飛思卡爾半導體日前憑借推出專為無線網(wǎng)絡應用的宏基站、中繼站和家庭基站的高性能而設計和優(yōu)化的四款新器件，進入砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC）市場。

這些器件適合低噪放大器和發(fā)射功率放大器 – 它們是無線基礎設備的兩個基本組成部分，對它們來說，極高射頻性能是至關重要的。此外，這些器件還專為低功耗而設計，從而提供優(yōu)化的能效和長期可靠性。

飛思卡爾是用于無線基站的硅片射頻LDMOS功率晶體管方面的全球領導者，它擁有大量有關GaAs的專利，是首批開發(fā)基于GaAs技術器件的公司之一。飛思卡爾不斷發(fā)展的通用放大器（GPAs）系列基于InGaP異質結雙極晶體管（HBTs）和GaAs異質結場效應晶體管（HFETs），該系列包括大量的射頻和微波應用。

飛思卡爾副總裁兼射頻部總經理Gavin P. Woods表示：“飛思卡爾的高性能MMIC器件為需要高性能的應用，如3G和4G蜂窩式基站、中繼站和家庭基站等，提供綜合的射頻有效解決方案。 在質量和可靠性方面，我們開發(fā)出與先進的LDMOS RF技術有相同標準的新款MMIC產品。此外，我們的GaAs MMIC提供軟硬件工具，爭取以最小成本獲取最佳性能。”

MML09211H是增強型模式pHEMT MMIC的低噪放大器，非常適合從865 – 960 MHz頻段的W-CDMA基站到728 - 768 MHz頻段中當前正在實施的高數(shù)據(jù)速率的網(wǎng)絡應用。該器件還提供特別低噪數(shù)0.6 dB，包括電路損耗，并支持從400至1400 MHz的運行。小信號增益在900 MH時為20 dB，P1dB輸出功率為21 dBm，隔離為 -35 dB，以及三階輸出攔截點（IP3）在900 MHz時為32 dBm。

MMA20312B是一個2階InGaP HBT功率放大器，專為無線基站、中繼站和家庭基站的使用而設計。尤其是，對于家庭基站來說，該器件實現(xiàn)了高能效，同時符合線性要求。放大器范圍從1800到2200 MHz，在2140 MHz時提供的P1dB輸出功率為31 dBm，小信號增益為26 dB。

同樣，其他兩個新寬帶MMIC放大器適合用作發(fā)射鏈中的驅動器放大器或者接收鏈中二階低噪放大器。它們展示出具有比典型HBT解決方案更低的電流消耗的出色線性。MMG15241H是一個覆蓋500至2800 MHz的pHEMT器件，噪音數(shù)在2140 MHz時為1.6 dB， P1dB輸出功率為24 dBm，IP3為39 dBm，以及小信號增益為15 dB。MMG20271H低噪放大器覆蓋1500至2400 MHz頻率，噪音數(shù)在2140 MHz時為1.8 dB， P1dB輸出功率為27 dBm，IP3為42 dBm，以及小信號增益為15 dB。

為了與新的MMIC互補，飛思卡爾還為MMG3004NT1、MMG3005NT1和 MMG3006NT1 GPA推出了應用板卡和射頻特征數(shù)據(jù)。板卡和數(shù)據(jù)展示了實際基站發(fā)射器器件系列的MMIC功能。最新的數(shù)據(jù)顯示，這些器件的電流消耗可比產品介紹中最初條件下的消耗減少幾乎50%，幾乎沒有任何線性損失。

新款MMIC是目前正在開發(fā)的很多規(guī)劃的飛思卡爾MMIC器件中的第一批產品，涵蓋熱門的無線頻段和應用。

飛思卡爾的四個新款MMIC器件計劃2010年6月限量打樣，2010年8月進行大量樣品供應。規(guī)劃的產品支持包括參考設計和設計者的其他支持工具。