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  • 臺(tái)積電投資5千億在3nm，5nm制程，或?qū)⒂?022年量產(chǎn)

     近日，臺(tái)積電新聞發(fā)言人表示，新生產(chǎn)設(shè)施的投資額超過(guò)5000億元新臺(tái)幣(157億美元)，新工廠將能生產(chǎn)全世界最先進(jìn)的芯片。 發(fā)言人表示，臺(tái)積電已經(jīng)向行政機(jī)構(gòu)提出土地等申請(qǐng)，新的生產(chǎn)設(shè)施將建設(shè)5納米和3納米芯片生產(chǎn)線。 5納米和3納米指的是半導(dǎo)體的線寬，線寬越小，同樣面積芯片整合的晶體管數(shù)量更多，能耗更低，性能更加強(qiáng)大。幾乎所有的半導(dǎo)體制造廠，都在爭(zhēng)先恐后朝著更小的線寬邁進(jìn)。 臺(tái)積電占據(jù)了全球半導(dǎo)體代工市場(chǎng)的半壁江山，是蘋(píng)果應(yīng)用處理器的主力代工廠。在今年銷(xiāo)售的蘋(píng)果新手機(jī)中，搭載了臺(tái)積電使用16納米工藝生產(chǎn)的A系列處理器，而在明年，臺(tái)積電將會(huì)遷移到10納米的新工藝。 這一消息也獲得了臺(tái)灣行政機(jī)構(gòu)相關(guān)官員的證實(shí)。一位官員表示，目前正在評(píng)估在南部高雄科技園建設(shè)臺(tái)積電新工廠的可行性。 這位官員進(jìn)一步透露，2017年，臺(tái)積電將會(huì)開(kāi)始建設(shè)5納米生產(chǎn)線，計(jì)劃在2020年投入量產(chǎn)，而更先進(jìn)的3納米生產(chǎn)線則計(jì)劃在2020年開(kāi)始建設(shè)，2022年開(kāi)始量產(chǎn)芯片。 據(jù)稱(chēng)，臺(tái)積電的內(nèi)部計(jì)劃是在2022年將半導(dǎo)體制造全部轉(zhuǎn)移到5納米和3納米工藝上。 這位官員表示，臺(tái)灣行政機(jī)構(gòu)將會(huì)幫助臺(tái)積電完成新項(xiàng)目的投資和建設(shè)。 臺(tái)積電高管之前曾經(jīng)披露，目前已經(jīng)抽調(diào)了300到400名工程師，正在研發(fā)3納米工藝。 臺(tái)積電發(fā)言人對(duì)媒體并未透露項(xiàng)目更多信息，但此人表示，新的生產(chǎn)設(shè)施大概需要50到80公頃的土地(1公頃接近于一個(gè)足球場(chǎng)大小)。 在半導(dǎo)體制造方面，臺(tái)積電面臨強(qiáng)勢(shì)對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)，其中包括韓國(guó)三星電子和美國(guó)英特爾。行業(yè)分析人士指出，隨著自動(dòng)駕駛、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等技術(shù)的興起，行業(yè)將會(huì)需要越來(lái)越強(qiáng)大的芯片，因此臺(tái)積電也需要在制造工藝上做好準(zhǔn)備。 臺(tái)積電自身并不設(shè)計(jì)最終芯片，而是幫助外部設(shè)計(jì)公司進(jìn)行制造，目前臺(tái)積電在全世界擁有470家大小客戶(hù)，最大的客戶(hù)是蘋(píng)果和高通公司，各自給臺(tái)積電提供了16%的收入。臺(tái)積電的其他芯片客戶(hù)還包括英偉達(dá)、華為旗下的海思公司，以及臺(tái)灣手機(jī)芯片巨頭聯(lián)發(fā)科。 據(jù)報(bào)道，在10納米工藝方面，臺(tái)積電已經(jīng)做好了量產(chǎn)的準(zhǔn)備，其將為海思代工麒麟處理器，明年的蘋(píng)果手機(jī)將會(huì)采用基于10納米工藝的A11處理器，臺(tái)積電也將會(huì)在明年年中開(kāi)足馬力為蘋(píng)果生產(chǎn)芯片。

    半導(dǎo)體 3nm 5nm 芯片

  • 艾邁斯半導(dǎo)體推出全球首款具有突破性晶圓級(jí)濾波技術(shù)的數(shù)字多通道光譜傳感器芯片

    領(lǐng)先的高性能傳感器解決方案和模擬IC供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體公司今天宣布推出全球首款高性?xún)r(jià)比的多通道光譜片上傳感器解決方案，為消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)新一代光譜分析儀開(kāi)辟了道路。 采用4.5 x 4.4mm小型陣列封裝，超低功率AS7262可見(jiàn)光傳感器和AS7263近紅外傳感器均提供六個(gè)經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的光譜通道。極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，使這款新的多通道光譜傳感器為消費(fèi)產(chǎn)品及現(xiàn)實(shí)領(lǐng)域各種應(yīng)用的測(cè)試和使用打開(kāi)了一扇門(mén)。其主要解決包括材料和產(chǎn)品認(rèn)證、產(chǎn)品質(zhì)量和完整性以及近紅外光譜(NIR)和可見(jiàn)光譜方面的材料內(nèi)容分析。 艾邁斯半導(dǎo)體新興傳感器系統(tǒng)市場(chǎng)總監(jiān)Jean Francois Durix表示：“將傳感器越來(lái)越多地集成到智能手機(jī)和平板電腦已經(jīng)形成了新的移動(dòng)應(yīng)用浪潮，AS7262 和AS7263的推出使芯片級(jí)光譜分析得到廣泛應(yīng)用，為工業(yè)及消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域的光譜傳感創(chuàng)新帶來(lái)革命性的發(fā)展。新的光譜傳感解決方案大大降低了光譜分析的成本及方案尺寸，廣泛適用于食品安全、產(chǎn)品認(rèn)證、常規(guī)測(cè)試等應(yīng)用，幫助更好地保護(hù)人們的身體健康和生活環(huán)境。” 多光譜傳感器采用新的制造技術(shù)，使納米光干涉濾波器極其精確地直接附著在CMOS硅晶圓上。該傳感器使用的干涉濾波器技術(shù)具有極高的精確性和穩(wěn)定性，不受使用時(shí)間及溫度的影響，比如今常用于各類(lèi)光譜分析儀器的組件尺寸更小、更具性?xún)r(jià)比。 集成智能的AS7262六通道可見(jiàn)光傳感器通過(guò)I2C 或UART接口可提供經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的數(shù)字輸出。它能量測(cè)可見(jiàn)光范圍內(nèi)六個(gè)不同波長(zhǎng)的光強(qiáng)度：450nm、500nm、550nm、570nm、600nm和650nm。AS7263可檢測(cè)近紅外光譜610nm、680nm、730nm、760nm、810nm和860nm的紅外特性。兩款產(chǎn)品都包含一個(gè)帶有LED驅(qū)動(dòng)電路的電子快門(mén)，這意味著設(shè)備設(shè)計(jì)師可以通過(guò)單芯片準(zhǔn)確地控制光源和光譜檢測(cè)功能。 新的多光譜傳感器具有小尺寸、低功耗的特點(diǎn)，測(cè)量設(shè)備OEM廠商可憑借這些特點(diǎn)輕松實(shí)現(xiàn)新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。例如，笨重的實(shí)驗(yàn)室級(jí)分析設(shè)備現(xiàn)在可以被便捷的手持設(shè)備取代。在工廠，如今生產(chǎn)的樣品不得不從生產(chǎn)線送往實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行化學(xué)分析，未來(lái)的質(zhì)量檢測(cè)將可以通過(guò)基于多光譜傳感器的全新小巧、穩(wěn)健的光譜分析儀在生產(chǎn)線上完成。

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  • 再下一城！貿(mào)澤電子恭賀董荷斌亞洲勒芒系列賽再獲一冠

    貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)祝賀其贊助的華人第一賽車(chē)手董荷斌在2016-2017賽季亞洲勒芒系列賽第三回合的泰國(guó)武里南(Buriram, Thailand)站再次奪得LMP2組冠軍。三站結(jié)束董荷斌和其車(chē)隊(duì)以69積分的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)分列車(chē)手榜和車(chē)隊(duì)榜榜首，基本鎖定賽季冠軍。 董荷斌在排位賽便展現(xiàn)出了良好狀態(tài)，以最快成績(jī)拔得頭籌，本賽季首次獲得桿位。4小時(shí)的正賽，董荷斌率先出場(chǎng)，他駕駛的35號(hào)賽車(chē)一開(kāi)始就把握主動(dòng)，順利拉開(kāi)和第二名的差距，盡管之后全場(chǎng)黃旗使得優(yōu)勢(shì)消失，但比賽恢復(fù)正常后再次獲得領(lǐng)先，最終以領(lǐng)先第二名1份23秒的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)獲得冠軍。 董荷斌說(shuō)到：“順暢的起步讓我在前6圈便取得了絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，但是安全車(chē)出動(dòng)讓這些領(lǐng)先化為烏有，我們不得不臨時(shí)改變策略。我們的賽車(chē)的穩(wěn)定性保證了我和隊(duì)友在操控時(shí)的精確性。感謝我的隊(duì)友也感謝我的贊助商貿(mào)澤電子給予我的支持，馬來(lái)西亞的收官之戰(zhàn)，我們也將繼續(xù)把貿(mào)澤對(duì)速度的堅(jiān)持傳達(dá)給世界。” 貿(mào)澤電子亞太區(qū)市場(chǎng)及業(yè)務(wù)拓展副總裁田吉平表示：“賽車(chē)場(chǎng)往往是新產(chǎn)品、技術(shù)的試驗(yàn)田，而成績(jī)則是賽車(chē)手與賽車(chē)相結(jié)合的結(jié)果，在賽車(chē)狀況良好的情況下，董荷斌可以將他的實(shí)力完全展現(xiàn)出來(lái)。這需要賽車(chē)內(nèi)部先進(jìn)、精密的元器件的有效協(xié)作。” “從支持董荷斌個(gè)人到電動(dòng)方程式大賽中的Dragon Racing再到同濟(jì)大學(xué)DIAN Racing車(chē)隊(duì)和翼馳車(chē)隊(duì)，貿(mào)澤對(duì)于速度的追求顯而易見(jiàn)。” 田副總裁補(bǔ)充道：“我們承諾以最快的速度為廣大設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)提供廣泛的最新元器件和技術(shù)。賽車(chē)除了帶給我們速度與激情，更重要的是我們從車(chē)隊(duì)、董荷斌以及學(xué)生車(chē)隊(duì)身上看到了拼搏、堅(jiān)持到底的精神，如同廣大創(chuàng)客、設(shè)計(jì)工程師們?cè)谑『统晒χ信槭澜鐜?lái)最具想象力的產(chǎn)品，貿(mào)澤敬重這樣的精神，也將為推廣這種精神不遺余力。最后希望董荷斌在馬來(lái)西亞順利收官，為本賽季畫(huà)上圓滿(mǎn)的句號(hào)。”

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  • 臺(tái)積電：在美國(guó)生產(chǎn)芯片客戶(hù)利益會(huì)受損

     據(jù)網(wǎng)站報(bào)道，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀周四表示，他不排除在美國(guó)建新芯片工廠的可能性，但在美國(guó)生產(chǎn)芯片，包括蘋(píng)果、高通和英偉達(dá)在內(nèi)的美國(guó)客戶(hù)利益會(huì)受損。張忠謀向投資者和媒體表示，“我不排除在美國(guó)建芯片工廠的可能性，但我認(rèn)為，我們及客戶(hù)將不得不為此做出重大犧牲。”他指出，雖然美國(guó)候任總統(tǒng)特朗普聲稱(chēng)要使工作崗位回流美國(guó)，他并未感受到來(lái)自客戶(hù)的在美國(guó)生產(chǎn)芯片的壓力。 去年11月初勝選后，特朗普要求蘋(píng)果在美國(guó)生產(chǎn)iPhone，稱(chēng)將向在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)產(chǎn)品的美國(guó)公司提供稅收優(yōu)惠。 蘋(píng)果是臺(tái)積電第一大客戶(hù)，臺(tái)積電獨(dú)家為蘋(píng)果iPhone 7和7 Plus生產(chǎn)處理器芯片。臺(tái)積電客戶(hù)還包括高通、英特爾、英偉達(dá)、Marvell等全球470家公司，美國(guó)客戶(hù)占到臺(tái)積電2016年創(chuàng)記錄的2082.5億元人民幣營(yíng)收的66%。 張忠謀稱(chēng)，臺(tái)積電芯片代工市場(chǎng)份額達(dá)到55%的原因，不是因?yàn)閯趧?dòng)力成本低，而是因?yàn)樵谥袊?guó)臺(tái)灣地區(qū)建立了半導(dǎo)體供應(yīng)商生態(tài)鏈。臺(tái)積電的基礎(chǔ)設(shè)施，使得公司數(shù)千名工程師能在很短時(shí)間內(nèi)從一家制造工廠趕到另外一家制造工廠。這一便利條件使得臺(tái)積電能提高生產(chǎn)效率，快速解決問(wèn)題，以保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 張忠謀說(shuō)，“如果我們失去這一優(yōu)勢(shì)，客戶(hù)利益也將因此受損”，臺(tái)積電不時(shí)會(huì)考慮在美國(guó)建廠，但沒(méi)有發(fā)現(xiàn)這么做的好處。 臺(tái)積電在美國(guó)只有一家小型制造廠WaferTech，雇傭有約1500名員工。臺(tái)積電在臺(tái)灣地區(qū)雇傭有逾4萬(wàn)名員工。

