可處理 100 MHz至 1 GHz 的100W 連續(xù)波功率的單片式微波表面安裝SP2T開關(guān)

21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation)日前 發(fā)布新型大功率單片式微波表面安裝(MMSM)串-并聯(lián)SP2T PIN二極管反射開關(guān)MPS2R10-606。這款器件優(yōu)化用于磁共振成像(MRI)接收陣列 和 應(yīng)答器、軍用、航空航天和航海無線電通信等應(yīng)用中高頻(HF)、極高頻(VHF)和超高頻(UHF) 的大功率收發(fā)組件(T/R)，用于具有挑戰(zhàn)性的射頻(RF)電源、小信號開關(guān)和接收器功率限制功能，充分利用美高森美50年來提供優(yōu)質(zhì)PIN二極管產(chǎn)品的獨特悠久歷史。

美高森美新型MPS2R10-606開關(guān)提供從100MHz至1 GHz的頻率覆蓋范圍，在中等頻帶上具有0.2dB插入損耗、15dB回波損耗和55dB隔離性能，并通過簡單的模擬控制電壓以實現(xiàn)500 納秒(nS)開關(guān)速度，同時處理高達(dá)100 W連續(xù)波(CW)功率。MPS2R10-606采用緊湊的非磁性2.03 mm x 1.27 mm格式供貨，滿足EU指令2002/95/EC的危害性物質(zhì)限制指令( RoHS)標(biāo)準(zhǔn)要求，并完全兼容貼裝和表面安裝技術(shù)(SMT)回流焊制造技術(shù)。

美高森美RF/微波分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門高級總監(jiān)兼部門經(jīng)理Vincent Cannistraro表示：“我們的MRI和通信射頻客戶需要更高的功能集成水平及削減外形尺寸，從而推動市場對于具有更高密度、功能性和性能的PIN二極管開關(guān)的需求。我們的新型PIN二極管開關(guān)技術(shù)采用緊湊型MMSM封裝尺寸，是這個領(lǐng)域中的關(guān)鍵推動力量，并允許實施功率水平比傳統(tǒng)砷化鎵(GaAs)、金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和silicon-on-SOI解決方案顯著提高的設(shè)計。”

而且，MPS2R10-606技術(shù)支持公共安全、航空、船舶和軍用手持和機(jī)架安裝無線電硬件(JTRS)，這對于打擊各種國際和國內(nèi)威脅是至關(guān)重要的。由于美高森美的PIN二極管MMSN開關(guān)無磁性，因此具有實施MRI接收陣列所需要的高密度和高性能。

根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Strategy Analytics最近的調(diào)查，陸上軍用無線電市場將于2024年達(dá)到65億美元，而美高森美MPS2R10-606器件結(jié)合了緊湊尺寸、快速開關(guān)速度和高CW功率處理能力，是這個不斷增長市場的理想選擇。

美高森美：繼續(xù)保持在PIN二極管領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

美高森美繼續(xù)開發(fā)頂尖PIN二極管產(chǎn)品，目前提供全面廣泛的RF和微波砷化鎵(GaAs)及硅PIN二極管產(chǎn)品，范圍包括從能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)40 GHz開關(guān)速度的超低結(jié)電容(Cj)電子束PIN二極管，直至經(jīng)設(shè)計能夠處理60dBm CW功率的大功率PIN二極管。這些PIN二極管產(chǎn)品經(jīng)設(shè)計實現(xiàn)低互調(diào)開關(guān)和衰減，涵蓋各種各樣的應(yīng)用，包括移動和固定通信系統(tǒng)、以至Ka-band頻率雷達(dá)系統(tǒng)、寬帶電子戰(zhàn)(EW)系統(tǒng)、測試儀表、MRI系統(tǒng)、蜂窩基站、軟件定義無線電(SDR)、T/R開關(guān)控制和雙工器。美高森美PIN二極管提供裸片、倒裝晶片、電子束引腳(beam-lead)、帶狀線(stripline)、玻璃軸向、塑料、陶瓷、低磁性、密封、晶圓級和表面安裝選項。

MPS2R10-606的主要特性包括：

· 100W CW 功能處理能力

· 低插入損耗：0.2 dB

· 高隔離性能：55 dB

· 低回波損耗：15 dB

· 高開關(guān)速度：500 nS

· 堅固的玻璃體和穩(wěn)定的低泄漏鈍化

供貨

美高森美MPS2R10-606采用緊湊的高集成度 2.03 mm x 1.27 mm晶圓級格式供貨，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)要求，并提供鍍金端子。