繼集中測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備后，從2010年4、5月份開始，TD-LTE工作組陸續(xù)開展了終端芯片的測(cè)試以及芯片和系統(tǒng)之間的互操作測(cè)試。在工作組的階段性結(jié)論中，基帶芯片依然是終端成熟之路上較大的瓶頸之一。

終端轉(zhuǎn)型還需時(shí)間

    關(guān)于TD-LTE技術(shù)試驗(yàn)，王志勤重點(diǎn)提到了終端芯片的測(cè)試進(jìn)展，特別是基帶芯片的能力問題。“從整體來看，終端芯片尤其是基帶芯片的成熟還需要進(jìn)一步加快。后續(xù)，芯片企業(yè)將加快多模多頻商用芯片的研發(fā)。”

    在工作組給出的終端基帶芯片測(cè)試進(jìn)展表上可以看到，參與的終端芯片廠家包括海思、創(chuàng)毅視訊、Sequence、三星、中興微電子、ST-Ericsson、聯(lián)芯等十多家。其中，3家ASIC芯片廠商開展了2.3GHz測(cè)試，近期有2家芯片企業(yè)開始進(jìn)行2.6GHz測(cè)試。

    工作組預(yù)測(cè)，從支持2.3GHz頻段轉(zhuǎn)為支持2.6GHz頻段，終端芯片的轉(zhuǎn)型還需要比較長的時(shí)間。

    中國移動(dòng)尤為關(guān)注高通的進(jìn)展，據(jù)悉，高通即將在近期正式參與TD-LTE芯片測(cè)試。

    此前，高通的業(yè)界首款支持多模3G/LTE的單芯片已在世博會(huì)上展出。按其計(jì)劃，終端領(lǐng)域首款采用高通芯片的TD-LTE產(chǎn)品預(yù)計(jì)2011年中正式推出。

    不約而同，大唐也表示要在今年底推出支持TD-SCDMA/TD-LTE雙模的終端芯片，包括大唐在內(nèi)的更多廠商都表示要在2011年初至年中推出供業(yè)務(wù)測(cè)試的TD-LTE數(shù)據(jù)卡。

2.6GHz芯片性能有待提高

    基于終端測(cè)試的持續(xù)推進(jìn)，工作組已開始對(duì)包括海思、Sequence等在內(nèi)的廠商進(jìn)行2.6GHz芯片測(cè)試，截至目前，海思芯片的表現(xiàn)更勝一籌，工作組稱其“領(lǐng)先性比較明顯”，但同時(shí)也表示“整體上，終端芯片的整體功能和性能離實(shí)際商用的要求還有一段距離”。

    下一步，工作組從12月份針對(duì)2.6GHz頻段的終端芯片測(cè)試工作將加大。

2011年啟動(dòng)終端一致性測(cè)試

    TD-LTE終端產(chǎn)品成熟的一個(gè)重要標(biāo)志是終端一致性測(cè)試能力的完善。終端一致性包括射頻一致性測(cè)試、無線資源管理一致性測(cè)試、協(xié)議一致性測(cè)試等。

    基于國內(nèi)外測(cè)試儀表廠家持續(xù)投入與終端芯片廠商進(jìn)行合作，2011年TD-LTE技術(shù)試驗(yàn)中將逐步開展終端一致性測(cè)試。目前2.3GHz芯片已支持基本的功能、性能和射頻指標(biāo)，開始了一些組合Uu接口IOT測(cè)試，近期廠商們也陸續(xù)開發(fā)出2.6GHz芯片，TD-LTE工作組對(duì)其還將加強(qiáng)功能、性能、Uu接口IOT測(cè)試，并促使芯片產(chǎn)業(yè)鏈加快多模多頻芯片的開發(fā)和測(cè)試。

    在TD-LTE測(cè)試儀表陸續(xù)推出的同時(shí)，國際認(rèn)證一致性項(xiàng)目驗(yàn)證也即將啟動(dòng)。據(jù)悉，TD-LTE工作組也正在積極組織一致性測(cè)試儀表與芯片的聯(lián)調(diào)和驗(yàn)證工作。目前測(cè)試廠商Anite與海思、創(chuàng)毅視訊提供的終端進(jìn)行協(xié)議一致性測(cè)試驗(yàn)證，以及測(cè)試廠商R&C與海思的終端進(jìn)行協(xié)議一致性測(cè)試驗(yàn)證，都已完成了52項(xiàng)。

    王志勤在接受本刊記者采訪時(shí)還提到，在終端一致性測(cè)試上，國外與國內(nèi)測(cè)試儀表廠商的創(chuàng)新和參與力度也非常積極，除了國際測(cè)試巨頭憑借實(shí)力繼續(xù)在儀表和技術(shù)方面提供主力支持，一致性測(cè)試也給國內(nèi)專業(yè)性的測(cè)試企業(yè)提供了機(jī)會(huì)，但整體實(shí)力上國內(nèi)測(cè)試企業(yè)還沒有真正強(qiáng)大的，專業(yè)性廠商可以在終端一致性測(cè)試等環(huán)節(jié)上挖掘機(jī)會(huì)。

記者觀察：

LTE終端的成熟取決于集成電路技術(shù)與工藝

    針對(duì)LTE的數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)，TD-LTE數(shù)據(jù)卡至少需要65nm工藝的支持才能滿足市場需要，65nm工藝也是今年TD-LTE技術(shù)試驗(yàn)中的重點(diǎn)內(nèi)容。

    在2011年的規(guī)模試驗(yàn)中，65/45nm工藝以及GSM/LTE、GSM/TD-SCDMA/LTE多模終端有望參與測(cè)試；手機(jī)測(cè)試樣機(jī)也將參與規(guī)模試驗(yàn)，包括雙待終端、單待終端。

    而到2012-2013年的試商用/商用階段，28nm工藝有望得到測(cè)試和應(yīng)用，將極大提高TD-LTE終端的成熟和性價(jià)比，多模手機(jī)也將成為主流。（中國移動(dòng)研究院院長 黃曉慶）