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  • 英飛凌為全新行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝技術(shù)奠定基礎(chǔ)

    英飛凌科技股份公司和日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司近日宣布，雙方將合作推出更高集成度半導(dǎo)體封裝，可容納幾乎無(wú)窮盡的連接元件。與傳統(tǒng)封裝（導(dǎo)線架層壓）相比，這種新型封裝的尺寸要小30%。 隨著半導(dǎo)體尺寸不斷縮減，更復(fù)雜、更高效的半導(dǎo)體解決方案不斷得以實(shí)現(xiàn)。然而，盡管芯片尺寸逐漸變小，但對(duì)足夠連接空間的需求還是對(duì)封裝尺寸的縮小帶來(lái)了物理限制。 英飛凌通過全新嵌入式WLB技術(shù)（eWLB）成功地將晶圓級(jí)球陣列封裝（WLB）工藝的優(yōu)越性進(jìn)行了進(jìn)一步拓展，即：成本優(yōu)化生產(chǎn)和增強(qiáng)性能特性。與WLB一樣，所有操作都是在晶圓級(jí)別上并行進(jìn)行，標(biāo)志著晶圓上所有芯片可以同時(shí)進(jìn)行處理。為了更有力地推廣這些優(yōu)勢(shì)，英飛凌和ASE已經(jīng)結(jié)成合作伙伴關(guān)系，將英飛凌開發(fā)的這一技術(shù)與ASE的封裝技術(shù)專長(zhǎng)融合在一個(gè)許可模型中。 ASE集團(tuán)研發(fā)中心總經(jīng)理唐和明博士表示：“非常高興英飛凌在推出這一領(lǐng)先技術(shù)時(shí)選擇ASE作為他們的IC封裝首選合作伙伴。通過合作，我們相信英飛凌將大大受益于ASE的封裝專長(zhǎng)及其在全球市場(chǎng)的領(lǐng)袖地位，同時(shí)我們也期待能為他們的成功助一臂之力。” 英飛凌科技股份公司管理委員會(huì)成員兼通信解決方案業(yè)務(wù)部總裁Hermann Eul博士表示：“我們將利用我們的研發(fā)能力為未來(lái)封裝技術(shù)奠定基礎(chǔ)，不斷滿足未來(lái)市場(chǎng)需求，并牢記摩爾定律。隨著半導(dǎo)體尺寸的不斷縮小，性能的不斷提升，需要全新的創(chuàng)新方式。我們引領(lǐng)潮流的封裝技術(shù)將在集成度和效率上樹立行業(yè)基準(zhǔn)。我們將與ASE一道為向企業(yè)和終端消費(fèi)者提供全新一代節(jié)能型高性能移動(dòng)設(shè)備鋪平道路?！?eWLB技術(shù) eWLB技術(shù)是WLB技術(shù)的前瞻性發(fā)展，同時(shí)完美繼承了后者的突出優(yōu)點(diǎn)，如小型封裝尺寸、卓越電氣性能和熱性能以及最大連接密度。但這一全新技術(shù)還大大提高了封裝的功能和適用范圍。由于eWLB，面向移動(dòng)通信應(yīng)用的調(diào)制解調(diào)器和處理器芯片等復(fù)雜半導(dǎo)體芯片要求在最小的尺寸上實(shí)現(xiàn)擁有標(biāo)準(zhǔn)接觸間距的大量焊接。同時(shí)，這些封裝上可以提供所需的足夠多的焊接觸點(diǎn)。在芯片周圍實(shí)現(xiàn)適當(dāng)額外布線區(qū)意味著該晶圓級(jí)封裝技術(shù)也可以用于全新緊湊型應(yīng)用。 全新封裝將根據(jù)許可模型在英飛凌科技和ASE的工廠生產(chǎn)。首批組件預(yù)計(jì)將于2008年年底前面市。

    半導(dǎo)體 封裝技術(shù) 英飛凌 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SE

