比減少17.7%。但隨著28納米產(chǎn)能告緊，日前已確定會(huì)調(diào)高資本支出。外資德意志證券預(yù)估，可能上調(diào)至68億美元，但張忠謀在科技論壇最新透露，調(diào)高后金額將大于去年的72.9億美元，因而資本支出調(diào)升幅度可望超過(guò)17.8%，實(shí)際金額將于26日公司法說(shuō)會(huì)宣布。

值得注意的是，臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一的三星LSI，因?yàn)榭春眯袆?dòng)裝置帶來(lái)的應(yīng)用處理器需求，今年資本支出大增至73 億美元，年增率高達(dá)75%，旗下美國(guó)德州Austin廠，月產(chǎn)能3萬(wàn)至4萬(wàn)片，幾乎是替蘋果處理器所預(yù)備，也是三星大幅擴(kuò)充資本支出的主要需求。

半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，臺(tái)積電因應(yīng)28納米需求，大幅拉高后的資本支出金額可能超越三星，與三星互別苗頭的競(jìng)爭(zhēng)意味濃厚。

臺(tái)積電2011年資本支出寫下72.9億美元?dú)v史新高，法人圈估計(jì)，今年資本支出可能來(lái)到73億至75億美元，不但超越三星LSI，也將再刷新紀(jì)錄。

臺(tái)積電兩年前就改變經(jīng)營(yíng)策略，以高資本支出、高研發(fā)拉開與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的距離。張忠謀此次赴美主持臺(tái)積電美西技術(shù)論壇更強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電今年提高資本支出是因?yàn)?8納米產(chǎn)能不夠，絕非28納米良率的考量，目前28納米良率都在控制中。

目前臺(tái)積電是28納米唯一量產(chǎn)的晶圓代工業(yè)者，高通、輝達(dá)、超微都是28納米主力客戶。為解決客戶需求，臺(tái)積電位于中科Fa15第一、二期已投產(chǎn)，第一季臺(tái)積電12寸月產(chǎn)能約30.4萬(wàn)片，在公司全力擴(kuò)產(chǎn)下，設(shè)備商估計(jì)，臺(tái)積電三座超大晶圓廠預(yù)計(jì)到今年底可貢獻(xiàn)40萬(wàn)片約當(dāng)12寸晶圓月產(chǎn)能，領(lǐng)先對(duì)手三星三至四倍。