雖然此次德國Intersolar太陽能展已經(jīng)落幕,但是從此展場中,太陽能業(yè)者認為,最值得兩岸業(yè)者關(guān)注的新競爭對手莫過于后來進駐的韓系「三劍客」三星電子(SamsungElectronics)、現(xiàn)代(Hyundai)及樂金電子(LGElectronics),太陽能業(yè)者指出,這3家業(yè)者來勢洶洶,傳出某1業(yè)者更祭出「現(xiàn)在購買、5年后付款」的優(yōu)惠方案,明顯沖著價格具競爭力的兩岸業(yè)者而來。此次德國Intersolar太陽能展中,被列為新進者的韓國三星、現(xiàn)化及樂金被視為韓系「三劍客」,不但擁有雄厚資金,不像其它早期投入者擔心銀彈不足的問題,近年來在太陽光電領(lǐng)域積極布局看似成果有成,Intersolar展形同寶劍出鞘,祭出相當優(yōu)渥的購買策略來吸引客戶。太陽能業(yè)者表示,在該展中即傳出,其中某家韓系業(yè)者除了向客戶宣稱其太陽能電池的轉(zhuǎn)換效單晶已達18.5%、多晶已達17.5%,宣示其技術(shù)從未落人后,且號稱2011年太陽能模塊每瓦報價可達到1.55美元,雖然業(yè)者認為價格可能還不能與大陸業(yè)者相競爭,但若加上該韓廠本身的品牌影響力,其實在價格上已經(jīng)相當具有競爭力。除了結(jié)晶矽太陽能模塊外,該韓系廠也展示本身在薄膜太陽能模塊市場的耕耘,主要重心會先鎖定在透光型薄膜太陽能模塊(SeeThrough)及一體型太陽能電池模板(Building-IntegratedPhotovoltaic;BIPV)領(lǐng)域,由于該公司已具有蓋大型太陽能電廠的實戰(zhàn)經(jīng)驗,市場預(yù)估,其最終大力布局的領(lǐng)域可望以終端太陽能系統(tǒng)端為主。第2家被點名的韓國廠除了擁有相當?shù)募夹g(shù)能力外,積極朝垂直整合布局,且開始著墨太陽能系統(tǒng)端零件的耕枟,包括2010年最受矚目的太陽能轉(zhuǎn)換器(PVInverter)等,而最令業(yè)者關(guān)注的是,這次展覽中傳出該業(yè)者祭出「現(xiàn)在購買、5年后付款」的特惠方案,祭出的特惠震撼彈,擺明與目前在價格競爭力最具優(yōu)勢的大陸業(yè)者杠上。第3家韓國廠目前仍在積極建廠,且2012年產(chǎn)品才會大量問世,但祭出薄膜太陽能模塊轉(zhuǎn)換效達10%、結(jié)晶矽太陽能電池最高在18%以上,展示其在該領(lǐng)域的技術(shù)布局實力。太陽能業(yè)者表示,韓系業(yè)者在太陽光電領(lǐng)域的企圖心向來強盛,即使相較于兩岸業(yè)者可能較晚踏入太陽光電產(chǎn)業(yè),但有規(guī)劃性的循序布局與發(fā)展,也展示其后續(xù)爆發(fā)力不容輕忽,尤其祭出的購買配套方案不亞于目前在價格具領(lǐng)域優(yōu)勢的大陸垂直整合廠,將使后續(xù)市場競爭更加激烈。太陽能業(yè)者也直指,韓系業(yè)者在太陽能系統(tǒng)領(lǐng)域具實戰(zhàn)經(jīng)驗,所以,垂直整合布局好后,極可能大力發(fā)展獲利空間相對高的全球太陽能系統(tǒng)領(lǐng)域,但臺灣的政府在補助及輔助上相對落后,使得臺系業(yè)者多數(shù)至今仍無大規(guī)模系統(tǒng)的實戰(zhàn)經(jīng)驗,未來在系統(tǒng)端的競爭上也相對顯得弱勢。
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布榮獲端到端產(chǎn)品生命周期解決方案供應(yīng)商 Celestica公司頒發(fā)2009年總體擁有成本 (Total Cost of Ownership, TCOOTM) 供應(yīng)商獎項。有關(guān)獎項是表彰支持Celestica的TCOO 采購戰(zhàn)略并為其產(chǎn)品提供盡可能好的供應(yīng)鏈解決方案的供應(yīng)商。飛兆半導(dǎo)體全球電子制造服務(wù)商 (EMS) 部門副總裁Andrea Mirenda稱:“我們非常高興獲得Celestica頒發(fā)的供應(yīng)商獎項。幫助客戶取得成功是飛兆半導(dǎo)體的重要前提,而這一獎項正好確認我們配合Celestica的戰(zhàn)略交貨期管理目標而作出的努力。我們期待繼續(xù)與Celestica密切合作,并致力于提供高品質(zhì)產(chǎn)品和卓越的供應(yīng)鏈管理,以推動終端產(chǎn)品的差異化?!苯衲晔荂elestica第四年頒發(fā)TCOO供應(yīng)商獎項。Celestica通過公司的TCOO體系考核供應(yīng)商在質(zhì)量、交貨、技術(shù)、服務(wù)、價格和靈活性等指標,從而度量供應(yīng)商在發(fā)票價格以外的制造、付運和支持產(chǎn)品與服務(wù)的總體成本,以評測供應(yīng)商的表現(xiàn),并頒發(fā)獎項表彰Celestica超過3000家全球供應(yīng)商中表現(xiàn)卓著的企業(yè)。Celestica首席采購官Harvinder Sembhi稱:“我們熱烈祝賀飛兆半導(dǎo)體獲得2009 TCOO供應(yīng)商獎項,并誠摯地感謝飛兆半導(dǎo)體支持Celestica的供應(yīng)鏈戰(zhàn)略,幫助我們提升供應(yīng)鏈的速度、靈活性和響應(yīng)能力?!?/p>
iSuppli稱,半導(dǎo)體供應(yīng)商的芯片庫存仍保持在異常低的水平,庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)似乎要遠遠低于財務(wù)報告中顯示的水平。第一季度全球半導(dǎo)體庫存價值相當于257.3億美元,僅較此前一個季度增長1%,較上年同期僅增長0.2%。預(yù)計第二季度庫存價值增長3.3%,至266億美元,延續(xù)2010年初以來的緩慢增長趨勢。iSuppli稱,第一季度的 69天中,庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)較2009年第四季度增加3.2%,這一數(shù)據(jù)看起來似乎令人滿意,但倘若將已公布收入、庫存價值及調(diào)整后的銷貨成本考慮在內(nèi),那么當季庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)實際較傳統(tǒng)季節(jié)平均水平低20%。