    半導(dǎo)體 臺(tái)積電

  • 傳海思將于三月在臺(tái)積電擴(kuò)大投片

     臺(tái)股“雙王”──市值王臺(tái)積電及股王大立光12日同步舉行法說(shuō)會(huì)，由于兩家均為蘋(píng)果供應(yīng)鏈重要成員，兩家釋出的展望，攸關(guān)臺(tái)股后市表現(xiàn)，市場(chǎng)除聚焦臺(tái)積電對(duì)今年半導(dǎo)體景氣展望，法人也關(guān)切大立光首季iPhone 7訂單、新廠進(jìn)度及雙鏡頭最新發(fā)展。 由于正值年度開(kāi)始，法人也聚焦臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀是否會(huì)親自出席，對(duì)外說(shuō)明近期引起全球關(guān)注的臺(tái)積電5納米和3納米的重要投資計(jì)劃。盡管稍早市場(chǎng)預(yù)期首季蘋(píng)果將下修供應(yīng)鏈訂單，讓為蘋(píng)果代工A10處理器的臺(tái)積電，股價(jià)也同步修正。 不過(guò)，從臺(tái)積電供應(yīng)鏈得知訊息，臺(tái)積電另外非蘋(píng)大客戶(hù)，包括聯(lián)發(fā)科、輝達(dá)等下單動(dòng)能都還不錯(cuò)，中國(guó)大陸最大的手機(jī)和網(wǎng)通晶片廠海思，將于3月擴(kuò)大在臺(tái)積電投片，預(yù)料可抵銷(xiāo)蘋(píng)果相關(guān)芯片調(diào)整的壓力。 尤其聯(lián)發(fā)科率先采用臺(tái)積電10納米制程，也于本季正式產(chǎn)出，緊接著還有賽靈思、海思等芯片廠也導(dǎo)入10納米，第2季為蘋(píng)果代工A11處理器進(jìn)入量產(chǎn)，都為臺(tái)積電營(yíng)收注入新動(dòng)能。 配合臺(tái)積電28/16納米在車(chē)用半導(dǎo)體客戶(hù)也同步升溫，加上未來(lái)在高速運(yùn)算芯片客戶(hù)預(yù)料相當(dāng)大產(chǎn)能，法人預(yù)估，臺(tái)積電第1季預(yù)估季減幅度會(huì)優(yōu)于歷年同期，第2季起業(yè)績(jī)會(huì)快速躍增，今年?duì)I收和獲利再創(chuàng)新高可期。 雖然大立光本季進(jìn)入淡季，不過(guò)，在雙鏡頭需求激勵(lì)下，外界看好，大立光本季營(yíng)收仍有年增四成的水準(zhǔn)，將是“最旺的淡季”。

    半導(dǎo)體 臺(tái)積電 海思

  • NXP:擁抱2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

    近年來(lái)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展速度趨緩，唯獨(dú)大中華區(qū)市場(chǎng)仍保持快速成長(zhǎng)，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不容忽視的新興力量。在即將過(guò)去的2016年里，我們看到汽車(chē)電子市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)成長(zhǎng)，穿戴式產(chǎn)品與應(yīng)用日益豐富和完善，物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)展，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展打開(kāi)了一扇扇新大門(mén)。另一方面，在新的經(jīng)濟(jì)常態(tài)和產(chǎn)業(yè)格局之下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也面臨諸多新變化和機(jī)遇，值得半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一同思考和期待。 跨界合作與雙贏將成為產(chǎn)業(yè)大勢(shì)所趨 隨著經(jīng)濟(jì)全球化發(fā)展，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)開(kāi)始瞄準(zhǔn)高階領(lǐng)域的發(fā)展機(jī)會(huì)。然而當(dāng)前各國(guó)先進(jìn)資源有限，前期投入需求龐大且變化加劇，單一企業(yè)或產(chǎn)業(yè)難以憑藉自身力量完成重大創(chuàng)新專(zhuān)案。這時(shí)，我們就需要把國(guó)際資源與國(guó)內(nèi)資源更有效地加以整合，經(jīng)由跨界合作，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，進(jìn)而提升整個(gè)產(chǎn)業(yè)水準(zhǔn)。在這一方面，恩智浦深有體悟，過(guò)去幾年里已經(jīng)與中芯國(guó)際、小米、海爾、華為等中國(guó)領(lǐng)先企業(yè)展開(kāi)不同層面的深入合作，實(shí)現(xiàn)了融合創(chuàng)新和共生雙贏。 利用全球市場(chǎng)資源，以更高出發(fā)點(diǎn)推動(dòng)自主創(chuàng)新將成為大中華區(qū)電子科技產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)供給面改革的有效途徑。跨界合作，要求半導(dǎo)體企業(yè)能夠勇敢的跨出國(guó)際，透過(guò)跨國(guó)界、分散式、模組化的研究平臺(tái)整合，讓當(dāng)?shù)貞?yīng)用結(jié)合全球的高階資源，從而更有效地服務(wù)本地市場(chǎng)，這將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下一步發(fā)展的重要主題之一。 汽車(chē)電子市場(chǎng)不斷升級(jí)、前景廣闊 物聯(lián)網(wǎng)在大中華區(qū)的發(fā)展如火如荼，而智慧汽車(chē)作為移動(dòng)的物聯(lián)網(wǎng)載體，被認(rèn)為是下一輪變革的主要驅(qū)動(dòng)力。目前90%的汽車(chē)創(chuàng)新來(lái)自于電子產(chǎn)品，2017年的汽車(chē)市場(chǎng)預(yù)計(jì)將呈現(xiàn)無(wú)縫接軌的消費(fèi)電子裝置體驗(yàn)、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、提升效率(如減輕汽車(chē)材料或加速研發(fā)新能源車(chē))三個(gè)趨勢(shì)。在引導(dǎo)汽車(chē)電子創(chuàng)新的方向上，恩智浦在車(chē)載娛樂(lè)系統(tǒng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)、ADAS與安全、安全防護(hù)和汽車(chē)門(mén)禁以及標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品方面均有布局。 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Transparency Market Research預(yù)估，至2019年全球連網(wǎng)汽車(chē)與智慧運(yùn)輸產(chǎn)值可望突破1,319億美元，龐大的發(fā)展機(jī)會(huì)吸引各國(guó)積極卡位。就中國(guó)市場(chǎng)而言，隨著智慧連網(wǎng)汽車(chē)被列入《中國(guó)制造2025》發(fā)展規(guī)劃，車(chē)聯(lián)網(wǎng)與自動(dòng)駕駛被視為中國(guó)未來(lái)汽車(chē)發(fā)展的重要趨勢(shì)。由德國(guó)大陸集團(tuán)(Continental AG)公布的一份研究結(jié)果顯示，中國(guó)消費(fèi)者比美國(guó)消費(fèi)者更愿意投資在ADAS功能上，顯示了中國(guó)市場(chǎng)的巨大潛力。另外，根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)易觀智庫(kù)、智研諮詢(xún)預(yù)計(jì)，2020年中國(guó)車(chē)聯(lián)網(wǎng)用戶(hù)數(shù)將超過(guò)4,000萬(wàn)，普及率超過(guò)20%，市場(chǎng)規(guī)模突破4,000億元。臺(tái)灣資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)也預(yù)估到2020年，將有2億臺(tái)連網(wǎng)車(chē)輛會(huì)在道路上行駛，車(chē)聯(lián)網(wǎng)商機(jī)無(wú)限，臺(tái)灣政府也大力支持國(guó)內(nèi)外廠商策略結(jié)盟共創(chuàng)商機(jī)。 自動(dòng)駕駛變革是循序漸進(jìn)的過(guò)程，我們預(yù)計(jì)未來(lái)十年自動(dòng)駕駛輔助系統(tǒng)將是汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的新指標(biāo)，2017年，汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)企業(yè)也會(huì)增加此方面的研發(fā)與投入。作為全球最大的汽車(chē)半導(dǎo)體供應(yīng)商，恩智浦的低功耗互連技術(shù)、感測(cè)技術(shù)、資料處理和安全辨識(shí)技術(shù)以及豐富又長(zhǎng)久的汽車(chē)電子技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，毫無(wú)疑問(wèn)會(huì)為新一代大中華區(qū)汽車(chē)及未來(lái)智慧城市的創(chuàng)新提供無(wú)限可能。 安全是發(fā)展車(chē)聯(lián)網(wǎng)時(shí)一個(gè)至關(guān)重要的因素，尤其體現(xiàn)在隱私保護(hù)、避免未授權(quán)的侵入和提高安全性等方面。為此，恩智浦提出了汽車(chē)領(lǐng)域的安全級(jí)別標(biāo)準(zhǔn)“4+1安全架構(gòu)”，分別從安全介面、安全閘道、安全網(wǎng)路、安全處理和安全車(chē)禁五個(gè)方面提供一系列的保護(hù)措施，實(shí)現(xiàn)安全的無(wú)線連接、安全的應(yīng)用處理以及安全網(wǎng)路，真正保障萬(wàn)物互連時(shí)代的汽車(chē)互連安全。近期，恩智浦?jǐn)y手長(zhǎng)安汽車(chē)、東軟集團(tuán)共同成立“中國(guó)汽車(chē)資訊安全共同興趣小組”，以“4+1安全架構(gòu)”為技術(shù)核心，旨在打造包括產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)的完整汽車(chē)安全解決方案，也順應(yīng)了中國(guó)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)技術(shù)與安全標(biāo)準(zhǔn)的升級(jí)需求。 預(yù)計(jì)在未來(lái)十年，汽車(chē)市場(chǎng)的變革將超過(guò)過(guò)去五十年發(fā)展的總和，而大中華區(qū)的企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始在這場(chǎng)新的全球變革中扮演引領(lǐng)者的角色。隨著傳統(tǒng)車(chē)廠、連網(wǎng)汽車(chē)公司、汽車(chē)電子供應(yīng)商、物聯(lián)網(wǎng)公司甚至相關(guān)金融服務(wù)機(jī)構(gòu)的共同參與和推動(dòng)，我們相信汽車(chē)領(lǐng)域也將是未來(lái)出現(xiàn)更多顛覆性創(chuàng)新的市場(chǎng)。作為大中華區(qū)市場(chǎng)主要的汽車(chē)電子供應(yīng)商，我們有幸能夠見(jiàn)證并參與這場(chǎng)變革，并期待為世界帶來(lái)更多驚喜。

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  • 全球半導(dǎo)體公司為跟上深度學(xué)習(xí)的發(fā)展求新求變

