吉時利儀器公司宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測試模塊，進一步豐富了4200-SCS半導體特征分析系統(tǒng)的可選儀器系列。它在4200-SCS已有的強大測試環(huán)境中集成了超快的電壓波形發(fā)生和電流/電壓測量功能，實現(xiàn)了業(yè)界最寬的電壓、電流和上升/下降/脈沖時間動態(tài)量程，大大提高了系統(tǒng)對新材料、器件和工藝進行特征分析的能力。同樣重要的是，利用4225-PMU可以像進行直流測量那樣，輕松實現(xiàn)超快的I-V源和測量操作。其很寬的可編程源與測量量程、脈寬和上升時間使得它非常適合于既需要超快電壓輸出又需要同步測量的應(yīng)用——從納米CMOS到閃存。

與之前需要多達三種不同測試臺才能對器件、材料或工藝進行充分特征分析的方案不同的是，4225-PMU憑借其很寬的動態(tài)量程，只需一套儀器即可完成對材料、器件和工藝的全方位特征分析。目前，實驗室配置一套靈活的系統(tǒng)就可以處理所有三類測量操作：精密直流I-V測試（4200-SMU）、交流阻抗（4210-CVU C-V儀器）和超快I-V或瞬態(tài)I-V測試（4225-PMU）。

單模塊雙通道集成式源和測量功能

每個4225-PMU模塊提供了兩個通道的集成式源和測量功能，但是僅僅占用九槽機架中的一個插槽。每個機架最多可安裝四個這樣的模塊，實現(xiàn)最高8個超快的源/測量通道。每個通道兼具高速電壓輸出（脈寬范圍從60納秒到直流）和同步電流與電壓測量兩大功能。這種模塊實現(xiàn)了高速電壓脈沖和同步電流與電壓測量功能，采集速率高達200兆次采樣/秒（MS/s），具有14位模-數(shù)轉(zhuǎn)換器（A/D），每個通道采用了兩個A/D（每卡四個A/D）。用戶可以選擇兩種電壓源量程（1兆歐輸入±10伏 ± 40伏），以及四種電流量程（800毫安、200毫安、10毫安、100微安）。

可選的硬件擴展源-測量靈活性

每個4225-PMU模塊可以配置多達兩個可選的4225-RPM遠程放大器/開關(guān)，從而提供了四種額外的低電流量程。它們還有助于減少線電容效應(yīng)，并且支持在4225-PMU、4210-CVU和機架中安裝的其他SMU之間自動切換。另外還有可選的4220-PGU脈沖發(fā)生器，它是僅僅支持電壓源功能的4225-PMU替代品。

支持豐富的材料、器件和工藝特征分析應(yīng)用

4225-PMU和4225-RPM結(jié)合在一起能夠?qū)崿F(xiàn)其它單臺儀器無法實現(xiàn)的多種應(yīng)用所必需的工具功能。其中一些主要應(yīng)用如：

• 通用超快I-V測量。脈沖式I-V測試具有很廣泛的應(yīng)用，它通過使用窄脈沖和/或低占空比脈沖而不是直流信號，能夠防止器件自熱效應(yīng)。

• CMOS器件特征分析。4225-PMU/4225-RPM的高速電壓源和電流測量靈敏度使得它們非常適合于CMOS器件的特征分析，包括高k器件和先進CMOS工藝，如絕緣體上硅（SOI）。

• 非易失性存儲器測試。系統(tǒng)安裝的KTEI軟件提供了用于閃存和相變存儲器（PCM）器件測試的工具包。該系統(tǒng)非常適合于單個存儲單元或小規(guī)模存儲陣列的測試，例如研發(fā)或工藝驗證之類的應(yīng)用。

• 化合物半導體器件與材料的特征分析。4225-PMU能夠?qū)II-V族材料進行特征分析，例如氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和其它一些化合物半導體。它允許用戶設(shè)置一個脈沖偏移電壓，然后從非零值進行測量，從而研究器件的放大增益或線性度。

• NBTI/PBTI可靠性測試?？蛇x的4200-BTI-A超快BTI工具包集成了實現(xiàn)所有已知BTI測試方法所需的全部硬件和軟件，并且具有最快、最靈敏的測量性能。此外，自動特征分析套件（ACS）軟件還支持全自動晶圓級和晶匣級測試，內(nèi)置NBTI/PBTI測試庫，具有簡潔易用的GUI。

四種可編程掃描選項

4225-PMU支持四種掃描類型：線性掃描、脈沖、任意波形和分段ARB®（已申請專利）。分段ARB模式簡化了波形的創(chuàng)建、存儲和生成過程，最高支持由2048個用戶自定義線段組成的波形，具有出色的波形生成靈活性。

高性能纜接

可選的多路測量高性能線纜套件能夠?qū)崿F(xiàn)4200-SCS和探測控制器的連接，簡化在直流I-V、C-V和超快I-V測試配置之間的相互切換過程，無需重新布線，增強了信號保真度。