一提到新加坡,我們往往會聯(lián)想到美麗的圣淘沙和魚尾獅,但其實旅游業(yè)并非新加坡的支柱產(chǎn)業(yè),真正拉動GDP增長的則是以電子產(chǎn)業(yè)為龍頭的一系列實體經(jīng)濟。來自新加坡經(jīng)濟發(fā)展局(簡稱EDB)的數(shù)據(jù)顯示:2009年,新加坡國內(nèi)生產(chǎn)總值為2650億新元(1820億美元),其中制造業(yè)以20%份額居首位;而在制造業(yè)中,電子產(chǎn)業(yè)又以32%的比重遙遙領(lǐng)先于化工、交通、生物醫(yī)藥等其他產(chǎn)業(yè)。新加坡EDB電子產(chǎn)業(yè)署署長方秉芬告訴記者:“盡管在去年受到全球經(jīng)濟的影響,新加坡GDP出現(xiàn)2%的負增長,但電子產(chǎn)業(yè)依舊逆市上揚,創(chuàng)造產(chǎn)值達639億新元,解決就業(yè)人口約9萬人?!蓖瑫r她還表示,今年一季度新加坡GDP急速回升,電子行業(yè)累計產(chǎn)值上漲70.2%,成為重要的經(jīng)濟引擎,外資企業(yè)紛紛進駐并設(shè)立分支機構(gòu),產(chǎn)業(yè)項目投資和技術(shù)人才引進也越發(fā)頻繁,截至目前,全球電子領(lǐng)域排名前50的知名企業(yè)都將自己的研發(fā)中心或亞太總部遷移至此。這一連串的數(shù)據(jù)足以投射出新加坡繁榮的產(chǎn)業(yè)景象,但令人好奇的是,為何這樣一個資源貧瘠、土地稀少,連飲用水都要進口的國家能夠吸引如此多跨國企業(yè)的目光,并成為他們立足亞洲、輻射全球的戰(zhàn)略要地?在走訪了新加坡當?shù)乇姸嗟碾娮悠髽I(yè)后,記者發(fā)現(xiàn),良好的親商政策、成熟的產(chǎn)業(yè)環(huán)境、開放的人才引進以及便利的運輸通道成為了企業(yè)們評價新加坡的一致口徑。親商環(huán)境贏得企業(yè)信任“穩(wěn)定的政治環(huán)境和完善的商業(yè)服務(wù)設(shè)施一直是新加坡政府給予跨國企業(yè)的重要承諾,同樣我們在稅收等方面也提供了一系列優(yōu)惠政策?!盋ontact Singapore區(qū)域主任王隆慶告訴記者,在新加坡,企業(yè)申請執(zhí)照的流程非常簡潔,手續(xù)齊備的話只需要幾分鐘時間。在今年4月,新加坡經(jīng)濟戰(zhàn)略委員會更是提出了七大經(jīng)濟促進戰(zhàn)略——提升本地技能、打造亞洲樞紐、加強研發(fā)成果商業(yè)化以及促進全球化文化交流成為政府報告中的關(guān)鍵詞。這些戰(zhàn)略也將進一步鞏固外資企業(yè)投資新加坡的信心,“并為新加坡未來10年內(nèi)實現(xiàn)年均增長3%~5%奠定基礎(chǔ)”。相關(guān)政府官員還表示:“跨國企業(yè)未來依然是國家經(jīng)濟中的主要角色,與此同時,新加坡也將吸引中型企業(yè)和亞洲企業(yè)進駐,并在產(chǎn)業(yè)鏈中形成互補?!比绱顺墒斓慕?jīng)商環(huán)境顯然不是一蹴而就的,經(jīng)歷了40多年的發(fā)展演變,新加坡逐漸意識到,只有發(fā)展具備高附加值的創(chuàng)新科技產(chǎn)業(yè)才能使國家經(jīng)濟長遠發(fā)展,因此新加坡堅持經(jīng)濟轉(zhuǎn)型,從上世紀60年代的勞動密集型,到70年代的技術(shù)密集型,再到80年代的資本密集型,90年代的科技密集型,直至發(fā)展成為今天的知識密集型產(chǎn)業(yè),而電子產(chǎn)業(yè)的重要地位也在這一長期的產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟轉(zhuǎn)型中不斷凸顯。與此同時,新加坡獨特的人口構(gòu)成也為眾多企業(yè)實現(xiàn)全球化提供了舞臺。Silicon Labs嵌入式混合信號產(chǎn)品設(shè)計總監(jiān)Kafai Leung表示,IC設(shè)計的人才和技術(shù)門檻非常高,企業(yè)為謀求發(fā)展需要不斷吸收外界養(yǎng)分,因此全球化是芯片企業(yè)的必然趨勢,而新加坡正處中西文化的交匯處,摒棄了本土文化限制,來自世界各國的企業(yè)和個人可以在開放的環(huán)境下得以快速成長。鏈條式發(fā)展打造產(chǎn)業(yè)群除了親商環(huán)境,鏈條式的產(chǎn)業(yè)群建設(shè)也是新加坡電子產(chǎn)業(yè)的重要特征,半導(dǎo)體行業(yè)就是其中的典型案例。最新數(shù)據(jù)顯示,半導(dǎo)體已成為新加坡重要的支柱性產(chǎn)業(yè),占電子制造業(yè)58%的份額;同時,新加坡半導(dǎo)體的產(chǎn)能在全球的比重已從2001年的6.3%上升至2009年的11.2%,由此,新加坡成為了全球半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)?!皬腎C設(shè)計、芯片制造,再到封裝和測試,新加坡的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成了一個成熟的產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境,來自全世界的芯片大鱷幾乎都已在此設(shè)廠,緊密的產(chǎn)業(yè)鏈條不但為企業(yè)找到了產(chǎn)業(yè)定位,同時也在加速產(chǎn)業(yè)的全球一體化進程?!盇vago公司人力資源負責人Iris表示。