研究機(jī)構(gòu)集邦(TrendForce)旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，今年Q3雖然NAND Flash價(jià)格漲幅不若Q2明顯，但由于下半年NAND供應(yīng)商產(chǎn)出成長(zhǎng)依舊有限，加上智慧型手機(jī)與平板電腦成長(zhǎng)步伐穩(wěn)健，因此即便Q3合約報(bào)價(jià)持平Q2，NAND Flash廠商營(yíng)收仍維持上升態(tài)勢(shì)。根據(jù)統(tǒng)計(jì)，NAND Flash品牌供應(yīng)商營(yíng)收較Q2季增8.8%達(dá)到62.81億美元，年增幅度達(dá)到35%。

根據(jù)DRAMeXchange的統(tǒng)計(jì)，三星電子仍是全球最大NAND Falsh品牌廠，Q3營(yíng)收為24.13美元、市佔(zhàn)率38.4%，Toshiba單季營(yíng)收為18.12億美元、市佔(zhàn)率28.9%，SK Hynix的Q3營(yíng)收則為8.83億美元、市佔(zhàn)率14.1%，Micron單季營(yíng)收為6.97億美元、市佔(zhàn)率11.7%，Intel在Q3來(lái)自NAND的營(yíng)收則為4.75億美元，市佔(zhàn)率7.6%。

就各品牌大廠動(dòng)態(tài)而言，DRAMeXchange指出，三星在Mobile NAND、PC用SSD和企業(yè)級(jí)SSD出貨動(dòng)能帶動(dòng)下，NAND Flash營(yíng)收季增約1成，位元出貨量較Q2增加約10-13%；DRAMeXchange表示三星19奈米的產(chǎn)品已順利量產(chǎn)，未來(lái)應(yīng)用在伺服器與云端設(shè)備的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟將是三星未來(lái)發(fā)展重點(diǎn)。

而就Toshiba來(lái)看，DRAMeXchange認(rèn)為Toshiba在Q3期間的NAND Flash營(yíng)收季增9.2%，主要來(lái)自規(guī)則性客戶新機(jī)種上市、帶動(dòng)需求增加所致。事實(shí)上，Tohshiba已將本會(huì)計(jì)年度的記憶體銷售目標(biāo)額從原先5900億日?qǐng)A上修至8000億日?qǐng)A，顯示NAND Flash業(yè)務(wù)持續(xù)成長(zhǎng)。Toshiba正在加速開(kāi)發(fā)次世代19奈米製程，Q4起提升企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟市場(chǎng)占有率也將成為另外一個(gè)營(yíng)運(yùn)目標(biāo)。

另一方面，DRAMeXchange指出，SK Hynix在9月無(wú)錫廠大火之后緊急將部分NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)往DRAM業(yè)務(wù)，導(dǎo)致Q3的位元出貨成長(zhǎng)率僅交出遜于預(yù)期的11%(營(yíng)收季增5.1%)。DRAMeXchange預(yù)估，在NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)往DRAM的效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵下，SK Hynix在Q4的位元出貨將較Q3衰退10-15%左右。

以另一記憶體大廠Micron近期表現(xiàn)而言，DRAMeXchange則指出，Micron在Q3期間的NAND Flash營(yíng)收較上季微幅增加2.8%，尤其受惠于固態(tài)硬碟出貨強(qiáng)勁，單季位元出貨量較上季增加13%，隨著20奈米產(chǎn)品比重提升，Micron單季成本也較前季下跌10%。Micron看好Q4期間的NAND產(chǎn)業(yè)供需平衡，預(yù)期位元出貨量依舊可維持雙位數(shù)的成長(zhǎng)。

而在企業(yè)級(jí)SSD佈局甚為積極的Intel方面，DRAMeXchange則指出Intel Q3的NAND營(yíng)收季增幅度為15%，營(yíng)收成長(zhǎng)率在各大廠當(dāng)中高居第一。DRAMeXchange表示，企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟的需求將隨著云端運(yùn)算的成長(zhǎng)，預(yù)期Q4將持續(xù)暢旺，同時(shí)第四季英特爾20奈米固態(tài)硬碟的產(chǎn)品比重將超過(guò)一半，看好Intel的NAND Flash營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能將得以延續(xù)。