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ARM公司近日發(fā)布了ARM® PrimeCell® 低功耗 DDR2 (LPDDR2)動態(tài)存儲控制器(PL342),該存儲控制器為LPDDR2存儲系統(tǒng)提供高性能接口,提供比LPDDR存儲系統(tǒng)高兩倍以上的帶寬,并提供比標準DDR2存儲器高得多的功耗效率。

PL342存儲控制器補充了ARM現有的范圍廣泛的存儲控制器和物理IP,它將幫助SoC設計師充分利用LPDDR2,尤其在應用程序方面,例如移動多媒體、網絡和消費者應用等,這些都要求高帶寬低功耗,并且有要求訪問共享存儲器的多重總線控制。LPDDR2存儲器正作為面向下一代移動設備和嵌入式應用的重要解決方案逐漸興起,而ARM也一直是定義LPDDR2標準的JEDEC委員會中的積極參與者。

ARM PL342動態(tài)存儲控制器為AMBA® 3AXI™ 協(xié)議和LPDDR2存儲器提供了一個高度可配置的接口,使得存儲器接口能夠提供突破性的效率,通過仲裁和調度管理命令執(zhí)行,提供服務質量(QoS)支持,并通過將存取器讀取時間最小化實現SoC性能的最大化。另外PL342存儲控制器具有大量的節(jié)能功能,包括在不影響數據流的前提下部分和全部關閉電源和提前給存儲器充電。

PL342存儲控制器的模塊化設計使它能夠通過改造來滿足多種動態(tài)存儲器的使用需求。未來的產品中還會加入對新的存儲器種類的支持,從而為現有的和計劃中的CPU和GPU核提供最佳的解決方案。

PL342存儲控制器是ARM存儲控制器系列新產品中的一個。其他新產品包括:
•    廣受歡迎的PL340 DDR/LPDDR動態(tài)存儲控制器的新版本,提供對LPDDR-NVM的支持
•    PL341 DDR2動態(tài)存儲控制器的新版本,提供對ECC(錯誤更正碼)的支持——這對汽車和網絡應用來說至關重要。

ARM Fabric IP副總裁Keith Clarke表示:“由于對LPDDR2的使用越來越廣泛,設計師需要新的方法來填補外部存儲器和SoC處理器在性能表現方面的差距,從而充分利用先進的低功耗存儲器系統(tǒng)。ARM PL342動態(tài)存儲控制器能夠幫助實現存儲器接口效率的最大化,恢復時間的最小化,確保QoS,同時將功耗最小化。ARM致力于內部互連和外設IP方面的不斷創(chuàng)新,從而為主芯片板(backplane)提供整合的、優(yōu)化的解決方案?!?
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