2014年MOCVD產(chǎn)能利用率有望持續(xù)回升

自2008年開始，LED隨著應(yīng)用于背光照明技術(shù)的成熟，快速在NB、PC、TV等產(chǎn)品使用，需求大增，帶動(dòng)LED上游外延芯片投資熱絡(luò)，全球MOCVD設(shè)備加速擴(kuò)展，尤其是亞洲的臺(tái)灣、中國大陸、韓國等地區(qū)紛紛投入，MOCVD設(shè)備從2007年約399臺(tái)，提升至2010年的約1,520余臺(tái)，提升近280%。中國大陸地區(qū)MOCVD設(shè)備由2007年的75臺(tái)提升至2010年的約354臺(tái)，增長(zhǎng)約370%，2011年持續(xù)增長(zhǎng)，截止2011年底達(dá)2,350余臺(tái)，較2010年增長(zhǎng)55%，中國達(dá)到800余臺(tái)，較2010年增長(zhǎng)130%。而且2012年-2013年持續(xù)增長(zhǎng)，但是增速有所下降。我們分析隨著市場(chǎng)回暖，預(yù)計(jì)2014-2015年MOCVD設(shè)備還將持續(xù)增加。(其中中國部分，有約20%做的機(jī)臺(tái)估計(jì)將被逐漸淘汰)

圖：2007-2015年全球MOCVD設(shè)備開工率(單位：臺(tái))(數(shù)據(jù)來源：TRI)

圖：2008-2015年中國MMOCVD設(shè)備開工率(單位：臺(tái))(數(shù)據(jù)來源：TRI)

2014年MOCVD設(shè)備產(chǎn)能利用率持續(xù)回升。雖然2008年開始在背光照明方面應(yīng)用需求大幅增長(zhǎng)，但是由于2011-2012年電視背光應(yīng)用滲透低于預(yù)期，同時(shí)由于在政府刺激下的MOCVD設(shè)備安裝大幅增加，自2010年開始MOCVD設(shè)備開工率逐步下降，由2009年的供不應(yīng)求，到2012年設(shè)備開工率不足60%，中國大陸MOCVD設(shè)備開工率更低，2012年僅有40%左右，2013年開始隨著電視背光模式的變化(由側(cè)光式加速向直下式轉(zhuǎn)變)，加速電視背光滲透，據(jù)相關(guān)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)由2012年70%左右，提升至85%以上(中國提升至63%)，預(yù)計(jì)未來此外隨著國際大廠加速LED照明產(chǎn)品的降價(jià)，及歐盟白熾燈禁止使用，帶動(dòng)LED照明需求快速滲透，2014年產(chǎn)能利用將有望進(jìn)一步提升，有望達(dá)到90%以上。

國際大廠樂觀看待2014年，逐漸增大資本開支

時(shí)至歲末，LED外延芯片大廠對(duì)待2014年態(tài)度明顯好于預(yù)期，加大資本開支。在對(duì)設(shè)備投資方面明顯要好于2012年年底，目前三安、晶電、隆達(dá)等均有意2014年擴(kuò)產(chǎn)。其中三安光電計(jì)劃啟動(dòng)蕪湖二期，規(guī)劃擴(kuò)產(chǎn)100臺(tái)(2寸/單腔規(guī)劃)，合計(jì)在4寸外延片122.3萬片/年，藍(lán)綠芯片256億顆/年。其中臺(tái)灣晶電計(jì)劃投入5400萬美元，增加山東和廈門投資，隆達(dá)計(jì)劃增加蘇州投資，按照相關(guān)金額計(jì)算，預(yù)計(jì)晶電將新增50臺(tái)左右MOCVD(2寸/單腔)，隆達(dá)新增16臺(tái)MOCVD。

分析認(rèn)為2014年新增產(chǎn)能主要來自2013年MOCVD設(shè)備投資，其中2013年投入廠商主要有華燦募投項(xiàng)目蘇州48臺(tái)，三安廈門20臺(tái)，德豪潤(rùn)達(dá)蕪湖部分機(jī)臺(tái)，乾照光電收購揚(yáng)州隆耀6臺(tái)MOCVD。合計(jì)約100臺(tái)左右。

2014年新增MOCVD設(shè)備產(chǎn)能貢獻(xiàn)最早在2014年Q3釋放。從目前各廠商投入規(guī)劃，按照相關(guān)設(shè)備訂購、安裝、調(diào)試、投片、量產(chǎn)、穩(wěn)定流程，預(yù)計(jì)穩(wěn)定投產(chǎn)最快在2014年Q3，大部分在2013年年末方可逐漸投產(chǎn)，2015年為全部產(chǎn)能方可釋放。(注其中未注明為2寸單腔設(shè)備)。

圖：2014-2015年預(yù)計(jì)新增機(jī)臺(tái)數(shù)量(資料來源：各廠商)