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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)

時(shí)間：2009-07-28 17:12:48

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[導(dǎo)讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中最低的。

額定電壓12V的SiR494DP在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻分別為1.2mΩ和1.7mΩ。導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積是評(píng)價(jià)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM)，該器件在4.5V電壓下的柵電荷只有85nC。

與對(duì)低傳導(dǎo)損耗和低開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行過(guò)優(yōu)化的最接近的競(jìng)爭(zhēng)器件相比，這些指標(biāo)表明該器件在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別減小了40%和35%，F(xiàn)OM降低了29%。更低的導(dǎo)通電阻和柵電荷意味著更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。

Vishay Siliconix SiR494DP可用于采用低輸入電壓(5V～3.3V)同步降壓轉(zhuǎn)換器、低輸出電壓(5V，3.3V和更低)OR-ing應(yīng)用，以及各種采用5V和3.3V輸入電壓負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)中的低壓側(cè)MOSFET，在這些應(yīng)用中，新器件的低導(dǎo)通損耗和低開(kāi)關(guān)損耗將能夠更有效率地使用能源。

對(duì)于低輸出電壓的應(yīng)用，12V的柵源額定電壓恰好夠用，但迄今為止，設(shè)計(jì)工程師被迫選用20V的器件，尤其是設(shè)計(jì)者同時(shí)需要最低的導(dǎo)通電阻和20V的柵源電壓時(shí)。SiR494DP是具有這些特性的首款MOSFET：VDS=12V，VGS=±20V，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻只有1.2mΩ。

新型功率MOSFET采用PowerPAK® SO-8封裝。這款無(wú)鉛、無(wú)鹵素的器件符合IEC 61249-2-21的要求，符合RoHS Directive 2002/96/EC規(guī)范，并100%通過(guò)了Rg和UIS測(cè)試。

第三代N溝道TrenchFET家族中其他器件的詳細(xì)信息可至http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iii/查詢(xún)。SiR494DP現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。

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