據(jù)說蘋果iphone5S和低價(jià)版iphone5都會(huì)沿用之前的incell觸控技術(shù)，這對(duì)內(nèi)嵌式集成觸控技術(shù)的陣營來說是大利好，下半年，廠商會(huì)加大投入力度。事實(shí)上，oncell的量產(chǎn)在即，Mstar下半年會(huì)與客戶一起推出。。。
受訪人：MStar觸控事業(yè)部負(fù)責(zé)人王潔（孫昌旭采訪整理）

Oncell一定是下一個(gè)熱點(diǎn)，相比incell我們認(rèn)為它的大規(guī)模量產(chǎn)肯定會(huì)更快一些。目前MStar已經(jīng)與臺(tái)灣的玻璃屏廠在進(jìn)行這方面的合作，技術(shù)突破已實(shí)現(xiàn)。它主要解決的仍是一致性與良率的問題，由于是將TP內(nèi)嵌在LCD上，這對(duì)抗干擾的挑戰(zhàn)非常大。而MStar的方案正是采用了多種方式來提升抗干擾能力。首先，我們是32位CPU+14位ADC，處理能力在業(yè)界是領(lǐng)先的；其次，抗干擾是完全考驗(yàn)IC設(shè)計(jì)者本身混合信號(hào)處理能力，IC內(nèi)部有較多模塊來特別處理外界信號(hào)干擾，譬如跳頻與變頻處理、噪聲同步跟蹤、噪聲監(jiān)測(cè)與修正等諸多方法，此部分正是MStar積累10多年SOC的經(jīng)驗(yàn)，在配合不斷演進(jìn)的獨(dú)特算法，這的的確確是MStar一直專注單層研發(fā)的成果。

我們認(rèn)為Oncell的目標(biāo)應(yīng)用并不是高端市場(chǎng)，而是降成本的市場(chǎng)。因?yàn)轱@示屏廠是適合于標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)的，而以前的TP不合適于標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)。我們知道，標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)帶來的最大益處是規(guī)模經(jīng)濟(jì)和降成本，所以如果Oncell量產(chǎn)后，一定會(huì)有成本優(yōu)勢(shì)。更遠(yuǎn)一步，我們還在努力將LCD驅(qū)動(dòng)IC與觸控IC集成，實(shí)現(xiàn)真正意義上的顯示觸控全集成。這里的主要挑戰(zhàn)是在兩種IC的工藝制程上的區(qū)別：前者是高壓工藝，后者是一般的低壓。不過，MStar已掌握相關(guān)的工藝技術(shù)，并業(yè)已完成開發(fā)。

從MStar來說，我們認(rèn)為這兩年的智能手機(jī)市場(chǎng)是換機(jī)潮的市場(chǎng)，所以我們針對(duì)的也是中低端智能手機(jī)市場(chǎng)，并且，我們認(rèn)為未來觸控屏?xí)由斓浇逃⒐た亍④囕d等多個(gè)領(lǐng)域，而這些領(lǐng)域已是我們所專注的。

同樣，對(duì)于大家關(guān)注的超極本觸控市場(chǎng)，仍然是對(duì)抗干擾能力的挑戰(zhàn)，因?yàn)槠猎酱?，阻抗越大，干擾也越大。所以，這仍是我們的強(qiáng)項(xiàng)所體現(xiàn)。至于大家熱談的新型材料Metal mesh觸控技術(shù)，由于它金屬的屬性，阻抗小，確實(shí)很適合大屏的超極本，但是目前仍要克服工藝一致性與良率的問題。我們認(rèn)為，Metal mesh在大尺寸的筆記本和TV上有優(yōu)勢(shì)，而在小尺寸的手機(jī)上優(yōu)勢(shì)并不明顯，因?yàn)閱螌覩F或單層全I(xiàn)TO GG已非常便宜了。

對(duì)于單層GF觸控屏，目前良率已可做到很高，遠(yuǎn)超過雙層的GFF，所以非常具有價(jià)格優(yōu)勢(shì)，且性能也不斷改善。更重要的是，單層GF可以大幅節(jié)約TP廠的時(shí)間，舉例來說，做一片雙層的TP的時(shí)間，可以做2.5-3片單層的TP。現(xiàn)在，我們?cè)?寸的大手機(jī)屏上也可以實(shí)現(xiàn)單層了。

MStar現(xiàn)行主流IC主推兩大系列，分別為MSG21xxx系列與MSG26xxx系列，前者為單層三角形方案，含括單點(diǎn)手勢(shì)與單層兩點(diǎn)領(lǐng)域；后者為單層多點(diǎn)與傳統(tǒng)雙層多點(diǎn)二合一方案。以上兩大系列均兼容所有現(xiàn)行主流工藝、市場(chǎng)主流材料及演變材料，甚至延伸到后繼Oncell/Incell領(lǐng)域，也同時(shí)覆蓋了手機(jī)通信領(lǐng)域所有尺寸，其中MSG2142A與MSG2638M將是MStar集中發(fā)力芯片，尺寸范圍在4.5~7.0寸，一并滿足中高端單層真實(shí)兩點(diǎn)與單層真實(shí)多點(diǎn)主流需求。