來自EDB的報告顯示,新加坡半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)數(shù)量已經(jīng)超過300家,分別來自北美、歐洲、日本等多個地區(qū),其中包括40家IC設(shè)計公司、14家硅晶圓廠、8家特制晶圓廠、20家封測公司以及一些負責襯底材料、制造設(shè)備、光掩膜等產(chǎn)業(yè)周邊企業(yè)。而在今年5月,英飛凌表示將再度投資1400萬新元,擴充自己在新加坡的研發(fā)基地?!爱a(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的建立無論對當?shù)亟?jīng)濟還是企業(yè)發(fā)展都是有益的,聯(lián)發(fā)科作為IC芯片設(shè)計廠商在無線通信、多媒體數(shù)字領(lǐng)域提供芯片整合解決方案時,已與當?shù)囟嗉野雽?dǎo)體相關(guān)企業(yè)達成了合作關(guān)系,以完善聯(lián)發(fā)科在研發(fā)和測試方面的工作?!甭?lián)發(fā)科研發(fā)部門楊文軒表示。據(jù)悉,聯(lián)發(fā)科早在2004年就在新加坡成立了研發(fā)中心。
如果您是半導(dǎo)體業(yè)的預(yù)言者,六個月過去將作什么調(diào)整?隨著前幾個月半導(dǎo)體業(yè)轉(zhuǎn)入增長時代,WSTS及SIA將調(diào)整去年11月的預(yù)測,而作新的2010年半年預(yù)測。目前WSTS對于2010年非常樂觀,與先前的預(yù)測相比,增加3倍達29%為2900億美元。其它多家市場分析機構(gòu)也更新預(yù)測,認為今年增長30%有可能,但是未來兩年2011-2012將下降到個位數(shù)的增長,并預(yù)計2010-2012期間的年均增長率為12.3%,達到3200億美元規(guī)模。 從器件類別及地域看,與6個月之前相比它們的增長率近翻倍(存儲器與分立器件增長率更高)。因為2009年最終結(jié)果,也即上次11月預(yù)測的1個月之后也發(fā)生了大的變化,如整個半導(dǎo)體業(yè)的增長提高了2.8%及存儲器提高了近5%。 同樣,由于SIA是基于WSTS的數(shù)據(jù)作的預(yù)測,但也有少些不同,如SIA預(yù)測2010年半導(dǎo)體增長28.4%/2905億美元,緊接著2011年增長6.5%/3080億美元及2012年增長2.9%/3178億美元。從2010年上半年看各類產(chǎn)品,包括地區(qū)的市場全線上揚,庫存在合理范圍內(nèi),未見異常。這是SIA總裁GeorgeScalise所言。由于發(fā)展中國家如中國,印度等大力推動IT市場需求,預(yù)計全球GDP在2010及2011年分別有4.6%與4.4%的增長。下表為SIA半導(dǎo)體業(yè)預(yù)測;
韓國樂金電子(LGElectronics)計劃在2015年以前斥資1兆韓元(約8.28億美元)發(fā)展太陽能電池事業(yè)。樂金電子預(yù)估在2015年前,太陽能電池事業(yè)將貢獻3兆韓元營收,產(chǎn)能由240百萬瓦提升至10億瓦。2008年時,樂金電子完成其第1條太陽能電池生產(chǎn)線,并在2010年開始投產(chǎn),產(chǎn)品主要內(nèi)銷和銷往歐洲市場,該公司預(yù)定在今年增開第2條產(chǎn)線。樂金電子計劃將未來的成長重心放在太陽能事業(yè)上,2010年4月曾表示,2020年前將投入20兆韓元降低集團溫室效應(yīng)氣體排放,以及發(fā)展省能源產(chǎn)品。
西班牙太陽光電工業(yè)同業(yè)(AsociaciondelaIndustriaFotovoltaica,簡稱ASIF)發(fā)言人TomasDiaz指出,西班牙政府打算將目前落地式太陽能面板廠的補助額調(diào)降30%,未來則將進一步調(diào)降45%。此外,屋頂太陽能系統(tǒng)補貼額也將調(diào)降25%。Diaz表示,他不認為太陽能產(chǎn)業(yè)能夠在此種補貼條件下存活。西班牙相關(guān)主管機關(guān)發(fā)言人不愿對此消息作出回應(yīng)。Diaz表示,西班牙可能會在2010年10月以前宣布調(diào)降太陽能補貼額。他指出,西班牙政府希望立即調(diào)降補貼,并要求太陽能業(yè)者在兩天內(nèi)決定現(xiàn)有廠房補貼調(diào)降的方式。美國多數(shù)太陽能類股16日聞訊走軟。大陸太陽能電池生產(chǎn)巨擘無錫尚德(SuntechPowerHoldingsCo.Ltd.)跌1.66%,收10.08美元。美國太陽能電池廠商SunPowerCorp.跌1.19%,收14.06美元。大陸太陽能垂直整合大廠林洋新能源(SolarfunPowerHoldingsCo.Ltd.)跌2.77%,收8.07美元。西班牙經(jīng)濟學(xué)家報(ElEconomista)報導(dǎo),國際貨幣基金(IMF)、歐盟以及美國財政部計畫為西班牙提供最多2,500億歐元(3,070億美元)的信用額度。不過,歐盟與西班牙政府都否認了這項報導(dǎo)。西班牙央行16日指出,將會公開銀行壓力測試報告,而德國也正在與針對銀行測試報告的公開事宜與歐盟合作。
意法半導(dǎo)體與清華大學(xué)建立長期合作伙伴關(guān)系清華大學(xué)意法半導(dǎo)體2010年6月18日,意法半導(dǎo)體與清華大學(xué)深圳研究生院達成建立長期研發(fā)戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。從2002年建立ASIC專用集成電路合作研究中心開始,本戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂代表雙方的合作關(guān)系已進入第二階段。意法半導(dǎo)體將在數(shù)字多媒體芯片和應(yīng)用軟件以及先進模擬芯片和應(yīng)用軟件方面為清華大學(xué)提供工程項目、技術(shù)支持和先進設(shè)計工具。