     市場(chǎng)需求放緩和業(yè)績(jī)提升難的壓力正促使全球半導(dǎo)體行業(yè)再度掀起創(chuàng)新風(fēng)潮，該行業(yè)的公司都在努力研發(fā)新的芯片設(shè)計(jì)、材料和制造工藝，其中一個(gè)原因是深度學(xué)習(xí)這一人工智能技術(shù)正越來(lái)越廣泛地被應(yīng)用于圖片分類(lèi)、語(yǔ)音翻譯和自動(dòng)駕駛等任務(wù)。 然而，行業(yè)高管表示，這些壓力正促使半導(dǎo)體行業(yè)再度掀起創(chuàng)新風(fēng)潮，并不斷催生出有志于利用當(dāng)前困境的初創(chuàng)公司。 在規(guī)模達(dá)3,350億美元的全球半導(dǎo)體行業(yè)中，大大小小的公司都在努力研發(fā)新的芯片設(shè)計(jì)、材料和制造工藝。其中一個(gè)原因是，名為深度學(xué)習(xí)的人工智能技術(shù)正越來(lái)越廣泛地被應(yīng)用于圖片分類(lèi)、語(yǔ)音翻譯和自動(dòng)駕駛等任務(wù)，這些任務(wù)獲益于新的計(jì)算機(jī)技術(shù)。 其中一些新的開(kāi)發(fā)努力直接以顛覆英特爾(Intel Co., INTC)等地位穩(wěn)固的老牌公司為目標(biāo)，英特爾已通過(guò)調(diào)整其某些久經(jīng)檢驗(yàn)的戰(zhàn)略作出回應(yīng)。 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司(International Business Machines, 簡(jiǎn)稱(chēng)IBM)首席科學(xué)家Dharmendra Modha稱(chēng)，這既是最好的時(shí)代也是最壞的時(shí)代。他目前正帶領(lǐng)一個(gè)不尋常的項(xiàng)目，開(kāi)發(fā)模擬人腦的芯片。 目前半導(dǎo)體公司在深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)尤其積極。該技術(shù)涉及通過(guò)讓系統(tǒng)接觸海量數(shù)據(jù)來(lái)訓(xùn)練系統(tǒng)，這不同于用明確指令給系統(tǒng)編程，后者不僅耗時(shí)長(zhǎng)，結(jié)果也往往不那么可靠。使用深度學(xué)習(xí)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)公司尤其感興趣的是，如何促進(jìn)能更快得出結(jié)果的硬件的創(chuàng)新。 深度學(xué)習(xí)系統(tǒng)通常同時(shí)使用英特爾處理器和英偉達(dá)(Nvidia Corp., NVDA)或Advanced Micro Devices Inc. (AMD)的芯片，后兩家公司的芯片最初是為呈現(xiàn)視頻游戲畫(huà)面而設(shè)計(jì)的。這些芯片包含成百上千能夠同時(shí)進(jìn)行運(yùn)算的簡(jiǎn)單處理器，而英特爾高端芯片包含的是數(shù)十個(gè)復(fù)雜的計(jì)算核。 一些公司甚至認(rèn)為，有必要研發(fā)更專(zhuān)業(yè)化的硬件。Alphabet Inc. (GOOG)旗下谷歌(Google)近期邁出了不尋常的一步，自己從零開(kāi)始設(shè)計(jì)芯片，以滿(mǎn)足某些深度學(xué)習(xí)任務(wù)的需要。IBM于2014年推出了專(zhuān)為深度學(xué)習(xí)研發(fā)的TrueNorth芯片，該芯片包含100萬(wàn)個(gè)模擬腦神經(jīng)分布的結(jié)構(gòu)。Modha稱(chēng)，該芯片在深度學(xué)習(xí)應(yīng)用方面已經(jīng)顯出令人驚訝的快速進(jìn)展，預(yù)計(jì)將按計(jì)劃在2019年之前創(chuàng)造一項(xiàng)頗具規(guī)模的業(yè)務(wù)。 風(fēng)險(xiǎn)投資家同樣注意到了這一點(diǎn)。芯片行業(yè)的技術(shù)挑戰(zhàn)和激烈競(jìng)爭(zhēng)導(dǎo)致大多數(shù)風(fēng)險(xiǎn)投資家將錢(qián)花在別處。但一些企業(yè)家和投資者看到了為網(wǎng)絡(luò)等市場(chǎng)開(kāi)發(fā)芯片的新機(jī)會(huì)，此類(lèi)市場(chǎng)的消費(fèi)者或許想要使其來(lái)源多元化，而不是僅僅依賴(lài)一或兩個(gè)主要供應(yīng)商。 初創(chuàng)公司Cerebras Systems的創(chuàng)始人Andrew Feldman稱(chēng)，該公司發(fā)現(xiàn)其籌集風(fēng)投資金的過(guò)程出奇得容易，在八天之內(nèi)就籌集到了資金。但他沒(méi)有透露籌資額度。該公司擁有25名員工，計(jì)劃設(shè)計(jì)以深度學(xué)習(xí)為目標(biāo)的處理器。 其他設(shè)計(jì)深度學(xué)習(xí)芯片的初創(chuàng)公司包括KnuEdge Inc、Graphcore Ltd、Cornami和Wave Computing。Wave稱(chēng)，該公司正在研發(fā)的一套搭載專(zhuān)業(yè)處理器的系統(tǒng)可在6.75秒內(nèi)完成一項(xiàng)典型的文本分析工作，而同時(shí)搭載英特爾Xeon處理器和英偉達(dá)處理器的系統(tǒng)完成同樣的工作則耗時(shí)69分鐘。 2015年年末，英特爾斥資167億美元收購(gòu)了Altera Corp. (ALTR)，從而可向微軟(Microsoft Co.MSFT)等公司出售FPGA芯片。英特爾在2016年收購(gòu)了人工智能初創(chuàng)公司Nervana Systems，并計(jì)劃將后者的深度學(xué)習(xí)技術(shù)納入自己的處理器。

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  • 未來(lái)4年26座半導(dǎo)體晶圓廠將設(shè)在中國(guó)

     新年伊始，回顧2016年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，“投資”無(wú)疑是出現(xiàn)頻率最高的熱詞。在“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”的助力下，2016年國(guó)內(nèi)投資活動(dòng)頻頻：長(zhǎng)江存儲(chǔ)投資建設(shè)12英寸存儲(chǔ)器基地;中芯國(guó)際投資近千億元在上海新建12英寸Foundry廠;華力微啟動(dòng)二期12英寸高工藝等級(jí)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目…… SEMI估計(jì)，全球?qū)⒂?017年～2020年間投產(chǎn)62座半導(dǎo)體晶圓廠，其中26座設(shè)于中國(guó)大陸，占全球總數(shù)的42%。集成電路行業(yè)的發(fā)展需要巨額資金的投入，但是投入的資金只有真正轉(zhuǎn)化成生產(chǎn)力才是硬道理。企業(yè)不僅要敢于投資，更要學(xué)會(huì)投得有價(jià)值。這是下一步中國(guó)IC業(yè)者需要解決的挑戰(zhàn)。 未來(lái)數(shù)年投入資金超3500億元 集成電路產(chǎn)業(yè)正在加速向亞洲特別是中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，這個(gè)判斷正在得到越來(lái)越多事實(shí)的支持。如果說(shuō)2015年在中國(guó)大陸投資建設(shè)晶圓廠以外資為多，如英特爾總投資55億美元在大連，升級(jí)原有的大連工廠，生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器;聯(lián)電投資13.5億美元在廈門(mén)建立月產(chǎn)能6萬(wàn)片的12英寸晶圓代工廠;力晶投資135.3億元在合肥新區(qū)設(shè)立月產(chǎn)能4萬(wàn)片的12英寸晶圓代工廠。那么，2016年在中國(guó)大陸的半導(dǎo)體投資，則以中資為主。 2016年3月28日，以武漢新芯為基礎(chǔ)的國(guó)家存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地項(xiàng)目正式動(dòng)工，主要面向存儲(chǔ)器芯片的產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試，將在5年內(nèi)投資240億美元，預(yù)計(jì)到2020年將形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年將形成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能。2016年7月26日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布成立。公司注冊(cè)資本分兩期出資，一期由國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國(guó)芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)和湖北省科技投資集團(tuán)有限公司共同出資，并在武漢新芯的基礎(chǔ)上建立長(zhǎng)江存儲(chǔ)。二期將由紫光集團(tuán)和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司共同出資。 同樣是在2016年3月28日，南京市政府與臺(tái)積電正式簽署合作協(xié)議。臺(tái)積電將投資30億美元建設(shè)12英寸晶圓廠和IC設(shè)計(jì)中心，初期月規(guī)劃產(chǎn)能2萬(wàn)片。2016年7月7日項(xiàng)目舉行開(kāi)工典禮，預(yù)計(jì)在2018年下半年正式投產(chǎn)16nm制程，將在2019年達(dá)到預(yù)定產(chǎn)能。 2016年3月29日CMOS傳感器廠德科瑪宣布在江蘇淮安建一座小規(guī)模12英寸晶圓廠。一期項(xiàng)目8英寸晶圓廠總投資5億美元，以自主設(shè)計(jì)的圖像傳感器芯片制造為主。預(yù)計(jì)項(xiàng)目投產(chǎn)后產(chǎn)能可達(dá)4萬(wàn)片/月。二期項(xiàng)目12英寸晶圓廠總投資20億美元，投產(chǎn)后產(chǎn)能可達(dá)2萬(wàn)片/月。 美國(guó)AOS公司將投資7億美元在重慶水土園區(qū)建設(shè)12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封測(cè)基地，項(xiàng)目于2016年3月30日舉行開(kāi)工活動(dòng)。美國(guó)AOS半導(dǎo)體股份有限公司于2000年在美國(guó)加州成立總部，主營(yíng)功率型金屬氧化層場(chǎng)效晶體管(Power MOSFET)。 7月16日，福建省晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)線舉行開(kāi)工儀式。項(xiàng)目一期投資370億元，計(jì)劃建設(shè)一座存儲(chǔ)器研發(fā)制造企業(yè)，重點(diǎn)發(fā)展DRAM產(chǎn)品，初期將以利基型DRAM為切入點(diǎn)。 10月份，中芯國(guó)際在一個(gè)月內(nèi)連續(xù)宣布新廠投資計(jì)劃，將在上海開(kāi)工新建一條12英寸生產(chǎn)線，制程為14納米及以下，月產(chǎn)能7萬(wàn)片，總投資高達(dá)675億元;將天津的8英寸生產(chǎn)線，產(chǎn)能由4.5萬(wàn)片/月，擴(kuò)大至15萬(wàn)片/月，成為全球單體最大的8英寸生產(chǎn)線;在深圳新建一條12英寸生產(chǎn)線，預(yù)期目標(biāo)產(chǎn)能達(dá)到每月4萬(wàn)片。 11月9日，華力微電子二期12英寸高工藝等級(jí)生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動(dòng)，總投資387億元，規(guī)劃月產(chǎn)能4萬(wàn)片，設(shè)計(jì)工藝為28、20和14納米。 加總上述的設(shè)資計(jì)劃，在未來(lái)數(shù)年間投入集成電路制造領(lǐng)域的資金將超過(guò)3500億元。在產(chǎn)能建設(shè)上，根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)發(fā)布的報(bào)告，目前全球處于規(guī)劃或建設(shè)階段，預(yù)計(jì)將于2017年～2020年間投產(chǎn)的半導(dǎo)體晶圓廠約為62座，其中26座設(shè)于中國(guó)，占全球總數(shù)42%。這些建于中國(guó)的晶圓廠2017年預(yù)計(jì)將有6座上線投產(chǎn)，2018年達(dá)到高峰，共13座晶圓廠加入營(yíng)運(yùn)，其中多數(shù)為晶圓代工廠。 先進(jìn)工藝爭(zhēng)奪是成敗關(guān)鍵 分析上述資料可以發(fā)現(xiàn)，本輪針對(duì)集成電路制造的投資具有以下特點(diǎn)：首先，這一輪投資以12英寸晶圓廠為主。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights最新公布的《2017~2021年全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告》，2008年前，IC制造以8英寸晶圓為主;2008年以后，12英寸晶圓逐漸取代其成為市場(chǎng)主流。中國(guó)大陸的本次產(chǎn)能，不僅僅是在制造生產(chǎn)線的數(shù)量上大幅增加，更是以相對(duì)高端的工藝技術(shù)為主。而根據(jù)半導(dǎo)體專(zhuān)家莫大康的介紹：“觀察中國(guó)大陸晶圓廠財(cái)報(bào)可以發(fā)現(xiàn)，當(dāng)前企業(yè)的營(yíng)收主要來(lái)自55納米及以上的工藝節(jié)點(diǎn)。”可以預(yù)見(jiàn)，在本輪投資之后，未來(lái)中國(guó)大陸廠商將要在先進(jìn)工藝領(lǐng)域，與國(guó)際大廠進(jìn)行更加激烈的爭(zhēng)奪，能否在更先進(jìn)的工藝領(lǐng)域(如28納米)站穩(wěn)腳跟，將有巨大影響。 其次，如果將中國(guó)大陸目前現(xiàn)存和在建的全部產(chǎn)能折合為12英寸產(chǎn)能，總量將達(dá)到1560千片/月，在建產(chǎn)能接近現(xiàn)有產(chǎn)能的九成，而且主要都是12英寸生產(chǎn)線。如此之多的新增產(chǎn)能，是否能夠得到及時(shí)消化將是一個(gè)挑戰(zhàn)。 最后，觀察目前現(xiàn)存和在建集成電路產(chǎn)線的分布情況，北京、合肥、淮安、南京、上海、寧波、晉江、廈門(mén)、深圳、武漢、重慶、成都等城市都進(jìn)入了制造領(lǐng)域。其中傳統(tǒng)集成電路制造強(qiáng)市上海相對(duì)其他地區(qū)仍保持明顯優(yōu)勢(shì)，北京、武漢緊隨其后，但是部分在這一輪快速擴(kuò)張中新擠入集成電路陣營(yíng)的城市和地區(qū)，產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)相對(duì)較弱。對(duì)此，清華大學(xué)微電子所教授魏少軍指出：“12英寸晶圓廠建設(shè)，從產(chǎn)能總量上看，還未超出預(yù)期，但布局分散，無(wú)法呈現(xiàn)規(guī)模效應(yīng)，后續(xù)情況堪憂。” 保持投資的持續(xù)性更加重要 中國(guó)集成電路的發(fā)展模式以專(zhuān)業(yè)分工為主，在設(shè)計(jì)、制造(代工)、封測(cè)等幾個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)中，以制造環(huán)節(jié)對(duì)上下游的帶動(dòng)作用最為明顯。盡管有觀點(diǎn)認(rèn)為中國(guó)應(yīng)當(dāng)發(fā)展IDM模式，然而以目前中國(guó)的現(xiàn)實(shí)來(lái)看，以制造(代工)環(huán)節(jié)發(fā)展為重點(diǎn)，仍是重要選擇。這也是本輪“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”重點(diǎn)投資制造業(yè)的主要原因。以高通公司與中芯國(guó)際在28納米工藝制程和晶圓制造方面的合作為例，高通是目前全球最大的IC設(shè)計(jì)企業(yè)，與中芯國(guó)際合作，快速推進(jìn)了我國(guó)企業(yè)在先進(jìn)制程上的進(jìn)步。而中芯國(guó)際利用制造環(huán)節(jié)的現(xiàn)行優(yōu)勢(shì)，聯(lián)合創(chuàng)新，帶動(dòng)起全產(chǎn)業(yè)鏈的共同推進(jìn)。此后，中芯國(guó)際以4億美元和之前收購(gòu)星科金朋時(shí)的1億美元股權(quán)轉(zhuǎn)為長(zhǎng)電科技的股權(quán)，成為長(zhǎng)電科技最大股東，又是“制造+封裝”一條龍戰(zhàn)略的重要探索?？梢?jiàn)投資集成電路制造的重要性與必要性。 然而，大規(guī)模海量資金投入集成電路制造，也存在一些挑戰(zhàn)。針對(duì)當(dāng)前集成電路投資熱的形勢(shì)，有專(zhuān)家提出了投資持續(xù)性的問(wèn)題。眾所周知，發(fā)展集成電路不僅所需資金龐大，而且需要持續(xù)不斷的投入。三星從上世紀(jì)80年代投入發(fā)展存儲(chǔ)器開(kāi)始，忍受了十幾年的虧損，當(dāng)前中國(guó)集成電路投入巨資，在技術(shù)實(shí)力不足的情況下不僅面對(duì)國(guó)際廠商競(jìng)爭(zhēng)，還將面臨巨額設(shè)備拆舊的沉重壓力，在未來(lái)較長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)虧損將是大概率事件，特別是那些新建企業(yè)。避免LED與光伏產(chǎn)業(yè)中的“一陣風(fēng)”熱情，持續(xù)投入資金將是今后面臨的主要挑戰(zhàn)。 對(duì)此，魏少軍指出：“所有人都知道，半導(dǎo)體是一個(gè)具有高技術(shù)門(mén)檻與資金門(mén)檻的產(chǎn)業(yè)，沒(méi)有足夠的定力是成功不了的。中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)數(shù)十年，歷史上曾經(jīng)幾次發(fā)力，拉近與國(guó)際先進(jìn)水平之間的差距，但是很快差距又被拉大。除了有自身基礎(chǔ)薄弱、積累不足的原因之外，戰(zhàn)略上的猶豫也是原因之一，至今這個(gè)問(wèn)題也沒(méi)有得到真正解決。所以，保持戰(zhàn)略上的定力，不管外界如何評(píng)價(jià)，始終堅(jiān)定信心，攻堅(jiān)克難，是必不可少的素質(zhì)。”