  • 45納米時(shí)代呼之欲出 本土跟進(jìn)面臨多重難題

    微電子技術(shù)踏著摩爾定律的足跡終于走到了45納米。本月中旬，英特爾公司發(fā)布了16款采用45納米工藝生產(chǎn)的服務(wù)器及高端PC處理器，標(biāo)志著45納米集成電路產(chǎn)品正式投入到應(yīng)用領(lǐng)域。英特爾還宣布，目前該公司已有三條12英寸生產(chǎn)線具備生產(chǎn)45納米芯片的能力。預(yù)計(jì)到2008年第三或者第四季度時(shí)，英特爾的45納米產(chǎn)品在數(shù)量上將可能超過65納米產(chǎn)品。在英特爾的帶動(dòng)之下，其他高端廠家必將陸續(xù)跟進(jìn)，“45納米時(shí)代”已是呼之欲出。 新技術(shù)具有里程碑意義 英特爾的共同創(chuàng)始人戈登?摩爾認(rèn)為，此次英特爾新產(chǎn)品的推出，是自從多晶硅柵MOS晶體管問世以來(lái)，晶體管工藝制程技術(shù)中的一個(gè)最大的突破，英特爾采用新材料和新的器件結(jié)構(gòu)，是CMOS工藝的又一里程碑。 事實(shí)上，目前具備45納米工藝生產(chǎn)能力的并不只是英特爾一家，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)觀察家、美國(guó)應(yīng)用材料公司高級(jí)顧問莫大康先生在接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示：“IBM、TSMC、松下等廠家都已具備45納米工藝生產(chǎn)能力。英特爾45納米芯片的偉大意義在于，它率先改變了CMOS的工藝結(jié)構(gòu)，將傳統(tǒng)的‘二氧化硅絕緣層+多晶硅柵’改為了‘高K介質(zhì)+金屬柵’的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)入‘材料推動(dòng)革命’的時(shí)代?！?微電子業(yè)界通常是通過縮小器件的特征尺寸(Critical Dimension，CD)來(lái)提升產(chǎn)品的性能，因?yàn)轶w積更小的晶體管會(huì)使器件擁有更快的運(yùn)行速度和更低的發(fā)熱量。其實(shí)在晶體管中柵極和柵介質(zhì)也非常重要，它們的作用就是在硅底層通道和柵極之間產(chǎn)生較高的場(chǎng)效應(yīng)，同時(shí)又要求柵介質(zhì)是完美的絕緣體，防止電流通過柵介質(zhì)發(fā)生泄漏。由于二氧化硅作為柵極絕緣材料在65納米工藝時(shí)已逼近物理極限，如果再繼續(xù)降低二氧化硅絕緣層的厚度，將導(dǎo)致漏電及功耗急劇上升。英特爾在45納米處理器上的高K工藝，就是用更高介電常數(shù)的二氧化鉿(HfO2)取代傳統(tǒng)的低介電常數(shù)的二氧化硅，從而解決漏電問題。“高K介質(zhì)+金屬柵”結(jié)構(gòu)在增加器件密度的同時(shí)，有效地增強(qiáng)了器件的性能，降低了功耗。英特爾45納米產(chǎn)品晶體管密度將是65納米產(chǎn)品的兩倍，其漏電量降為原來(lái)的10%，運(yùn)行時(shí)的耗電量減少了30%，速度提高了20%。并且，在將來(lái)工藝提升到32納米、22納米乃至16納米水平的時(shí)候，仍然可以使用這種材料和結(jié)構(gòu)。 新工藝帶來(lái)的材料難題并不僅英特爾一家遇到，但其他公司都把“高K介質(zhì)+金屬柵”結(jié)構(gòu)定位為32納米產(chǎn)品將要使用的技術(shù)?！爸挥杏⑻貭栐?5納米階段就先行一步，掃清了工藝技術(shù)中的一大障礙，再次扮演了行業(yè)領(lǐng)頭羊的角色?！蹦罂迪壬u(píng)價(jià)道。 