根據(jù)本協(xié)議的規(guī)定,意法半導(dǎo)體還將向清華大學(xué)深圳研究生院提供5年的研發(fā)經(jīng)費,每年100萬人民幣,并負責每年研發(fā)項目全面評審。清華大學(xué)深圳研究生院和清華大學(xué)電子工程系將為雙方的長期研發(fā)合作提供充足的人才資源(包括畢業(yè)生和專業(yè)技術(shù)人員)、設(shè)備及對中國市場的深入而全面的認識。清華大學(xué)深圳研究生院常務(wù)副院長康飛宇教授評論這項長期研發(fā)戰(zhàn)略合作伙伴計劃時說:“該項合作為清華根據(jù)市場需要開發(fā)IC模塊和芯片推進集成電路設(shè)計和創(chuàng)新水平提供了很好的機會。發(fā)揮雙方的技術(shù)、人才與管理優(yōu)勢,拓展合作領(lǐng)域,合作項目主要為未來5年將要轉(zhuǎn)化為實際應(yīng)用的科研領(lǐng)域,對于迅速提高、加強國內(nèi)設(shè)計人員的研發(fā)水平非常有益。”意法半導(dǎo)體公司副總裁兼大中國及南亞區(qū)首席執(zhí)行官FrancoisGuibert對此次合作持積極的歡迎態(tài)度:“意法半導(dǎo)體已經(jīng)在中國市場發(fā)展很多年,我們建立了實力雄厚的本地芯片封裝、設(shè)計和應(yīng)用開發(fā)團隊。意法半導(dǎo)體與清華的合作關(guān)系將有助于提升公司針對本地市場的需求提供定制的芯片解決方案的本地化能力。與清華大學(xué)的長期研發(fā)合作,將進一步拓寬并鞏固意法半導(dǎo)體在全球最活躍、發(fā)展最迅速的市場中與主要廠商的良好關(guān)系?!迸c清華大學(xué)的長期研發(fā)戰(zhàn)略合作作為意法半導(dǎo)體在歐洲、亞洲和美國與一流大學(xué)及研究機構(gòu)建立的合作伙伴體系的重要補充,將帶來由本地設(shè)計的復(fù)雜芯片數(shù)量的大幅增長。
6月9日,在天津經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)微電子工業(yè)區(qū)內(nèi),天津三星LED有限公司舉行了新生產(chǎn)線投產(chǎn)慶典。天津三星LED有限公司成立于2009年6月,用地面積為43000平方米。僅僅一年多,天津三星工廠擴大產(chǎn)能迅速實現(xiàn)一變?nèi)?。這只是三星LED產(chǎn)業(yè)鏈上的一個環(huán)節(jié),來自韓國工廠的芯片,會在這里完成封裝以及形成模塊的研發(fā)、制造和下游的應(yīng)用銷售。LED產(chǎn)業(yè)是三星垂直一體化的產(chǎn)業(yè)整合能力又一典型代表,這使得其在終端市場中更具競爭力。產(chǎn)能一年翻番天津工廠要做全球第一據(jù)天津三星LED有限公司總經(jīng)理金常務(wù)介紹,2009年6月,以天津三星LED第一家工廠為基礎(chǔ),將LED事業(yè)從三星電機高新法人分離出來,設(shè)立了天津三星LED有限公司。2009年9月,在天津市微電子工業(yè)區(qū)租用了現(xiàn)代電子的建筑,進行改造,建立了二工廠,用于生產(chǎn)LED彩電用的PKG。2010年2月,三工廠也正式量產(chǎn)LEDPKG和LED彩電用模塊?!暗侥壳盀橹?,我們已經(jīng)具備了相當規(guī)模的生產(chǎn)能力?!苯鸪?wù)表示。天津三星LED延續(xù)了生產(chǎn)制造部門的低調(diào),當日并不愿意透露具體的投資額度以及產(chǎn)能。南都記者側(cè)面了解到,目前市場上彩電用LED很大部分來自于這里,其中一廠主要生產(chǎn)手機、電腦用產(chǎn)品。二廠、三廠產(chǎn)品則主要用于汽車和彩電。二廠、三廠和一廠的產(chǎn)能相差不大,這意味著產(chǎn)能實現(xiàn)了200%左右的增長,而且四廠也已經(jīng)在規(guī)劃中。南都記者在二廠看到,密閉的生產(chǎn)線24小時不停運轉(zhuǎn),LED產(chǎn)業(yè)是技術(shù)和資金密集型產(chǎn)業(yè),一個車間內(nèi)僅有幾位員工在一臺臺機器間不斷查看數(shù)據(jù)。據(jù)三星方面介紹,來自三星韓國工廠的芯片,就是在這里進行封裝,焊金絲線,點熒光粉,經(jīng)過一系列環(huán)節(jié)后形成LED產(chǎn)品,除了實現(xiàn)自我供給,還向多家其他企業(yè)供貨。1995年4月,三星邁出LED事業(yè)第一步,三星希望通過將LED用于便攜產(chǎn)品、彩電等找到新的市場空間。2009年4月,三星電子和三星電機攜手,創(chuàng)立三星LED公司,之后兩個月就有了天津三星LED。韓國三星LED總裁金在旭表示,天津三星LED公司在成立時,就確立了目標,即成為世界第一的LED公司,起到“三星LED全球化的尖兵作用?!痹谌堑男聭?zhàn)略產(chǎn)業(yè)投資計劃中,截至2020年,將在LED(顯示材料)、環(huán)保能源等領(lǐng)域投資23.3兆韓元(約合1407.32億人民幣),其中三星在LED產(chǎn)業(yè)投資最大,將從顯示用背光源向照明、發(fā)光電子部件等領(lǐng)域擴大,計劃到2020年實現(xiàn)累計投資8.6兆韓元,銷售額17.8兆韓元。鏈條式擴張實現(xiàn)規(guī)模效應(yīng)LED是三星頗為得意的一步棋。2009年三星率先推出LED電視,全球銷量一舉突破260萬臺,這被內(nèi)部稱為“空前的成功”。事實上,三星LED電視的背后有一個完整的產(chǎn)業(yè)鏈條為其提供支持。在韓國的水原總部,主要承擔了銷售、采購、管理支援等核心技能以及研究開發(fā)部分。韓國器興工廠負責生產(chǎn)芯片等業(yè)務(wù)。天津的LED工廠則負責將芯片加工成LED產(chǎn)品的包裝工程與模塊工程。除了韓國和中國,還在全球六個國家設(shè)立了銷售部門?!拔覀兪侨蜃畲蟮陌雽?dǎo)體企業(yè),這使得我們在發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)上占據(jù)優(yōu)勢”。