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  • 臺(tái)積電營(yíng)收創(chuàng)新高,未來(lái)還會(huì)遇到哪些挑戰(zhàn)

     全球最大的晶圓代工廠臺(tái)積電宣布，在剛過(guò)去的12月，公司營(yíng)收為781.12億新臺(tái)幣，較去年同期增長(zhǎng)33.9%;而整個(gè)2016年全年?duì)I收為創(chuàng)紀(jì)錄的9479.38億新臺(tái)幣，較2015年增長(zhǎng)12.4%。更可怕的是，過(guò)去五年，臺(tái)積電的加權(quán)平均毛利率為48.6%，將時(shí)間延長(zhǎng)到過(guò)去十年，他們的加權(quán)平均毛利率也高達(dá)48%。 對(duì)于這樣一家企業(yè)，相信大家都極有興趣去深入了解一下。 開(kāi)拓新模式成就了巨頭和產(chǎn)業(yè)的輝煌 在張忠謀的帶領(lǐng)下，臺(tái)積電開(kāi)創(chuàng)了晶圓代工模式。這種由專(zhuān)門(mén)的Fab生產(chǎn)芯片，F(xiàn)abless專(zhuān)注設(shè)計(jì)的做法，顛覆了傳統(tǒng)的IDM，并從某種程度上成就了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮。 看一下2016年上半年的全球半導(dǎo)體公司銷(xiāo)售排行榜，在前二十名的廠商當(dāng)中，有高通(注：當(dāng)時(shí)還沒(méi)收購(gòu)NXP，所以還是一個(gè)Fabless)、聯(lián)發(fā)科、Apple、Nvidia、AMD五家是Fabless。如果再將始終往回翻幾年，這個(gè)名單上應(yīng)該還有博通在列，因?yàn)楸籄vago并購(gòu)成為新博通之前，他們也是一個(gè)Fabless，更是這個(gè)榜單的?？汀? 值得一提的是，國(guó)內(nèi)沒(méi)有上榜的華為海思、展訊、瑞芯微、全志和2016年在股票市場(chǎng)屢創(chuàng)新高的匯頂科技也正是得益于這種模式，才能成就今日的輝煌。假設(shè)沒(méi)有TSMC這樣的Fab存在，海思就根本不可能在2016年10月推出可以叫板三星和高通的的處理器Kirin 960。 2016年上半年半導(dǎo)體公司營(yíng)收前20名排行榜 在成就行業(yè)的同時(shí)，臺(tái)積電也成就了屬于自己的輝煌。 在2016年10月25日，得益于前三季度的營(yíng)收創(chuàng)新高，臺(tái)積電市值也登上了歷史的最高峰1648億美元，逼近Intel以當(dāng)日收盤(pán)價(jià)計(jì)算的1668億美元“身價(jià)”。換句話說(shuō)，那就是臺(tái)積電離全球半導(dǎo)體最高市值僅有一步之遙。 臺(tái)積電能夠獲得投資者的青睞，與其領(lǐng)先的技術(shù)布局，提高準(zhǔn)入門(mén)檻;拿下蘋(píng)果A10的所有訂單等有關(guān)。 為什么能創(chuàng)造營(yíng)收紀(jì)錄? 由于臺(tái)積電的2016年全年財(cái)報(bào)還沒(méi)有披露，但我們可以從臺(tái)積電在2015年發(fā)布年報(bào)和2016年預(yù)期、還有2016的一些市場(chǎng)和技術(shù)表現(xiàn)可以看到一些蛛絲馬跡。 臺(tái)積電近十年的營(yíng)收對(duì)照表 首先我們看一下臺(tái)積電2015年的年報(bào)。 在2015年的年報(bào)中，臺(tái)積電表示，他們的營(yíng)收占全球晶圓代工市場(chǎng)總額的55%。而根據(jù)知名分析機(jī)構(gòu)IC Insights在2016年8月份公布的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，單晶圓代工廠領(lǐng)域，臺(tái)積電的站全球份額的58%，這個(gè)數(shù)據(jù)較之2015，提升了好幾個(gè)百分點(diǎn)，繼續(xù)拉大了臺(tái)積電和其他對(duì)手的差距。 2016年上半年晶圓代工前十廠商的市場(chǎng)份額及營(yíng)收參照 在2015年的營(yíng)收里面，臺(tái)積電的28nm以下工藝所貢獻(xiàn)的營(yíng)收占了總營(yíng)收的48%。 其中28nm HPC/HPC+工藝主要被應(yīng)用在主流智能手機(jī)、DTV、存儲(chǔ)和SoC應(yīng)用;28nm LP則被應(yīng)用到入門(mén)級(jí)別的智能手機(jī)、平板、家庭娛樂(lè)系統(tǒng)等的芯片上面;40nm則被應(yīng)用到可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)的相關(guān)應(yīng)用，例如無(wú)線連接、AP和sensor hub這類(lèi)的應(yīng)用上;55nm則被應(yīng)用在消費(fèi)電子的SoC設(shè)計(jì)。 單從28nm來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電方面曾在今年2016年Q1營(yíng)收數(shù)據(jù)時(shí)指出，由于28nm工藝正處于一個(gè)成熟、穩(wěn)定、產(chǎn)能以及價(jià)格之間的最佳甜蜜點(diǎn)，工藝的熱銷(xiāo)程度沒(méi)有減弱，全年的利用率還可維持在90%以上。 而從實(shí)際上觀察，包括聯(lián)發(fā)科、高通、Nvidia甚至蘋(píng)果在內(nèi)的廠商都在用，加上國(guó)內(nèi)的展訊也將一部分芯片投產(chǎn)在這里。考慮到魅族、小米一些白牌的龐大銷(xiāo)量，相信這能夠?yàn)榕_(tái)積電貢獻(xiàn)不少的營(yíng)收。 另外，國(guó)內(nèi)華為海思也應(yīng)該為臺(tái)積電貢獻(xiàn)不少，2016年華為的手機(jī)銷(xiāo)量大增，帶動(dòng)使用臺(tái)積電28nm工藝的Kirin 935的營(yíng)收。 至于在更低工藝，嵌入式處理器、通信方面的芯片，據(jù)行業(yè)人士透露，知道的有Marvell、瑞芯微和聯(lián)想都在臺(tái)積電代工，考慮到這些廠商的銷(xiāo)售能力，應(yīng)該也能耗費(fèi)掉臺(tái)積電不少的產(chǎn)能。另外由于對(duì)這塊不太了解，我就不深入分析，希望大家能夠補(bǔ)充。 來(lái)到先進(jìn)制程這方面。 先說(shuō)16nm，應(yīng)該大部分都是蘋(píng)果貢獻(xiàn)營(yíng)收。 蘋(píng)果方面主要是A9和A10在占領(lǐng)產(chǎn)能。尤其是因?yàn)槿窃贏9生產(chǎn)時(shí)性能不佳，迫使蘋(píng)果將A10訂單全部轉(zhuǎn)給臺(tái)積電，大大利好臺(tái)積電。雖然蘋(píng)果i7系列的銷(xiāo)量有所下滑，但是考慮到蘋(píng)果的巨大毛利，還有i6系列的持續(xù)熱賣(mài)，均攤到臺(tái)積電上面的營(yíng)收也是可觀的。 另外，Xilinx的16nm芯片也是在TSMC流片的，這個(gè)FPGA行業(yè)老大的訂單也能給臺(tái)積電帶來(lái)不少的影響力。下半年發(fā)布的Kirin 960據(jù)聞?dòng)玫降囊彩?6nm工藝，考慮到Mate 9現(xiàn)在的熱銷(xiāo)，這同樣也能為臺(tái)積電帶來(lái)不錯(cuò)的營(yíng)收。 來(lái)到20nm方面，據(jù)我了解，主要是蘋(píng)果的A8和聯(lián)發(fā)科的X20和X25在占領(lǐng)其產(chǎn)能，至于其出貨量和其他客戶(hù)，我也無(wú)從考究。 從上面我們可以看到，持續(xù)在新工藝方面的投入，是臺(tái)積電營(yíng)收的保證。 未來(lái)會(huì)面臨什么挑戰(zhàn) 首先就是智能手機(jī)緩慢帶來(lái)的影響。 根據(jù)以往的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電營(yíng)收的一半是來(lái)自于智能手機(jī)芯片市場(chǎng)，但最近幾年，智能手機(jī)市場(chǎng)持續(xù)下滑，這給臺(tái)積電帶來(lái)了的影響無(wú)疑是巨大 。 其次，Intel拉攏ARM客戶(hù)，帶來(lái)新的威脅。相信這是一個(gè)臺(tái)積電始料未及的問(wèn)題。 Intel在2010年建立代工團(tuán)隊(duì)以后，從拿下FPGA初創(chuàng)公司Achronix的22納米芯片訂單開(kāi)始，再到14nm的時(shí)候搶了原本屬于臺(tái)積電的Altera訂單，Intel一步步暴露其代工野心。2016年八月，Intel更是宣布，獲得ARM的IP授權(quán)，能夠?yàn)榭蛻?hù)生產(chǎn)ARM芯片，這對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是一個(gè)威脅。 作為一個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的標(biāo)志性企業(yè)，Intel在半導(dǎo)體工藝制程方面的表現(xiàn)是非常出色的，能夠在最近二十多年持續(xù)穩(wěn)居半導(dǎo)體企業(yè)營(yíng)收榜首，其Tick-tock模式下的工藝共享是巨大的?，F(xiàn)在太大力切入代工領(lǐng)域，對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是一個(gè)X因素。另外，據(jù)VentureBeat的報(bào)道，有傳蘋(píng)果未來(lái)可能會(huì)將一部分SoC轉(zhuǎn)單Intel，這對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)是兩連擊。 第三、先進(jìn)工藝帶來(lái)的挑戰(zhàn)。 前面提到，臺(tái)積電能夠?qū)覄?chuàng)新高的一個(gè)重要原因是因?yàn)樗麄兡軌蛟谛录夹g(shù)上持續(xù)投入，并取得了不錯(cuò)的成果。 據(jù)美國(guó)券商Jefferies之前的報(bào)告顯示，在2014年之前，臺(tái)積電的制程技術(shù)一直是處于領(lǐng)先的位置，尤其是在20nm的時(shí)候，領(lǐng)先同行一個(gè)世代。但從2014年開(kāi)始，臺(tái)積電變面臨強(qiáng)大的挑戰(zhàn)，因?yàn)槌薎ntel的14nm芯片，三星和格羅方德的14nm也都向后到來(lái)。 但后來(lái)A9的“性能門(mén)”表明，臺(tái)積電還是憑借技術(shù)答應(yīng)了三星。不過(guò)繼續(xù)往后的工藝，給臺(tái)積電帶來(lái)的挑戰(zhàn)也日益嚴(yán)峻。首先是10nm是否能夠先發(fā)。。 主要晶圓大廠制程技術(shù)藍(lán)圖(以量產(chǎn)時(shí)程算) 在2016年11月，高通推出采用三星10nm工藝生產(chǎn)的服務(wù)器處理器Centriq 2400;而在早兩日剛結(jié)束的CES上，高通也推出了采用三星10nm工藝生產(chǎn)的驍龍835芯片。這樣就等于宣布三星的10nm已經(jīng)量產(chǎn)了，這對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)無(wú)疑是一個(gè)消極信號(hào)。 更嚴(yán)重的是，據(jù)說(shuō)由于良率問(wèn)題，臺(tái)積電的10nm量產(chǎn)一直被押后，對(duì)于MTK、蘋(píng)果和華為這些廠商來(lái)說(shuō)，也是一個(gè)重點(diǎn)考慮問(wèn)題。 不過(guò)道聽(tīng)途說(shuō)臺(tái)積電10nm和7nm也在同步推進(jìn)，7nm更是會(huì)走在三星前面，這也許會(huì)為臺(tái)積電扳回一城。 不過(guò)再繼續(xù)往下的工藝，EUV的延后，材料的限制，對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，研發(fā)投入是一個(gè)大挑戰(zhàn)。而那么高的流片成本，客戶(hù)的減少也是另一個(gè)挑戰(zhàn)。 第四，中國(guó)晶圓廠的晶圓廠建設(shè)，對(duì)臺(tái)積電的影響。 雖然在先進(jìn)制程上面，中國(guó)大陸的晶圓廠和臺(tái)積電無(wú)法比，但是在比較落后的工藝，例如40/55nm方面，憑借價(jià)格的優(yōu)勢(shì)，也相信會(huì)給臺(tái)積電帶來(lái)不少的影響。 最后，半導(dǎo)體的并購(gòu)，讓臺(tái)積電客戶(hù)的減少，大客戶(hù)的議價(jià)能力，必然會(huì)降低臺(tái)積電的利潤(rùn)。這應(yīng)該也不能忽略。

