Strategy Analytics砷化鎵和化合物半導(dǎo)體技術(shù)(GaAs)服務(wù)發(fā)布最新研究報(bào)告《半絕緣砷化鎵外延襯底市場(chǎng)預(yù)測(cè)：2012-2017》指出，砷化鎵器件市場(chǎng)緩慢增長(zhǎng)以及應(yīng)用在蜂窩手機(jī)中的多頻砷化鎵功率放大器市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)，導(dǎo)致2012年砷化鎵外延襯底產(chǎn)量下滑。報(bào)告估計(jì)2012年市場(chǎng)對(duì)諸如IQE，VPEC，Kopin，威迅聯(lián)合半導(dǎo)體，日立電線，英特磊科技和住友集團(tuán)這些制造商生產(chǎn)的半絕緣砷化鎵外延襯底的整體需求達(dá)近2，900萬平方英寸，比去年同期下滑近5%。報(bào)告預(yù)測(cè)市場(chǎng)對(duì)砷化鎵器件需求放緩意味著對(duì)砷化鎵外延襯底需求的緩慢增長(zhǎng)，到2017年砷化鎵外延襯底產(chǎn)量略超過3，160萬平方英寸。

Strategy Analytics砷化鎵和化合物半導(dǎo)體技術(shù)服務(wù)（GaAs）總監(jiān)Eric Higham評(píng)論到：“2012年砷化鎵外延襯底產(chǎn)量下滑同時(shí)打擊了MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)和MBE(Molecular Beam Epitaxy)的架構(gòu)，但對(duì)兩者的影響是不同的。經(jīng)歷了2011年的急劇增長(zhǎng)后，2012年MOCVD材料產(chǎn)量下跌近7%。我們的研究結(jié)果表明，經(jīng)歷了前兩年的重創(chuàng)后，MBE的產(chǎn)量更加穩(wěn)定，跌幅略低于1%?！?/p>

Strategy Analytics戰(zhàn)略技術(shù)實(shí)踐(STP)總監(jiān)Asif Anwar補(bǔ)充到：“MOCVD產(chǎn)量下滑表明應(yīng)用在手機(jī)中的多頻功率放大器的增長(zhǎng)趨勢(shì)。我們認(rèn)為，MBE能夠用于其它應(yīng)用程序，而MBE產(chǎn)量卻小幅下滑。這表明大部分的手機(jī)開關(guān)向其它技術(shù)的轉(zhuǎn)換已結(jié)束?！?/p>

Strategy Analytics按照直徑，地理位置，外延加工技術(shù)，應(yīng)用和供應(yīng)商五大維度對(duì)半絕緣砷化鎵外延襯底細(xì)分市場(chǎng)進(jìn)行預(yù)測(cè)，同時(shí)探討了這些細(xì)分市場(chǎng)的趨勢(shì)和近期發(fā)展動(dòng)態(tài)。