有三星內(nèi)部人士表示,三星在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)積累了大量的技術(shù)和經(jīng)驗,對于LED芯片生產(chǎn)、研發(fā)提供了支持。此前,也有三星內(nèi)部人士表示,三星的芯片是公司盈利最為豐厚的部分,美國市場調(diào)研公司ICInsights預(yù)計,韓國三星電子公司2010年全年的半導(dǎo)體芯片銷售額將會增長50%,飆升至300億美元。在5月中旬三星拋出的2010年年度26兆韓元的一攬子投資計劃中,半導(dǎo)體領(lǐng)域就占了11兆韓元。與很多歐美廠商不同的是,三星不僅僅有很強的研發(fā)能力,也堅持自己建廠、自己生產(chǎn),這種垂直一體化的產(chǎn)業(yè)整合能力在全球信息產(chǎn)業(yè)巨頭中比較少見。據(jù)了解,天津三星LED銷售增長迅速,對比前一年已經(jīng)實現(xiàn)了三倍增長。目前,液晶面板正逐步采用LED背光源。這意味著,LED背照燈成本的降低和芯片的穩(wěn)定供應(yīng)成為競爭的關(guān)鍵。南都記者了解到,天津三星LED的設(shè)備價格每臺高達10萬美元,采購規(guī)模不下千臺。動輒上億美元的投資,使得三星可以盡快實現(xiàn)規(guī)模效應(yīng),降低成本。
期待德國后延下砍補助的人恐要空歡喜一場!德系太陽能業(yè)者表示,德國已通過依照原案于7月1日下砍太陽能屋頂補助費率16%,地面太陽能電廠費率下砍15%。顯示德國上議院6月初的杯葛最后是無功而返,而全球市占率高達5成的德國市場大刀下砍后,預(yù)估市場將在近期快速反應(yīng)7月的新環(huán)境。太陽能業(yè)者表示,德國市場已傳出,其新太陽光電補助案將照原案執(zhí)行,太陽能屋頂補助下調(diào)16%的電價買回費率補助,地面(groundmounted)裝置補助則下調(diào)15%,均在7月1日實施,2010年若安裝量超過35億瓦,則再追加2.5%的下調(diào)補助、2012年后變成追加3%。由于時差關(guān)系,目前在國際媒體上仍未見相關(guān)報導(dǎo),不過,依照業(yè)者最初判斷,德國或后延下砍補助的日期,德系業(yè)者因空窗期無法適從,期間所造的損失,可以依法控訴德國政府并要求賠償。德國下議院原定決的法案,在6月初受到上議院杯葛,上議院要求以下砍不超過10%的補助費率來挽救德國的太陽光電產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈及補助下砍所造成的就業(yè)危機,讓市場期待下砍補助案可能后延,現(xiàn)在看來恐是空歡喜一場。
環(huán)保意識的提升,首當其沖的就是對各種電子產(chǎn)品能效指標的愈加嚴格,功耗管理及其對系統(tǒng)成本和性能的影響是當前電子系統(tǒng)設(shè)計人員和制造商所首要關(guān)注的問題。隨著競爭日益激烈,盡力降低功耗、加強對熱耗散的有效管理、并同時在由價格和性能驅(qū)動的功能方面保持領(lǐng)先等更加不可或缺。與眾多先進電源管理方案實現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比,制程工藝的進步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法,轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升半導(dǎo)體產(chǎn)品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法?! ∈袌鲅芯繖C構(gòu)Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示,過去數(shù)十年來,集成器件制造商(IDM)在工藝技術(shù)及服務(wù)的創(chuàng)新方面扮演領(lǐng)航者的角色,未來也將繼續(xù)在新世代產(chǎn)品的開發(fā)上扮演重要的角色。專業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域所產(chǎn)出芯片的市場銷售金額占全球半導(dǎo)體業(yè)的比例已從1998年的9.2%增加到2009的28.1%。 經(jīng)歷過經(jīng)濟危機的洗禮之后,半導(dǎo)體市場從2009年下半年開始強力反彈,在這樣的市場大環(huán)境推動下,2010年又將迎來一個制程工藝全面革新?lián)Q代的年份。2009年,Intel已經(jīng)邁入了32nm時代,今年領(lǐng)先的幾大代工廠商均已經(jīng)宣布開始量產(chǎn)32nm的博弈。TSMC(臺積電)、IBM聯(lián)盟以及三星都已經(jīng)在2009年公開了自己2010年的工藝革新計劃,只是,這次三大代工陣營似乎如商量好般直接發(fā)布自己的28nm工藝,而跳過了32nm這個主節(jié)點?! 〈S的進程 28nm工藝是目前幾大主流Foundry(代工廠)提供的新一代工藝節(jié)點,代工界龍頭TSMC計劃于2010年第三季與第四季依序推出28LP 低耗電及28HP高效能的工藝以滿足客戶的需求,并且于2011年第一季再推出28HPL 高效能低耗電的后續(xù)工藝。一般而言,大規(guī)模的生產(chǎn)時程會于推出半年后開始。TSMC將同時提供客戶高介電層/金屬柵(HKMG,High-k Metal Gate)及氮氧化硅(SiON,Silicon Oxynitride)兩種材料選擇,與40nm工藝相較,柵密度更高、速度更快、功耗更少。TSMC負責研發(fā)的資深副總蔣尚義博士介紹,之所以選擇跳過32nm,是因為工藝都是基于服務(wù)客戶的需求。 相較于32nm,28nm的柵密度顯然更高許多。同時考慮到客戶在高效能對于速度以及無線移動通訊對于低耗電方面的要求分別推出以HKMG柵極工藝的28HP以及延續(xù)SiON閘極介電材料的28LP,相信會給客戶帶來更多在效能,耗電及成本方面的效益。 