    半導(dǎo)體 晶圓 臺(tái)積電

  • 聯(lián)芯科技：能否在中國(guó)芯變革中抓住機(jī)遇？

     發(fā)展初期——強(qiáng)扭的瓜不甜? 俗話說(shuō)的好“一招鮮吃遍天”，企業(yè)有門(mén)手藝就可風(fēng)生水起，如果這門(mén)手藝還很特別，那就是了不得的事了。那么到聯(lián)芯發(fā)展歷史的起源，就不得不從一個(gè)公司和一個(gè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)起，那就是大唐和TD-SCDMA。 在中國(guó)電信業(yè)來(lái)說(shuō)，這段有些羞恥，像多年以后找老實(shí)人嫁了的女主播談起自己曾經(jīng)舞騷弄姿的經(jīng)歷。把時(shí)間調(diào)到2000年5月，ITU(國(guó)際電信聯(lián)盟)公布TD-SCDMA正式成為ITU第三大移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)3G國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的一個(gè)組成部分，與WCDMA、CDMA2000并列三大3G國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。其中TD-SCDMA標(biāo)準(zhǔn)提案就是中國(guó)以“CATT”(郵電部電信科學(xué)技術(shù)研究院(大唐前身))的名義在1998年提交的，其中WCDMA是歐洲主導(dǎo)的、CDMA2000則是美國(guó)主導(dǎo)的。而TD-SCDMA從來(lái)就不是什么“自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)”，而是西門(mén)子公司數(shù)年前就淘汰的技術(shù)TD-CDMA得來(lái)。 大唐很快將TD-SCDMA冠以“自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)”之名，中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)由此名揚(yáng)四方。大唐將未來(lái)都押在TD-SCDMA上。2001年9月，時(shí)任大唐集團(tuán)董事長(zhǎng)周寰決定，集中大唐集團(tuán)內(nèi)部從事移動(dòng)通信技術(shù)開(kāi)發(fā)與產(chǎn)品制造的各類(lèi)主要資源，組建大唐移動(dòng)，全力以赴開(kāi)發(fā)TD-SCDMA技術(shù)及其產(chǎn)品。隨后就是一系列圍繞TD-SCDMA的研發(fā)工作，說(shuō)白了就是砸錢(qián)工作。技術(shù)搞得好不好，就看砸錢(qián)砸得狠不狠。 啰嗦半天，其實(shí)聯(lián)芯科技有限公司是大唐電信科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)為了更好地促進(jìn)TD-SCDMA終端產(chǎn)業(yè)發(fā)展和后續(xù)技術(shù)演進(jìn)而成立的高科技公司。2008年3月17日，聯(lián)芯科技在上海正式掛牌成立。 合作——做對(duì)手的結(jié)局就是分手 2009年1月3G牌照發(fā)放，現(xiàn)在看來(lái)，TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)承載了太多運(yùn)營(yíng)商之痛，中國(guó)移動(dòng)估計(jì)心里默默罵街就罵成千上萬(wàn)遍。不過(guò)管他什么痛，聯(lián)芯當(dāng)時(shí)貌似混得風(fēng)生水起。主要事件看下面這一段。 2008年8月，聯(lián)芯科技第一顆芯LC1808流片成功;2010年，聯(lián)芯科技高調(diào)推出自主研發(fā)的INNOPOWER原動(dòng)力系列芯片，完成了基于65/55nm級(jí)全系列終端芯片方案對(duì)細(xì)分市場(chǎng)的密集型戰(zhàn)略布局;2011年，聯(lián)芯科技自研芯片系列實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)出貨，并一舉推出業(yè)界首款TD-LTE/TD-SCDMA雙模芯片LC1760。2014年，大唐電信自主研發(fā)的28nm芯片將實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，屆時(shí)將推出新一代全模SoC智能手機(jī)芯片，該芯片采用28nm工藝，覆蓋LTE-TDD/LTE FDD/TD-SCDMA/WCDMA/GGE五模，幫助終端客戶(hù)實(shí)現(xiàn)從3G到支持全球LTE的4G制式的無(wú)縫遷移，全面支撐TD-LTE 4G大規(guī)模商用和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)快速發(fā)展，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)良性互動(dòng)和轉(zhuǎn)型升級(jí)。 通信芯片是紛繁復(fù)雜的江湖，現(xiàn)在看，幫派更是像極了各大門(mén)派對(duì)拼。聯(lián)芯是華山派?算是有一點(diǎn)TD技術(shù)天賦，但又沒(méi)主角的命，姑且算作殘血華山派。江湖紛爭(zhēng)，哪有不外交?聯(lián)芯的起步不得不說(shuō)一說(shuō)與聯(lián)發(fā)科的關(guān)系。 起初聯(lián)芯和聯(lián)發(fā)科合作TD手機(jī)芯片(據(jù)孫玉望表示，聯(lián)芯與聯(lián)發(fā)科合作是從2004年開(kāi)始)，聯(lián)芯提供協(xié)議棧，聯(lián)發(fā)科并購(gòu)ADI的TD部門(mén)提供芯片，兩者的合作在2009年占據(jù)了一半的市場(chǎng)份額。雙劍合璧，好一個(gè)沖靈劍法。不過(guò)當(dāng)時(shí)，T3G的芯片則主要是被諾基亞采用，不過(guò)由于諾基亞并不看重TD市場(chǎng)，在埃洛普進(jìn)入后更是日漸衰落，T3G在TD市場(chǎng)消失。Marvell提供的芯片其實(shí)在當(dāng)時(shí)很屬于各個(gè)芯片企業(yè)中最成熟的，性能也最強(qiáng)，采用了Marvell芯片的三星手機(jī)當(dāng)時(shí)受到中國(guó)移動(dòng)的熱推，不過(guò)由于Marvell堅(jiān)持高價(jià)導(dǎo)致國(guó)產(chǎn)手機(jī)少有采用而難以在TD市場(chǎng)做大。 沖靈劍法不過(guò)你儂我儂罷了，2010年聯(lián)芯推出自己的芯片，聯(lián)發(fā)科開(kāi)始研發(fā)自己的協(xié)議棧，兩者分手。分手原因則是聯(lián)芯的芯片存在穩(wěn)定性等方面的問(wèn)題，聯(lián)發(fā)科則難以開(kāi)發(fā)出TD協(xié)議棧，這讓展訊迅速占領(lǐng)TD芯片市場(chǎng)。展訊嵩山派，實(shí)力相似，結(jié)局可能并不瞎。 2011年和2012年展訊是TD市場(chǎng)的最大贏家，高峰的時(shí)候占有過(guò)半的市場(chǎng)份額，而聯(lián)芯只有約25%左右的市場(chǎng)份額。不過(guò)在2012年，10月，大唐電信科技股份公司以16億元價(jià)格并購(gòu)聯(lián)芯科技，這難道就是傳說(shuō)中的從哪來(lái)回哪去?不過(guò)聯(lián)芯有一定的成績(jī)也有窘境，并購(gòu)給發(fā)展添了一把火，因?yàn)橄胗写筮M(jìn)步就要有資金。 當(dāng)時(shí)的狀況是，聯(lián)發(fā)科通過(guò)并購(gòu)傲世通獲得了研發(fā)TD協(xié)議棧的能力，到2012年底推出了成熟的TD手機(jī)芯片產(chǎn)品，當(dāng)年中國(guó)移動(dòng)招標(biāo)9款手機(jī)其中有5款采用聯(lián)發(fā)科芯片，另外4款采用展訊芯片，這讓聯(lián)發(fā)科成為大贏家。在聯(lián)發(fā)科TD手機(jī)芯片的支持下，2013年中國(guó)TD-SCDMA市場(chǎng)大爆發(fā)，銷(xiāo)量猛增到1.55億部，相當(dāng)于當(dāng)年CDMA和WCDMA手機(jī)銷(xiāo)量的總和。(到2015年，TD-SCDMA商用的這段時(shí)間，受益最大的是展訊，其次是聯(lián)發(fā)科，聯(lián)芯獲益有限。) 合作第二彈——踩在小米的肩膀上 2014年其中一件大事就是，聯(lián)芯掌門(mén)人從孫玉望變成了錢(qián)國(guó)良。換帥以后有怎樣變化呢? 在2014年11月大唐電信發(fā)布的公告顯示，公司全資子公司聯(lián)芯科技有限公司與北京松果電子有限公司共同簽署《SDR1860平臺(tái)技術(shù)轉(zhuǎn)讓合同》，將聯(lián)芯科技開(kāi)發(fā)并擁有的SDR1860平臺(tái)技術(shù)以1.03億元的價(jià)格許可授權(quán)給北京松果電子有限公司。 小米與聯(lián)芯的合作轟動(dòng)一時(shí)，雖然小米是芯外人士，但這也讓聯(lián)發(fā)科氣的不行。當(dāng)時(shí)外界的猜測(cè)各種聲音，合作到底圖個(gè)啥?小編認(rèn)為，既然是合作那就是共贏，一方面是紅米想繼續(xù)霸占低端市場(chǎng)，走上自研路才是最優(yōu)選擇，雖然在聯(lián)發(fā)科眼里小米就是捏碎他高端夢(mèng)的魔教(日月神教?高通還沒(méi)發(fā)話呢)。一方面，聯(lián)芯借助這個(gè)互聯(lián)網(wǎng)巨頭來(lái)一次大躍進(jìn)。 2015年3月紅米2A誕生，其中背后的那本“秘籍”就是聯(lián)芯的LC1860處理器。到11月份紅米2A的出貨量破千萬(wàn)，成績(jī)斐然。從此聯(lián)芯知名度迅速提升，并被視為大陸IC設(shè)計(jì)行業(yè)相繼海思與展訊的第三勢(shì)力。不過(guò)隨著4G網(wǎng)絡(luò)的崛起，TD-SCDMA開(kāi)始走向自然衰落，固守老本行已經(jīng)不能吃香，創(chuàng)新發(fā)展才有機(jī)遇，現(xiàn)在的聯(lián)芯又是怎樣的呢? 現(xiàn)在到未來(lái)——進(jìn)步慢就算輸 聯(lián)芯最新的一篇新聞稿顯示，去年12月份“中芯國(guó)際28納米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程已成功流片，基于此平臺(tái)，聯(lián)芯科技推出適用于智能手機(jī)等領(lǐng)域的28納米SoC芯片，包括高性能應(yīng)用處理器和移動(dòng)基帶功能，目前已通過(guò)驗(yàn)證，準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)階段。” 雖說(shuō)28nm手機(jī)處理器是別的廠商早就玩剩下的，不過(guò)目前芯片行業(yè)謀求的不僅僅是手機(jī)這一塊老臘肉領(lǐng)域，物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子、人工智能都是巨頭們爭(zhēng)相去啃食的大餅。正如錢(qián)國(guó)良所說(shuō)： “2017年，聯(lián)芯科技將重點(diǎn)聚焦在以智能終端手機(jī)、行業(yè)市場(chǎng)、物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)為主的三大領(lǐng)域及相關(guān)市場(chǎng)，同時(shí)依托于大唐電信集團(tuán)的優(yōu)勢(shì)資源，將芯片設(shè)計(jì)和晶圓制造結(jié)合，形成虛擬IDM業(yè)務(wù)模式。在國(guó)家信息安全戰(zhàn)略的支撐下，在產(chǎn)業(yè)協(xié)同和整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的支持下，我們希望通過(guò)產(chǎn)業(yè)發(fā)展和資本運(yùn)作雙輪驅(qū)動(dòng)方式快速縮短和國(guó)外芯片公司的差距，推出標(biāo)桿性產(chǎn)品，服務(wù)“互聯(lián)網(wǎng)+中國(guó)制造”國(guó)家戰(zhàn)略，成為全球領(lǐng)先的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)芯片和解決方案提供商。” 聯(lián)芯前面有幾座大山，但在中國(guó)芯崛起道路上也不是并無(wú)機(jī)會(huì)，能否在未來(lái)芯片領(lǐng)域有一席地位?光靠“低調(diào)”真的是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。

