氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領先解決方案。

過去，PA 設計以大致的起點開始并運用大量的“大師”知識來完成，使用測得的負載牽引數(shù)據(jù)可以提高PA設計的成功率，但不一定能夠獲得所需應用頻率下的負載牽引數(shù)據(jù)。而使用精確的非線性模型可以更快地生成設計數(shù)據(jù)，關注更精確的PA 行為，并獲得更好的結(jié)果。

本文中，我們將為您介紹需要了解的非線性GaN 模型的基礎知識。

什么是非線性GaN模型?

對許多工程師來說，設計PA 的第一步是閱讀晶體管產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊并查看S 參數(shù)。S 參數(shù)文件很有用，但有關器件大信號運行的信息不夠充分。此外，PA 設計工程師可以利用測得的負載牽引數(shù)據(jù)確定最佳負載阻抗目標值，以便在指定頻率下實現(xiàn)最佳功率和效率。

然而，設計人員通過仿真模型使用負載牽引數(shù)據(jù)還可以做得更多。具體來說，通過正確選取的非線性模型，設計人員可以：

·確定最佳負載和源阻抗目標值，以優(yōu)化任何線性或非線性性能目標。而且可以在模型有效頻率范圍內(nèi)的任何頻率下快速完成。

·仿真最大工作限值。

·平衡PA 設計人員面臨的極具挑戰(zhàn)性的線性度、功率、帶寬和效率目標。

·加快設計流程，有助于第一次就獲得正確的設計。

·降低產(chǎn)品開發(fā)成本。

過去幾年來，Modelithics 與Qorvo 密切合作，開發(fā)出廣泛的非線性模型庫，現(xiàn)涵蓋70 多款裸片和封裝形式的Qorvo GaN 晶體管。這些模型有助于PA 設計人員準確預測設計中集成的晶體管性能。Modelithics 的仿真模型與最新的電子設計自動化(EDA) 仿真工具無縫集成，包括National Instruments 的NI AWR 設計環(huán)境 和Keysight Technologies 的高級設計系統(tǒng)(ADS)。

下圖顯示如何使用仿真模型創(chuàng)建PA 設計。Qorvo 和Modelithics 使用精選模型來生成PA 參考設計，然后，我們制造、測試和記錄這些設計，以說明模型準確性和對設計應用的實用性，以及PA 電路級的各個GaN 器件功能。

Modelithics 的非線性GaN 模型都具有設計功能，包括可變偏置、溫標、自熱效應、固有電流-電壓(I-V) 感應和焊線設置(若適用)。

捕獲I-V曲線

在最基本的層面上，非線性GaN 模型必須捕獲晶體管在不同工作電平下的電流-電壓特性曲線，即I-V 曲線。晶體管的I-V 特性決定了器件的基本功耗、效率和其他主要性能驅(qū)動因素。

從本質(zhì)上來說，I-V 曲線是漏極-源極電流(I) 與漏極-源極電壓(V) 之間的關系圖，用不同的柵極-源極電壓參數(shù)來表示，高端電壓限值由擊穿電壓設定，電流限值由最大電流設定。通用I-V 曲線參見下圖。

進行PA 設計時，正確選取的模型必須要捕獲這些I-V 曲線的邊界，以及在小信號和大信號運行條件下正確表示直流和動態(tài)射頻行為所需的許多其他特性。

模型中有什么?

一個模型預測PA 晶體管非線性行為的能力主要基于幾個方面：

·電壓依賴性電流源(Ids) 的表示

·電壓依賴性電容(主要是柵極-源極Cgd 和漏極-源極Cgs)

·電壓依賴性二極管模型，與擊穿電壓的預測相關

·寄生電感、電容和電阻，代表器件的總體頻率依賴性行為

Modelithics Qorvo GaN 庫中均為基于Chalmers-Angelov 模型的定制模型。下圖顯示了基本模型的拓撲，它與小信號模型一樣，包含在頻率范圍內(nèi)擬合S 參數(shù)數(shù)據(jù)所需的所有元件。該建?？蚣芤部捎脕頂M合低噪聲、高功率應用的噪聲參數(shù)。

上圖還顯示了Modelithics Qorvo GaN 模型中常見的幾個典型符號：

·溫度：器件運行的環(huán)境溫度。

·BWremoval：焊線去嵌入開關。

·自熱參數(shù)：通過該參數(shù)，模型能夠估計脈沖信號與連續(xù)波(CW) 信號輸入等引起的自熱變化。該參數(shù)設置為脈沖信號的占空比。

·VDSQ：有些模型具有VdsQ 輸入，可用來調(diào)節(jié)預期工作電壓(例如，在12 V 至28 V 范圍內(nèi))，這可看作是一個可擴展模型最佳切入點。

您還可以在模型的信息數(shù)據(jù)手冊中查看各個Modelithics 模型的功能，可雙擊仿真器中的模型，然后單擊幫助(ADS) 或供應商幫助(AWR) 按鈕獲得。

GaN設計中散熱的重要性

GaN 成為最熱門的PA 晶體管技術(shù)之一源于三個主要屬性：

1、高擊穿電場(與高擊穿電壓有關)

2、高飽和速度(與較高的最大電流Imax 有關)

3、出色的熱屬性

但是，實現(xiàn)更高功率也帶來一個后果：

·更高功率意味著更高的直流功率。

·任何未轉(zhuǎn)換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散(除非晶體管的效率為100%)。

·因此，GaN 晶體管變得非常熱，熱管理成為重要的設計考慮因素。幸運的是，碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC) 能夠更好地處理熱量，其熱導率高達5 W-cm-1K-1(與硅的1 W-cm-1K-1相比)。

但對于PA 電路級，這意味著設計人員必須在考慮所有其他設計挑戰(zhàn)的同時考慮散熱問題，而GaN 模型可以提供幫助。從建模角度來看，所有Modelithics Qorvo GaN 模型都內(nèi)置環(huán)境溫度和自熱效應。某些模型還具有通道溫度感應節(jié)點，允許設計人員在射頻設計階段監(jiān)測預估的通道溫度。