TSMC的HKMG用于28HP高效能是全新的工藝,與40nm相較在相同漏電基礎(chǔ)上有50%的速度提升,相同速度基礎(chǔ)上漏電亦有大約50%的降低。HKMG的工藝成本會增加,但是TSMC在每一代的工藝都會給客戶盡可能高的性價比。TSMC的28nm HKMG比一般32nm有更高的柵密度、更快的速度、更低的耗電,同時HKMG更進一步降低了柵極的漏電。盡管也有競爭對手同時有采用Gate first的工藝,但是這種單一金屬材料很難同時讓NMOS、 PMOS 達到功能的匹配。TSMC使用不同的金屬材料使得NMOS、PMOS在功能的匹配及Vt調(diào)整上都能達到要求?! 脑O(shè)計角度,蔣尚義博士介紹,28nm與現(xiàn)在的45(40)nm這代工藝相比存在全新挑戰(zhàn)。 TSMC在45(40)nm 采用了部分的設(shè)計準則限制(Restricted Design Rule),但是到28nm設(shè)計準則限制的范圍更加擴大;另外提取和仿真(extraction and simulation)需要處理更多的數(shù)據(jù)。為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn),TSMC和客戶以及設(shè)計伙伴間對每個產(chǎn)品都必須更早及更緊密地聯(lián)系及合作?! 榱颂岣吆献鞯男埽琓SMC為了先進工藝推出多項EDA技術(shù)檔案。包括可互通的制程設(shè)計套件(iPDK)、制程設(shè)計規(guī)則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS),及制程電容電阻抽取模塊 (iRCX),其中iRCX就是為28nm推出的?! ∨c前一代工藝比較,為了依然能夠達到讓新工藝有大約2倍的柵密度(gate density),TSMC的28nm 在線路布局方面有新的要求。同樣地,將來更新工藝如 22/20nm在design rule(設(shè)計準則)方面會有許多新的要求與限制以達到柵密度倍增的要求。將來可以預(yù)見的是客戶會更緊密地與晶圓代工伙伴合作以提前應(yīng)對許多在制程工藝以及設(shè)計上更多的挑戰(zhàn),以達到上市以及上量的目標。 Fabless擇機而動 處理器、FPGA與基帶處理,這三個能夠完成獨立處理功能的半導(dǎo)體產(chǎn)品還有什么共同點?那就是必須一直堅持緊跟工藝革新的步伐,否則就將面對可能掉隊的危險。這三種產(chǎn)品其實并不一定是采用最領(lǐng)先的制程就能制造出最符合市場需求的產(chǎn)品,但面對著越來越激烈的半導(dǎo)體產(chǎn)品競爭,三大產(chǎn)品線已經(jīng)不得不咬緊牙關(guān),把工藝緊跟到底。在眾多Foundry已經(jīng)公布28nm路線圖的基礎(chǔ)上,目前只有這三大應(yīng)用的Fabless公司高調(diào)公布了自己的28nm產(chǎn)品戰(zhàn)略?! √幚砥鳌 ntel早已在2009年就開始32nm生產(chǎn),作為目前唯一一個宣稱要堅持到底的IDM廠商,Intel一直將工藝作為其產(chǎn)品的核心競爭力之一。而另一家處理器廠商AMD則還在與自己的代工廠GLOBALFOUNDRIES(GF)進行相關(guān)工藝開發(fā),預(yù)計今年下半年可以推出32(28)nm的工藝。通用處理器IP廠商MIPS同樣已經(jīng)開始推出基于全新制程節(jié)點的參考設(shè)計提供給客戶。 便攜處理器方面,GF和ARM共同發(fā)布了其尖端片上系統(tǒng)平臺技術(shù)的新的細節(jié),該平臺技術(shù)專門針對下一代無線產(chǎn)品和應(yīng)用。這一新的平臺包括兩種GF的工藝:針對移動和消費應(yīng)用的28nm超低功耗(SLP)工藝和針對要求最高性能應(yīng)用的28nm高性能(HP)工藝,預(yù)計GF將在2010年下半年啟動制造生產(chǎn)。相較于以往的40/45nm技術(shù), 28nm工藝及其Gate-First HKMG技術(shù)能夠提供卓越的性能收益。根據(jù)目前的預(yù)計,28nm HKMG在相同的溫度范圍(thermal envelope)內(nèi)提高約40%的計算性能,改善移動設(shè)備的應(yīng)用性能,強化多任務(wù)處理能力??蛻粼趶V泛采用的Gate-First方法中的獲益,現(xiàn)在也能在 HKMG工藝中取得。與40/45nm工藝相比,28nm HKMG工藝的結(jié)合能夠提升30%的功耗效率,并將待機電池壽命延長了100%?! PGA Altera公司在今年2月初舊已經(jīng)確定2010年將攜手TSMC推出自己的28nmFPGA產(chǎn)品,同時在即將推出的28nm中采用的創(chuàng)新技術(shù):嵌入式HardCopy模塊、部分重新配置新方法以及嵌入式28/Gbs收發(fā)器,這些技術(shù)將極大的提高下一代Altera FPGA的密度和I/O性能,并進一步鞏固相對于ASIC和ASSP的競爭優(yōu)勢。Altera總裁、主席兼CEO John Daane評論說:“隨著向下一工藝節(jié)點的邁進,Altera的這些創(chuàng)新技術(shù)將引領(lǐng)業(yè)界超越摩爾定律,解決帶寬挑戰(zhàn),同時滿足成本和功耗要求?!薄 ≠愳`思可編程平臺開發(fā)全球高級副總裁 Victor Peng 指出:“在 28 nm這個節(jié)點上,靜態(tài)功耗是器件總功耗的重要組成部分,有時甚至是決定性的因素。由我們選擇了TSMC和三星的高介電層/金屬柵 (HKMG)高性能低功耗工藝技術(shù),以使新一代 FPGA 能最大限度地降低靜態(tài)功耗,確保發(fā)揮28 nm技術(shù)所帶來的最佳性能和功能優(yōu)勢?!辟愳`思28nm工藝技術(shù)的相關(guān)產(chǎn)品將于 2010 年第四季度上市。 