    半導(dǎo)體 中國(guó)芯 聯(lián)發(fā)科 聯(lián)芯

  • 我國(guó)為何把3D NAND作為入局半導(dǎo)體的最佳切入點(diǎn)？

     長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立后，大陸在這個(gè)階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲(chǔ)器入手?這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺(tái)灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟(jì)不足導(dǎo)致研發(fā)無(wú)法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進(jìn)口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部。 回歸基本面來(lái)看。半導(dǎo)體之所以為高科技是因?yàn)橛心柖?，容許其不斷的制程微縮，而其經(jīng)濟(jì)效益也高度依賴(lài)摩爾定律。DRAM 在很長(zhǎng)的一段時(shí)間里是半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)(driving technology)，也就是說(shuō)DRAM的制程領(lǐng)導(dǎo)其它的半導(dǎo)體制程前進(jìn)。半導(dǎo)體的先行者AT&T、Intel都曾投入這產(chǎn)業(yè)，日本90年代的半導(dǎo)體霸業(yè)、臺(tái)灣、韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起，都與DRAM息息相關(guān)。如果不健忘的話，臺(tái)灣的DUV、CMP、12寸廠等先進(jìn)技術(shù)都是由DRAM廠率先引入。 在2000年初后，邏輯與NAND的制程進(jìn)展相繼超越DRAM，DRAM失去了其驅(qū)策技術(shù)的地位。邏輯制程持續(xù)往平面微縮的方向前進(jìn)，能見(jiàn)度到3nm，還有3、4個(gè)世代可行;NAND往3D堆疊走，這個(gè)方向能走多遠(yuǎn)尚未可知，但是短時(shí)間內(nèi)碰不到物理極限，是比較技術(shù)面可克服的問(wèn)題。 邏輯的平面制程微縮與NAND的3D堆疊同時(shí)是未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)，大陸作為后發(fā)者選擇最近才興起、后面發(fā)展道路長(zhǎng)的驅(qū)策技術(shù)投入，是比較合理的做法。至于DRAM，已于20nm久滯，雖然仍有機(jī)會(huì)繼續(xù)緩慢推進(jìn)到10nm，但其制程技術(shù)主要是針對(duì)DRAM，很難嘉惠于其它產(chǎn)品，戰(zhàn)略性比較不足。 所以大陸選擇3D NAND重新出發(fā)，3D的制程技術(shù)還有機(jī)會(huì)應(yīng)用到其它產(chǎn)品，譬如3D MRAM。至于研發(fā)的規(guī)模經(jīng)濟(jì)，由其所投資相應(yīng)的生產(chǎn)規(guī)模來(lái)看，如果有盈余的話，是有機(jī)會(huì)支撐持續(xù)的自主研發(fā)的。剩下來(lái)的問(wèn)題是NAND的技術(shù)靈不靈?大陸NAND的技術(shù)授權(quán)引入研發(fā)已有好幾年了，以前的表現(xiàn)頗有波折，就連二維平面NAND的生產(chǎn)也稱(chēng)不上順利?，F(xiàn)在要當(dāng)成主要的產(chǎn)品并結(jié)合3D制程，恐是個(gè)有點(diǎn)高風(fēng)險(xiǎn)的選擇!

    半導(dǎo)體 DRAM nand 3d

  • 車(chē)用半導(dǎo)體成為新顯學(xué)，臺(tái)積電、聯(lián)電忙卡位

     車(chē)用半導(dǎo)體成為新顯學(xué)，臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電忙卡位，相繼提供專(zhuān)用制程平臺(tái)，加上手機(jī)用指紋辨識(shí)晶片普及，并帶動(dòng)相關(guān)電管晶片持續(xù)成長(zhǎng)，晶圓雙雄現(xiàn)階段8寸廠產(chǎn)能滿(mǎn)載，成為支撐營(yíng)運(yùn)穩(wěn)定成長(zhǎng)的主力。 半導(dǎo)體業(yè)者表示，過(guò)去半導(dǎo)體在汽車(chē)相關(guān)應(yīng)用，僅限于車(chē)用娛樂(lè)觀及導(dǎo)航，隨著智慧系統(tǒng)更趨成熟，各車(chē)廠開(kāi)始有信心導(dǎo)入包括先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、跟車(chē)系統(tǒng)，以及不正當(dāng)防意外緊急煞車(chē)控制等控制晶片，邁入智慧車(chē)時(shí)代，帶動(dòng)車(chē)用半導(dǎo)體相關(guān)商機(jī)大開(kāi)。 市調(diào)機(jī)構(gòu)IDC統(tǒng)計(jì)，去年全球車(chē)用半導(dǎo)體銷(xiāo)售值約320億美元(約新臺(tái)幣1兆元)，年增23%，預(yù)估到2019年前，每年都以?xún)晌粩?shù)的速度增長(zhǎng)，潛力無(wú)窮。 雖然主要車(chē)用半導(dǎo)體元件大廠大多集中在整合元件大廠(IDM)，但近幾年因愈來(lái)愈多IC設(shè)計(jì)公司投入，臺(tái)積電和聯(lián)電加速提供相關(guān)晶片代工平臺(tái)，更加速相關(guān)晶片導(dǎo)入。 臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在股東會(huì)致股東報(bào)告書(shū)中強(qiáng)調(diào)，汽車(chē)電子將是驅(qū)動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)與半導(dǎo)體業(yè)成長(zhǎng)的關(guān)鍵。隨汽車(chē)走向智慧化，估到2017年單一汽車(chē)的半導(dǎo)體成本將提升至385美元;目前全球主要車(chē)用半體體領(lǐng)導(dǎo)廠恩智浦、瑞薩等都是臺(tái)積電的客戶(hù)。 臺(tái)積電提供車(chē)用半導(dǎo)體制程從高壓的0.13微米到28奈米，都獲車(chē)規(guī)認(rèn)證，是目前車(chē)用半導(dǎo)體制程最多元的晶圓代工廠。 聯(lián)電近年來(lái)布局車(chē)用半導(dǎo)體腳步也加快，推出全方位的“UMC AutoSM”技術(shù)平臺(tái)，讓車(chē)用晶片設(shè)計(jì)公司可掌握車(chē)用半導(dǎo)體蓬勃發(fā)展的商機(jī)。 聯(lián)電透露，已為新電元、TDK株式會(huì)社、新日本無(wú)線、理光微電子等日本公司，以及其他各大歐美公司制造車(chē)用半導(dǎo)體，產(chǎn)品應(yīng)用涵蓋由資訊娛樂(lè)、抬頭顯示器、先進(jìn)駕駛輔助系及毫米波雷達(dá)，以吉關(guān)鍵的引擎、傳動(dòng)系統(tǒng)、電源管理及導(dǎo)航功能等。 聯(lián)電去年車(chē)用半導(dǎo)體營(yíng)收已達(dá)數(shù)億美元，呈數(shù)倍增幅，今年持續(xù)擴(kuò)大規(guī)模，生產(chǎn)的車(chē)用IC，已獲日本、歐洲、亞洲及美國(guó)等世界知名汽車(chē)制造商使用。 晶圓雙雄強(qiáng)攻車(chē)用市場(chǎng)之際，上游矽晶圓廠臺(tái)勝科(3532)及環(huán)球晶也積極布局，本季8寸矽晶圓拉貨動(dòng)能遠(yuǎn)勝于12寸晶圓，預(yù)估下季8寸及12寸矽晶圓出貨都會(huì)同步強(qiáng)勁。

