【導(dǎo)讀】日本、臺(tái)灣業(yè)者2011年投資規(guī)模縮減幅度較韓國(guó)大許多。此外，不只投資規(guī)模縮小，在絕對(duì)金額方面，韓國(guó)企業(yè)也超越其它競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者。全球排名第3的日本DRAM業(yè)者爾必達(dá)(Elpida)近來表示2011年將投資400億日?qǐng)A(約4.82億美元)，較2010年投資額1，150億日?qǐng)A(約13.86億美元)縮減約65%。

摘要：  日本、臺(tái)灣業(yè)者2011年投資規(guī)?？s減幅度較韓國(guó)大許多。此外，不只投資規(guī)?？s小，在絕對(duì)金額方面，韓國(guó)企業(yè)也超越其它競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者。全球排名第3的日本DRAM業(yè)者爾必達(dá)(Elpida)近來表示2011年將投資400億日?qǐng)A(約4.82億美元)，較2010年投資額1，150億日?qǐng)A(約13.86億美元)縮減約65%。

關(guān)鍵字：  韓國(guó)半導(dǎo)體，  三星，  海力士，  DRAM，  存儲(chǔ)器，  爾必達(dá)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者2011年投資計(jì)劃非常積極。相對(duì)的，日本及臺(tái)灣企業(yè)投資額則較2010年減少60~70%，投資轉(zhuǎn)為保守。    

三星電子(SamsungElectronics)2011年計(jì)劃投資10.3兆韓元(約91.57億美元)發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)，與2010年的11兆韓元規(guī)模相當(dāng)。該公司2011年總投資額當(dāng)中，對(duì)DRAM等存儲(chǔ)器的投資金額為5.8兆韓元(約51.56億美元)，較2010年的9兆韓元減少約35%，然2010年三星有建設(shè)新產(chǎn)線等特別投資項(xiàng)目，因而三星2011年的投資規(guī)模仍不可小覷。2009年三星的存儲(chǔ)器投資金額約4兆韓元。三星相關(guān)人員表示，2011年雖提高了系統(tǒng)芯片投資比重，但存儲(chǔ)器方面也將會(huì)持續(xù)進(jìn)行大規(guī)模的投資。    

海力士半導(dǎo)體(Hynix)2010年在存儲(chǔ)器事業(yè)方投資了3.8兆韓元(約33.78億美元)，2011年投資規(guī)模也相當(dāng)，約3.4兆韓元(約30.23億美元)，且大部分資金將使用在轉(zhuǎn)換微細(xì)制程方面。    

日本、臺(tái)灣業(yè)者2011年投資規(guī)模縮減幅度較韓國(guó)大許多。此外，不只投資規(guī)模縮小，在絕對(duì)金額方面，韓國(guó)企業(yè)也超越其它競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者。全球排名第3的日本DRAM業(yè)者爾必達(dá)(Elpida)近來表示2011年將投資400億日?qǐng)A(約4.82億美元)，較2010年投資額1，150億日?qǐng)A(約13.86億美元)縮減約65%。    

臺(tái)灣業(yè)者的情況也很相似。臺(tái)灣華亞科技投資額從2010年新臺(tái)幣550億元，2011年縮減了69%至170億元。南亞也從新臺(tái)幣230億元投資額減半至120億元。