基帶處理器 規(guī)模最大的fabless企業(yè)高通資深副總裁兼通訊科技總經(jīng)理Jim Clifford表示,高通借由領(lǐng)先業(yè)界的整合、兼具功耗及成本效益的產(chǎn)品,為客戶帶來“利用最少資源,獲得更多效益”的重要優(yōu)勢,其關(guān)鍵在于與Foundny的緊密合作,現(xiàn)在更進一步延伸至低耗電、低漏電的28nm進行量產(chǎn)。28nm工藝密度可較前一代工藝高出一倍,讓進行移動計算的半導(dǎo)體器件能在更低耗電下提供更多功能。高通與TSMC目前在28nm的合作包括HKMG高效能工藝技術(shù)以及SiON的低耗電高速工藝技術(shù)。此外,高通預(yù)計于2010年中投產(chǎn)首批 28nm產(chǎn)品。 出貨量最大的Fabless企業(yè)—博通公司的運作和中央工程執(zhí)行副總裁Neil Y. Kim認為:“我們有計劃向下一代的制程技術(shù)轉(zhuǎn)移。博通公司也正在研發(fā)下一代制程技術(shù)的設(shè)計平臺,向先進制程參數(shù)轉(zhuǎn)移的首要原因就是它可以提升性能、降低功耗、減小芯片尺寸,并且實現(xiàn)更高的集成度。我們的評估顯示下一代先進制程可以提供上述所有好處?!睂τ诓┩ǘ裕捎诋a(chǎn)品線相對比較廣,因此Kim介紹,博通會根據(jù)市場需求進行不同產(chǎn)品的評估。大部分采用28/32nm制程技術(shù)的產(chǎn)品更具競爭力,根據(jù)市場需要博通已經(jīng)做好準備迎接新制程技術(shù)的采用,28nm工藝可以為手機和其他應(yīng)用提供更高的帶寬和更低的能耗。此外,新工藝還將持續(xù)著力于實現(xiàn)更高程度的系統(tǒng)集成并推動融合。隨著融合不斷的推進,擁有更強大IP的公司可以更受益于新的制程技術(shù)。(由于設(shè)計的復(fù)雜性)產(chǎn)品研發(fā)的平均成本將會繼續(xù)提升,他們會要求更多的資源、計算和存儲。這就像是提高了入門成本,但是相信消費者也更快地意識到新工藝的好處?! ∥磥恚喝鶦PU和半代SoC? 按照摩爾定律的指引,多年來制程更新的尺寸都是前一代的0.7倍,隨著存儲器行業(yè)不斷在PC的推動下快速成長,存儲器逐漸超越CPU成為制程工藝的領(lǐng)導(dǎo)者,而存儲顆粒的尺寸直接決定了存儲器單位面積上的存儲容量,這就讓存儲器廠商在如何縮減工藝尺寸上絞盡腦汁。于是,誕生了一個比標準工藝節(jié)點(全代工藝)更高密度的工藝,與其同屬一代工藝而工藝尺寸只有全代的0.9。毫無疑問,這樣的變化對Fab的改進不大,投入可以接受,卻可以提供密度為全代工藝1.24倍的芯片,對客戶來說,在成本支出不大的情況下可以讓其產(chǎn)品更有性能競爭優(yōu)勢。對于這樣的革新,某廠商賦予其一個帶有些許感情色彩的稱呼:半代! 隨著所有Foundry齊齊轉(zhuǎn)向28nm的“半代”工藝,半導(dǎo)體極有可能以制程分成兩個陣營,對于需要緊跟制程革新腳步的應(yīng)用芯片來說,芯片的種類將直接決定了采用的制程工藝,由于大部分選擇了代工,SoC及更接近SoC的FPGA等將絕大部分以“半代”工藝出現(xiàn),而CPU依然在Intel的堅守下停留在“全代”工藝。當然,還有些許疑問等待未來證實:擁有CPU生產(chǎn)訂單的GF是否會同時兼顧全代和半代兩個陣營,還是將AMD的CPU推進到半代工藝;Intel重兵出擊的SoC產(chǎn)品,比如Atom處理器等低功耗芯片,是繼續(xù)堅持Intel的全代工藝還是轉(zhuǎn)向更主流的SoC半代工藝?! ?2nm的硝煙剛剛開始,22nm工藝的路線圖也日漸清晰。舊金山秋季IDF 2009上,Intel總裁兼CEO Paul Otellini就展示了世界上第一塊基于22nm工藝的晶圓,并宣布將于2011年下半年發(fā)布相應(yīng)的處理器產(chǎn)品,開發(fā)代號Ivy Bridge。展示的測試晶圓采用22nm工藝結(jié)合第三代高K金屬柵極(HK+MG)晶體管技術(shù)、193nm波長光刻設(shè)備制造而成,其上既有SRAM單元也有邏輯電路,并且切割出來的芯片已經(jīng)可以實際工作,將成為Intel未來22nm處理器的基礎(chǔ)。4月14日,TSMC蔣尚義博士談到TSMC20nm工藝將比22nm工藝擁有更優(yōu)異的柵密度以及芯片性價比,為先進技術(shù)芯片的設(shè)計人員提供了一個可靠、更具競爭優(yōu)勢的工藝平臺。此外,20nm工藝預(yù)計于2012年下半開始導(dǎo)入生產(chǎn)。TSMC20nm工藝系在平面電晶體結(jié)構(gòu)工藝(planar process)的基礎(chǔ)上采用強化的高介電值/金屬閘(HKMG)、創(chuàng)新的應(yīng)變硅(strained silicon)與低電阻/超低介電值銅導(dǎo)線(low-resistance copper ultra-low-k interconnect)等技術(shù)。同時,在其他晶體管結(jié)構(gòu)工藝方面,例如鰭式場效晶體管(FinFet)及高遷移率(high-mobility)元件,也展現(xiàn)了刷新記錄的可行性(feasibility)指標結(jié)果。從技術(shù)層面來看,由于已經(jīng)具備了創(chuàng)新微影技術(shù)以及必要的布局設(shè)計能力,TSMC因此決定直接導(dǎo)入20nm工藝。 如此看來,IDM與Foundry之間已經(jīng)明顯出現(xiàn)制程節(jié)點的不同,這一趨勢將持續(xù)存在下去?,F(xiàn)在尚不能評價半代和全代工藝哪個更適合半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,至少半代總算是一種技術(shù)上的進步,只是做出半代還是全代選擇的權(quán)利還是應(yīng)該留給芯片設(shè)計者,在選擇中去體驗兩種技術(shù)的不同也許對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說才是更健康的發(fā)展之路?! ⒖嘉墨I: [1]李健. 半代工藝盛行 Fabless的幸福還是無奈[OL] .http://lijian1.spaces.eepw.com.cn/articles/article/item/72393 [2]TSMC. TSMC宣布發(fā)展20nm工藝[R].2010.04.14 [3]李健. 40nm工藝帶來全新競爭力[J].電子產(chǎn)品世界,2009,16(9) [4]賽靈思.賽靈思 28 nm技術(shù)及架構(gòu)發(fā)布背景[R].2010.02.23 [5]高通.高通公司與TSMC在28nm工藝技術(shù)上攜手合作[R].2010.01.11