    半導(dǎo)體 聯(lián)電 臺(tái)積電 車(chē)用半導(dǎo)體

  • 貿(mào)澤搶先備貨Texas Instruments LDC2114 EVM 為電感式觸摸傳感應(yīng)用開(kāi)發(fā)省時(shí)省力

    2017年1月12日 – 專(zhuān)注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 的半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂級(jí)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 搶先備貨Texas Instruments (TI) 用于LDC2112和LDC2114觸摸傳感解決方案的LDC2114評(píng)估模塊 (EVM)。作為T(mén)I傳感解決方案的新成員，LDC2114EVM可利用電感式傳感技術(shù)來(lái)檢測(cè)是否存在導(dǎo)電物體，充當(dāng)電感式觸摸按鈕。LDC2114EVM內(nèi)置的LDC2114為一款多通道低噪聲電感數(shù)字轉(zhuǎn)換器，并針對(duì)單片表面電感式觸摸應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 電感式傳感技術(shù)借助于測(cè)量導(dǎo)電物體的細(xì)微偏移，設(shè)計(jì)出金屬、玻璃、塑料和木材等各種材質(zhì)的觸摸按鈕。用于電感觸摸系統(tǒng)的傳感器線圈位于面板后部小型緊湊PCB面板上，并且不受周?chē)h(huán)境影響。 貿(mào)澤電子獨(dú)家供應(yīng)的LDC2114EVM可借助于LDCCOILEVM 或WEBENCH® 電感式傳感設(shè)計(jì)器所設(shè)計(jì)的定制線圈，連接多達(dá)4個(gè)按鈕。該電路板采用集成的可配置算法，可通過(guò)板載LED指示燈檢測(cè)按壓操作。LDC2114在0.625sps采樣速率下消耗的電流低至6µA，設(shè)計(jì)人員還可將器件配置為不同的占空比，優(yōu)化系統(tǒng)功耗。 TI的LDC2112/LDC2114電感式觸摸解決方案現(xiàn)可至貿(mào)澤電子訂購(gòu)，這是一款1.8V多通道低噪聲電感數(shù)字轉(zhuǎn)換器，可借助于集成算法實(shí)現(xiàn)電感式觸摸應(yīng)用。雙通道LDC2112和四通道LDC2114均采用了創(chuàng)新型電感電容 (LC) 諧振器，擁有高抗噪性和抗擾性，并擁有1 MHz至30 MHz的寬振蕩頻率范圍。LDC2112/LDC2114各輸入通道均可調(diào)整靈敏度，因此能夠借助于各種物理按鈕結(jié)構(gòu)和材料可靠地檢測(cè)低于200 nm的材料偏移，而其高分辨率測(cè)量特性能夠進(jìn)一步支持多級(jí)按鈕。 LDC2112/LDC2114器件能夠工作在6 µA 的超低功耗模式下，有利于延長(zhǎng)電池壽命;也可以切換為較高的掃描速率，能夠更好的響應(yīng)游戲播放或其他低延遲應(yīng)用的按壓檢測(cè)。器件可通過(guò)400 Hz I2C 進(jìn)行配置，而所需的唯一外部元件就是電源旁路電容和一個(gè)接地的COM引腳電容。LDC2112/LDC2114器件非常適用于智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、平板電腦和PC、虛擬實(shí)景體驗(yàn)機(jī)、遠(yuǎn)程控制，以及人機(jī)界面 (HMI) 操作面板和鍵盤(pán)。

    半導(dǎo)體 mouser evm ldc2114 電感式觸摸 傳感應(yīng)用

  • 國(guó)際大廠主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)，中國(guó)功率半導(dǎo)體亟需做強(qiáng)

     如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的心臟，功率半導(dǎo)體 就是電機(jī)的心臟，它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制。我國(guó)發(fā)布《中國(guó)制造2025》，勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過(guò)程中，功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。 然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國(guó)每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計(jì)算，我國(guó)功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色新能源”成為我國(guó)長(zhǎng)期發(fā)展的基本國(guó)策，通過(guò)“互聯(lián)網(wǎng)+”推進(jìn)信息化與工業(yè)化深度融合成為既定任務(wù)，加快發(fā)展功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為當(dāng)務(wù)之急。 針對(duì)我國(guó)當(dāng)前功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r以及2016年~2020年以功率半導(dǎo)體為核心的電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)，中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)、北京電力電子學(xué)會(huì)共同發(fā)布《電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書(shū)》(以下簡(jiǎn)稱(chēng)《藍(lán)皮書(shū)》)?！端{(lán)皮書(shū)》指出，電力電子器件產(chǎn)業(yè)主要是核心的電力電子芯片和封裝的生產(chǎn)，但也離不開(kāi)半導(dǎo)體和電子材料、關(guān)鍵零部件、制造設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)的支撐，其發(fā)展既需要上游基礎(chǔ)的材料產(chǎn)業(yè)的支持，又需要下游裝置產(chǎn)業(yè)的拉動(dòng)。 做強(qiáng)功率半導(dǎo)體，推進(jìn)《中國(guó)制造2025》 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一大分支，與集成電路相仿，功率半導(dǎo)體的作用同樣巨大?！端{(lán)皮書(shū)》指出，電力電子器件是采用半導(dǎo)體材料制造、用于實(shí)現(xiàn)電能高效轉(zhuǎn)換的開(kāi)關(guān)控制電子器件，包括功率半導(dǎo)體分立器件、模塊和組件等。它們是實(shí)現(xiàn)對(duì)電能高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制，提高能源利用效率、開(kāi)發(fā)可再生能源，推動(dòng)國(guó)民經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)。 近年來(lái)，“節(jié)能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色新能源”已成為我國(guó)長(zhǎng)期發(fā)展的基本國(guó)策。在我國(guó)綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為建設(shè)節(jié)約型社會(huì)、促進(jìn)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。此外，功率半導(dǎo)體不僅涉及電力電子器件、電力電子裝置、系統(tǒng)控制及其在各個(gè)行業(yè)的應(yīng)用，還涉及相關(guān)的半導(dǎo)體材料、電工材料、關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件、散熱裝置、生產(chǎn)設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)鏈長(zhǎng)、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)作用巨大，在推進(jìn)實(shí)施《中國(guó)制造2025》規(guī)劃中具有重大意義，對(duì)深入推進(jìn)制造業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整和企業(yè)技術(shù)改造，實(shí)施中國(guó)制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)“三步走”的發(fā)展戰(zhàn)略提供強(qiáng)大的支撐。 正是由于電力電子器件的巨大作用，已經(jīng)形成一個(gè)龐大的市場(chǎng)需求和產(chǎn)業(yè)規(guī)模。《藍(lán)皮書(shū)》數(shù)據(jù)顯示，2013年國(guó)際電力電子器件市場(chǎng)容量已接近1千億美元，而且市場(chǎng)年平均增長(zhǎng)速度在15%左右。“十二五”以來(lái)，我國(guó)電力電子器件市場(chǎng)在全球市場(chǎng)中所占份額就越來(lái)越大，已成為全球最大的大功率電力電子器件需求市場(chǎng)。我國(guó)市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度高于全球水平，年增長(zhǎng)率近20%。 國(guó)際大廠主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)，中國(guó)功率半導(dǎo)體亟需做強(qiáng) 《藍(lán)皮書(shū)》同時(shí)指出，雖然功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極具重要性，且規(guī)模龐大，但是主要供應(yīng)商集中在美國(guó)、日本和歐洲。美國(guó)是電力電子器件的發(fā)源地，在全球電力電子器件市場(chǎng)中占有重要地位，主要器件企業(yè)有通用電氣(GE)、ON Semi等。從上世紀(jì)90年代開(kāi)始，日本成為國(guó)際上電力電子器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)達(dá)地區(qū)，主要器件企業(yè)有東芝、富士和三菱等。歐洲也是全球電力電子器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)達(dá)地區(qū)，主要企業(yè)有英飛凌、ABB、Semikron等。國(guó)際上SiC電力電子器件的主要供應(yīng)商有Wolfspeed、英飛凌、羅姆、東芝、富士和三菱等公司;國(guó)際上GaN電力電子器件的主要企業(yè)有英飛凌、松下、富士通、三星、Transphom、GaN System、EPC、Avogy等。 從技術(shù)角度看，在超大功率(電壓3.3kV以上、容量1～45MW)領(lǐng)域。目前，國(guó)際上6英寸8.5kV/5kA晶閘管已商品化。瑞士ABB等公司開(kāi)發(fā)了非對(duì)稱(chēng)型、逆導(dǎo)型和逆阻型IGCT的產(chǎn)品，研發(fā)水平已達(dá)到9kV/6kA，商業(yè)化產(chǎn)品有4.5kV和6kV兩種系列，其中6.5kV/6kA的IGCT產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始供應(yīng)市場(chǎng)。 在中大功率領(lǐng)域(電壓1200V～6.5kV)，IGBT是市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品。IGBT器件(包括大功率模塊、智能功率模塊)已經(jīng)涵蓋了300V～6.5kV的電壓和2A～3600A的電流。近年來(lái)，以德國(guó)英飛凌，瑞士ABB，日本三菱、東芝和富士等為代表的電力電子器件企業(yè)開(kāi)發(fā)了先進(jìn)的IGBT技術(shù)和產(chǎn)品，占全球每年約50億美元的市場(chǎng)，帶動(dòng)了高達(dá)幾百億美元的電力電子設(shè)備市場(chǎng)。 SiC是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，已經(jīng)形成了全球的材料、器件和應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈。GaN是另一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料。它具有獨(dú)特的異質(zhì)結(jié)構(gòu)和二維電子氣，在此基礎(chǔ)上研制的高電子遷移率晶體管(HEMT)是一種平面型器件，可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度的優(yōu)良特性。以SiC和GaN材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件產(chǎn)業(yè)已成為高科技領(lǐng)域中的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始部署市場(chǎng)，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)已經(jīng)開(kāi)始。 在專(zhuān)利方面，2001～2010年間，全球電力電子器件行業(yè)專(zhuān)利申請(qǐng)量處于穩(wěn)步增長(zhǎng)階段，每年的全球?qū)＠暾?qǐng)量都在1500項(xiàng)左右，器件類(lèi)型以MOSFET和IGBT為主，申請(qǐng)量占比達(dá)到 67%。國(guó)際上電力電子器件的專(zhuān)利集中于國(guó)際大型公司，全球?qū)＠暾?qǐng)量居前5位的分別是東芝、NEC、日立、三菱、富士，均是日本公司，歐洲和美國(guó)的GE、英飛凌、西門(mén)子、ABB等歐美企業(yè)也在該領(lǐng)域申請(qǐng)了大量專(zhuān)利。 綜合而言，我國(guó)寬禁帶電力電子器件技術(shù)和產(chǎn)業(yè)水平還落后于國(guó)際先進(jìn)水平。以IGBT為例，我國(guó)IGBT芯片的進(jìn)口率居高不下，主要市場(chǎng)仍然被國(guó)外企業(yè)所主導(dǎo)，嚴(yán)重阻礙了我國(guó)獨(dú)立自主IGBT器件產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。 打造完整產(chǎn)業(yè)鏈，制訂技術(shù)路線圖 2013年，我國(guó)的電力電子器件市場(chǎng)總額近2000億元，由此直接帶動(dòng)的電力電子裝置產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)超過(guò)2萬(wàn)億元。中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)預(yù)測(cè)，隨著新能源革命的推動(dòng)，我國(guó)電力電子器件產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)10～20年的黃金發(fā)展期，將保持較高的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，并在投資增量需求與節(jié)能環(huán)境需求的雙重推動(dòng)，以及下游電力電子裝置行業(yè)需求高速發(fā)展的拉動(dòng)下，我國(guó)電力電子器件市場(chǎng)到2020年預(yù)計(jì)將超過(guò)5000億元。在此情況下，發(fā)展自主安全可控的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是當(dāng)務(wù)之急。 對(duì)此，《藍(lán)皮書(shū)》指出，電力電子器件產(chǎn)業(yè)主要是核心的電力電子芯片和封裝的生產(chǎn)，但也離不開(kāi)半導(dǎo)體和電子材料、關(guān)鍵零部件、制造設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)的支撐，其發(fā)展既需要上游基礎(chǔ)的材料產(chǎn)業(yè)的支持，又需要下游裝置產(chǎn)業(yè)的拉動(dòng)，其產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有投資大、周期較長(zhǎng)的特點(diǎn)。 “十三五”期間，我國(guó)功率半導(dǎo)體為重點(diǎn)的電力電子產(chǎn)業(yè)應(yīng)當(dāng)以什么樣的一幅路線圖進(jìn)行發(fā)展?《藍(lán)皮書(shū)》建議，2016～2020年，在以下技術(shù)和產(chǎn)業(yè)進(jìn)行重點(diǎn)布局，并制定關(guān)鍵材料和關(guān)鍵器件的相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。其中，近期發(fā)展目標(biāo)可制訂為：在硅基電力電子器件用8英寸高阻區(qū)熔中照硅單晶圓片，IGBT封裝用平板全壓接多臺(tái)架精密陶瓷結(jié)構(gòu)件、氮化鋁覆銅板、鋁-碳化硅散熱基板，6英寸碳化硅單晶及外延材料，6英寸～8英寸硅基GaN外延材料和4～6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN耐高溫(>300oC)封裝材料等關(guān)鍵材料方面形成生產(chǎn)能力;關(guān)鍵電力電子器件方面，硅基IGBT芯片、模塊以及硅基MOSFET、FRD的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)到一定的份額，形成中低壓 SiC功率二極管、JFET和MOSFET以及低壓GaN功率器件等器件生產(chǎn)能力，開(kāi)發(fā)相應(yīng)功率模塊。2020年發(fā)展目標(biāo)為：在關(guān)鍵材料方面，形成硅基電力電子器件所需全部材料、碳化硅6英寸單晶和厚外延材料、6～8英寸硅基GaN外延材料和4～6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN電力電子器件所需高溫(>300oC)封裝材料等的生產(chǎn)能力，并建立相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)體系和專(zhuān)利保護(hù)機(jī)制;在關(guān)鍵電力電子器件方面，硅基IGBT、MOSFET、FRD形成系列化產(chǎn)品，綜合性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，SiC二極管、晶體管及其模塊產(chǎn)品和GaN器件產(chǎn)品具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

