安捷倫科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，在其高線性度E-pHEMT (增強(qiáng)模式偽形態(tài)高電子遷移率晶體管) FETs (場(chǎng)效應(yīng)管) 產(chǎn)品系列中增加兩款采用4.5 mm x 4.1 mm x 1.5 mm行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面封裝的SOT-89新產(chǎn)品。通過(guò)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，安捷倫新推出的ATF-52189和ATF-53189及早先推出的ATF-50189單電壓E-pHEMT FET進(jìn)一步簡(jiǎn)化了將50 MHz - 6 GHz基站升級(jí)到更高通道容量的工作。

    安捷倫科技半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部推出的ATF-52189和ATF-53189是為發(fā)射器的功放器和接收器的低噪聲放大器而設(shè)計(jì)的，可以用于工作頻率在450 MHz - 6 GHz的蜂窩和PCS基站、低地面軌道衛(wèi)星系統(tǒng)、陸上多通道多點(diǎn)分布系統(tǒng)(MMDSs)及其它通信應(yīng)用領(lǐng)域。

    ATF-52189在2 GHz時(shí)，其三階輸出攔截點(diǎn) (OIP3) 為42 dBm，這成就了一個(gè)高效的放大器，能夠處理大量的語(yǔ)音和數(shù)據(jù)通道。在2 GHz時(shí)，其它技術(shù)參數(shù)包括27 dBm的典型線性輸出功率(P1dB)、16 dB的增益和55%的功率加效率(PAE)以及1.5 dB的噪聲系數(shù)等。典型工作偏置在200 mA時(shí)為4.5 V。因此，特別適用于中等功率、高線性度的發(fā)射器驅(qū)動(dòng)器或預(yù)驅(qū)動(dòng)放大器。

    ATF-53189具有更低的噪聲系數(shù) (0.85 dB) ，40 dBm的OIP3, 23 dBm的P1dB, 15.5 dB的增益和46%的PAE。典型工作偏置在135 mA時(shí)為4.0 V。這使其成為了接收器前端階段低噪聲、高線性度放大器的首選，也適用于中等功率、高線性度發(fā)射器驅(qū)動(dòng)器或預(yù)驅(qū)動(dòng)放大器。

    ATF-52189和ATF-53189采用E-pHEMT工藝，具有杰出的性能一致性及300年以上的單點(diǎn)平均故障間隔時(shí)間 (MTTF)。這些器件采用無(wú)引線封裝，額定的潮濕靈敏度等級(jí)為1級(jí)(MSL1)。

    安捷倫一直是業(yè)內(nèi)唯一一家提供單電壓操作的E-pHEMT器件的廠商。由于其單電壓操作、高效率和杰出的RF性能特點(diǎn)，安捷倫E-pHEMT器件成為了取代噪聲系數(shù)更高的單電壓HBT (異質(zhì)結(jié)兩極晶體管)及傳統(tǒng)的雙電壓PHEMT和GaAs HFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)FET)器件的必然選擇。