進入2010年后,全球半導(dǎo)體接連擴大設(shè)備投資,將使半導(dǎo)體設(shè)備市場急速膨脹。據(jù)市調(diào)機構(gòu)Gartner預(yù)測統(tǒng)計,因全球半導(dǎo)體企業(yè)自2009年底開始為因應(yīng)逐漸轉(zhuǎn)好的市場情況,紛紛進行大規(guī)模投資,2010年如光學(xué)設(shè)備等半導(dǎo)體制造設(shè)備將較2009年增加113%。三星電子(SamsungElectronics)投資了較原本預(yù)定的5.5兆韓元,多63.6%的9兆韓元資本額進行新產(chǎn)線及30奈米DRAM量產(chǎn)線建設(shè)。日前也發(fā)表對位于美國德州奧斯汀的半導(dǎo)體工廠進行36億美元的投資計劃。海力士(Hynix)也將年初設(shè)定的2.3兆韓元資本額提升32.6%至3.05兆韓元。東芝(Toshiba)投資3,500億日圓建設(shè)產(chǎn)線、爾必達(Elpida)也發(fā)表將投資600億日圓進行工程轉(zhuǎn)換,南亞也將花費新臺幣220億元進行設(shè)備投資。2010年初每顆價格約2.4美元的DDR3芯片最近的固定交易價約為2.7美元,與年初約為3美元的現(xiàn)貨價格相比略微下跌,但5月底仍維持在2.6美元在線。Gartner表示,隨著半導(dǎo)體需求持續(xù)增加,設(shè)備市場的成長趨勢將持續(xù)至2011年,然至2012年將逐漸趨緩。
國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)周四公布,北美2010年5月半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)訂單出貨比(B/B值)為1.12。今年4月B/B值則修正為1.13。5月數(shù)字顯示,晶片設(shè)備業(yè)者出貨100美元,即接獲112美元訂單。北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商5月接獲全球訂單的三個月平均值為14.8億美元,較2010年4月修正后的14.4億美元成長2.8%,與2009年5月的2.878億美元相比則激增415.3%。北美半導(dǎo)體設(shè)備商5月對全球出貨的三個月平均值為13.2億美元,較今年4月修正后的數(shù)字12.8億美元增加3.1%,與2009年5月的3.926億美元相比,則增加236.0%。SEMI總裁兼執(zhí)行長StanleyT.Myers表示:「晶片設(shè)備訂單已連續(xù)14個月走揚,與市場復(fù)甦及企業(yè)提升資本支出的現(xiàn)況相符合」。他強調(diào),位在供應(yīng)鏈中的SEMI成員,正努力履行客戶訂單,以因應(yīng)這波上升的需求。
按印度半導(dǎo)體聯(lián)盟(ISA) 報道,隨著印度國內(nèi)電子市場的迅速增長,電子工業(yè)的發(fā)展己被國內(nèi)提到議事日程上來。按ISA的一份研究報告,2009印度半導(dǎo)體市場達54億美元及到2011年可能增長達到80億美元以上,年均增長率可達22%。按ISA的數(shù)據(jù),2009印度存儲器芯片市場為13億美元,ASSP芯片市場為11億美元,微處理器芯片7.34億美元,ASIC芯片5.81億美元,模擬功率芯片3.38億美元,模擬混合訊號芯片3.34億美元,傳感器芯片1.54億美元,Logic/FPGA 1.34億美元,微控制芯片8600萬美元及DSP芯片市場3000萬美元。據(jù)ISA報道,從應(yīng)用類分,無線手機芯片占2009年印度半導(dǎo)體市場的27.5%,而通訊芯片占19%,訊息技術(shù)與辦公室自動化占34%及消費電子占8%。按Frost & Sullivan的研究,印度半導(dǎo)體市場依2009與2008的比較增長15%以上,而全球半導(dǎo)體市場下降11%。ISA的總裁Poornima Shenoy認為,手機、3G網(wǎng)絡(luò)、WiMAX、筆記本電腦、機頂盒和智能卡等是印度半導(dǎo)體市場的主要推手。隨著印度的通訊設(shè)施完善,相應(yīng)印度的半導(dǎo)體芯片消費會迅速增加,在2009-2011年期間增長達132%。按印度ISA的董事長及TI印度公司的頭Biswadip Mitra的說法,在電子系統(tǒng)設(shè)計與制造(ESDM) 中可能有更大機會,印度電子工業(yè)市場估計可從2009的250億美元增加到2011年的370億美元。Mitra認為印度將通過多個方面,如通訊、工業(yè)、汽車、消費及保健電子等產(chǎn)品來推動ESDM的發(fā)展。ISA的任務(wù)是把終端電子產(chǎn)品和OEM聯(lián)合起來,并加強緊密的合作來推動印度電子工業(yè)的進步。
據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo),韓國經(jīng)濟日報(KoreaEconomicDaily)指出,海力士債權(quán)機構(gòu)計劃于2010年6月中之后,以成批出售(blocksale)的方式出售約5%的股份,然韓國經(jīng)濟日報并未提供消息來源。此外,該報導(dǎo)稱海力士將采用毒性賣權(quán)(Poisonput)避免惡意購并競標。海力士債權(quán)機構(gòu)韓國外匯銀行(KoreaExchangeBank)于先前表示,海力士的債權(quán)人將在2010年出售13%的股權(quán),其中8%將在2010年上半賣出,其余5%將在下半年出售。