    半導(dǎo)體 功率半導(dǎo)體 十三五

  • 國(guó)際大廠主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)，中國(guó)功率半導(dǎo)體亟需做強(qiáng)

     如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的心臟，功率半導(dǎo)體 就是電機(jī)的心臟，它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制。我國(guó)發(fā)布《中國(guó)制造2025》，勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過(guò)程中，功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。 然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國(guó)每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計(jì)算，我國(guó)功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色新能源”成為我國(guó)長(zhǎng)期發(fā)展的基本國(guó)策，通過(guò)“互聯(lián)網(wǎng)+”推進(jìn)信息化與工業(yè)化深度融合成為既定任務(wù)，加快發(fā)展功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為當(dāng)務(wù)之急。 針對(duì)我國(guó)當(dāng)前功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r以及2016年~2020年以功率半導(dǎo)體為核心的電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)，中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)、北京電力電子學(xué)會(huì)共同發(fā)布《電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書(shū)》(以下簡(jiǎn)稱(chēng)《藍(lán)皮書(shū)》)?！端{(lán)皮書(shū)》指出，電力電子器件產(chǎn)業(yè)主要是核心的電力電子芯片和封裝的生產(chǎn)，但也離不開(kāi)半導(dǎo)體和電子材料、關(guān)鍵零部件、制造設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)的支撐，其發(fā)展既需要上游基礎(chǔ)的材料產(chǎn)業(yè)的支持，又需要下游裝置產(chǎn)業(yè)的拉動(dòng)。 做強(qiáng)功率半導(dǎo)體，推進(jìn)《中國(guó)制造2025》 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一大分支，與集成電路相仿，功率半導(dǎo)體的作用同樣巨大?！端{(lán)皮書(shū)》指出，電力電子器件是采用半導(dǎo)體材料制造、用于實(shí)現(xiàn)電能高效轉(zhuǎn)換的開(kāi)關(guān)控制電子器件，包括功率半導(dǎo)體分立器件、模塊和組件等。它們是實(shí)現(xiàn)對(duì)電能高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制，提高能源利用效率、開(kāi)發(fā)可再生能源，推動(dòng)國(guó)民經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)。 近年來(lái)，“節(jié)能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色新能源”已成為我國(guó)長(zhǎng)期發(fā)展的基本國(guó)策。在我國(guó)綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為建設(shè)節(jié)約型社會(huì)、促進(jìn)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。此外，功率半導(dǎo)體不僅涉及電力電子器件、電力電子裝置、系統(tǒng)控制及其在各個(gè)行業(yè)的應(yīng)用，還涉及相關(guān)的半導(dǎo)體材料、電工材料、關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件、散熱裝置、生產(chǎn)設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)鏈長(zhǎng)、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)作用巨大，在推進(jìn)實(shí)施《中國(guó)制造2025》規(guī)劃中具有重大意義，對(duì)深入推進(jìn)制造業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整和企業(yè)技術(shù)改造，實(shí)施中國(guó)制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)“三步走”的發(fā)展戰(zhàn)略提供強(qiáng)大的支撐。 正是由于電力電子器件的巨大作用，已經(jīng)形成一個(gè)龐大的市場(chǎng)需求和產(chǎn)業(yè)規(guī)模?！端{(lán)皮書(shū)》數(shù)據(jù)顯示，2013年國(guó)際電力電子器件市場(chǎng)容量已接近1千億美元，而且市場(chǎng)年平均增長(zhǎng)速度在15%左右。“十二五”以來(lái)，我國(guó)電力電子器件市場(chǎng)在全球市場(chǎng)中所占份額就越來(lái)越大，已成為全球最大的大功率電力電子器件需求市場(chǎng)。我國(guó)市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度高于全球水平，年增長(zhǎng)率近20%。 國(guó)際大廠主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)，中國(guó)功率半導(dǎo)體亟需做強(qiáng) 《藍(lán)皮書(shū)》同時(shí)指出，雖然功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極具重要性，且規(guī)模龐大，但是主要供應(yīng)商集中在美國(guó)、日本和歐洲。美國(guó)是電力電子器件的發(fā)源地，在全球電力電子器件市場(chǎng)中占有重要地位，主要器件企業(yè)有通用電氣(GE)、ON Semi等。從上世紀(jì)90年代開(kāi)始，日本成為國(guó)際上電力電子器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)達(dá)地區(qū)，主要器件企業(yè)有東芝、富士和三菱等。歐洲也是全球電力電子器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)達(dá)地區(qū)，主要企業(yè)有英飛凌、ABB、Semikron等。國(guó)際上SiC電力電子器件的主要供應(yīng)商有Wolfspeed、英飛凌、羅姆、東芝、富士和三菱等公司;國(guó)際上GaN電力電子器件的主要企業(yè)有英飛凌、松下、富士通、三星、Transphom、GaN System、EPC、Avogy等。 從技術(shù)角度看，在超大功率(電壓3.3kV以上、容量1～45MW)領(lǐng)域。目前，國(guó)際上6英寸8.5kV/5kA晶閘管已商品化。瑞士ABB等公司開(kāi)發(fā)了非對(duì)稱(chēng)型、逆導(dǎo)型和逆阻型IGCT的產(chǎn)品，研發(fā)水平已達(dá)到9kV/6kA，商業(yè)化產(chǎn)品有4.5kV和6kV兩種系列，其中6.5kV/6kA的IGCT產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始供應(yīng)市場(chǎng)。 在中大功率領(lǐng)域(電壓1200V～6.5kV)，IGBT是市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品。IGBT器件(包括大功率模塊、智能功率模塊)已經(jīng)涵蓋了300V～6.5kV的電壓和2A～3600A的電流。近年來(lái)，以德國(guó)英飛凌，瑞士ABB，日本三菱、東芝和富士等為代表的電力電子器件企業(yè)開(kāi)發(fā)了先進(jìn)的IGBT技術(shù)和產(chǎn)品，占全球每年約50億美元的市場(chǎng)，帶動(dòng)了高達(dá)幾百億美元的電力電子設(shè)備市場(chǎng)。 SiC是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，已經(jīng)形成了全球的材料、器件和應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈。GaN是另一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料。它具有獨(dú)特的異質(zhì)結(jié)構(gòu)和二維電子氣，在此基礎(chǔ)上研制的高電子遷移率晶體管(HEMT)是一種平面型器件，可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度的優(yōu)良特性。以SiC和GaN材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件產(chǎn)業(yè)已成為高科技領(lǐng)域中的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始部署市場(chǎng)，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)已經(jīng)開(kāi)始。 在專(zhuān)利方面，2001～2010年間，全球電力電子器件行業(yè)專(zhuān)利申請(qǐng)量處于穩(wěn)步增長(zhǎng)階段，每年的全球?qū)＠暾?qǐng)量都在1500項(xiàng)左右，器件類(lèi)型以MOSFET和IGBT為主，申請(qǐng)量占比達(dá)到 67%。國(guó)際上電力電子器件的專(zhuān)利集中于國(guó)際大型公司，全球?qū)＠暾?qǐng)量居前5位的分別是東芝、NEC、日立、三菱、富士，均是日本公司，歐洲和美國(guó)的GE、英飛凌、西門(mén)子、ABB等歐美企業(yè)也在該領(lǐng)域申請(qǐng)了大量專(zhuān)利。 綜合而言，我國(guó)寬禁帶電力電子器件技術(shù)和產(chǎn)業(yè)水平還落后于國(guó)際先進(jìn)水平。以IGBT為例，我國(guó)IGBT芯片的進(jìn)口率居高不下，主要市場(chǎng)仍然被國(guó)外企業(yè)所主導(dǎo)，嚴(yán)重阻礙了我國(guó)獨(dú)立自主IGBT器件產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。 打造完整產(chǎn)業(yè)鏈，制訂技術(shù)路線圖 2013年，我國(guó)的電力電子器件市場(chǎng)總額近2000億元，由此直接帶動(dòng)的電力電子裝置產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)超過(guò)2萬(wàn)億元。中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)預(yù)測(cè)，隨著新能源革命的推動(dòng)，我國(guó)電力電子器件產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)10～20年的黃金發(fā)展期，將保持較高的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，并在投資增量需求與節(jié)能環(huán)境需求的雙重推動(dòng)，以及下游電力電子裝置行業(yè)需求高速發(fā)展的拉動(dòng)下，我國(guó)電力電子器件市場(chǎng)到2020年預(yù)計(jì)將超過(guò)5000億元。在此情況下，發(fā)展自主安全可控的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是當(dāng)務(wù)之急。 對(duì)此，《藍(lán)皮書(shū)》指出，電力電子器件產(chǎn)業(yè)主要是核心的電力電子芯片和封裝的生產(chǎn)，但也離不開(kāi)半導(dǎo)體和電子材料、關(guān)鍵零部件、制造設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)的支撐，其發(fā)展既需要上游基礎(chǔ)的材料產(chǎn)業(yè)的支持，又需要下游裝置產(chǎn)業(yè)的拉動(dòng)，其產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有投資大、周期較長(zhǎng)的特點(diǎn)。 “十三五”期間，我國(guó)功率半導(dǎo)體為重點(diǎn)的電力電子產(chǎn)業(yè)應(yīng)當(dāng)以什么樣的一幅路線圖進(jìn)行發(fā)展?《藍(lán)皮書(shū)》建議，2016～2020年，在以下技術(shù)和產(chǎn)業(yè)進(jìn)行重點(diǎn)布局，并制定關(guān)鍵材料和關(guān)鍵器件的相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。其中，近期發(fā)展目標(biāo)可制訂為：在硅基電力電子器件用8英寸高阻區(qū)熔中照硅單晶圓片，IGBT封裝用平板全壓接多臺(tái)架精密陶瓷結(jié)構(gòu)件、氮化鋁覆銅板、鋁-碳化硅散熱基板，6英寸碳化硅單晶及外延材料，6英寸～8英寸硅基GaN外延材料和4～6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN耐高溫(>300oC)封裝材料等關(guān)鍵材料方面形成生產(chǎn)能力;關(guān)鍵電力電子器件方面，硅基IGBT芯片、模塊以及硅基MOSFET、FRD的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)到一定的份額，形成中低壓 SiC功率二極管、JFET和MOSFET以及低壓GaN功率器件等器件生產(chǎn)能力，開(kāi)發(fā)相應(yīng)功率模塊。2020年發(fā)展目標(biāo)為：在關(guān)鍵材料方面，形成硅基電力電子器件所需全部材料、碳化硅6英寸單晶和厚外延材料、6～8英寸硅基GaN外延材料和4～6英寸碳化硅基GaN外延材料、SiC和GaN電力電子器件所需高溫(>300oC)封裝材料等的生產(chǎn)能力，并建立相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)體系和專(zhuān)利保護(hù)機(jī)制;在關(guān)鍵電力電子器件方面，硅基IGBT、MOSFET、FRD形成系列化產(chǎn)品，綜合性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，SiC二極管、晶體管及其模塊產(chǎn)品和GaN器件產(chǎn)品具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

    半導(dǎo)體 功率半導(dǎo)體 十三五

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