產(chǎn)品升級(jí)影響產(chǎn)業(yè)格局 45納米產(chǎn)品投入市場(chǎng)，對(duì)于集成電路產(chǎn)業(yè)而言具有深遠(yuǎn)的影響。首先是工藝研發(fā)成本進(jìn)一步提高，研發(fā)費(fèi)用已高達(dá)50億美元至100億美元，掩模版的費(fèi)用也在300萬(wàn)美元以上。如此之高的研發(fā)成本讓許多傳統(tǒng)的IDM廠商望而卻步，紛紛尋求代工合作或者聯(lián)合研發(fā)，其中尤以三大半導(dǎo)體巨頭IBM、英飛凌和三星與新加坡特許半導(dǎo)體結(jié)成的聯(lián)盟最具震撼力。在代工業(yè)界，由于TSMC的霸主地位難以撼動(dòng)，其在45納米技術(shù)的比拼中也已處于領(lǐng)先地位，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手倘若不能在技術(shù)水平上迅速跟進(jìn)，將會(huì)面臨失去部分高端客戶的危險(xiǎn)。 新工藝的推出也給IC設(shè)計(jì)企業(yè)提供了新的機(jī)遇，因?yàn)楦叩募庸ぞ葹楫a(chǎn)品在功能和性能兩個(gè)方面都提供了較大的提升空間，從而更有效地滿足消費(fèi)者的需求。但“硬幣的另一面”也不容忽視，IC設(shè)計(jì)企業(yè)同樣也面臨成本上升的問題。正如Altera公司技術(shù)開發(fā)副總裁Mojy Chian先生在接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪時(shí)所指出的那樣，在IC設(shè)計(jì)導(dǎo)入45納米工藝后，器件開發(fā)將面臨泄漏管理、電壓飽和、變異管理、逆溫現(xiàn)象以及更嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則等一系列的挑戰(zhàn)。這些問題并非不能解決，但卻必然會(huì)增加開發(fā)成本。此外，45納米工藝的導(dǎo)入，對(duì)IC設(shè)計(jì)公司與晶圓代工廠之間的協(xié)作也提出了更高的要求。中芯國(guó)際執(zhí)行顧問羅復(fù)昌博士向《中國(guó)電子報(bào)》記者介紹說(shuō)：“到了45納米階段，代工廠的設(shè)計(jì)規(guī)則較之上一階段會(huì)有相當(dāng)大的調(diào)整，DFM(可制造性設(shè)計(jì))已經(jīng)成為了必需的技術(shù)手段，代工廠要在研發(fā)的起步階段就與設(shè)計(jì)公司合作，要在設(shè)計(jì)規(guī)則、電性參數(shù)指標(biāo)、可靠性指標(biāo)等方面與設(shè)計(jì)公司達(dá)成共識(shí)?！?對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)而言，工藝技術(shù)的提升所引發(fā)的生產(chǎn)線的更新?lián)Q代肯定會(huì)使設(shè)備制造業(yè)在一定程度上受益，但市場(chǎng)的增長(zhǎng)不會(huì)發(fā)生革命性的突破。SEMI全球副總裁、中國(guó)區(qū)總裁丁輝文先生告訴《中國(guó)電子報(bào)》記者，65納米工藝的設(shè)備同樣可以用于45納米芯片的生產(chǎn)，所不同的只是生產(chǎn)工藝發(fā)生了變化。而莫大康先生也表達(dá)了類似的觀點(diǎn)：在45納米工藝階段，英特爾仍然將采用193納米干法光刻機(jī)，只是加上了二次光刻及OPC技術(shù)。 本土廠家跟進(jìn)需政策支持 面對(duì)45納米，中國(guó)內(nèi)地的IC制造業(yè)將作何抉擇？莫大康先生認(rèn)為，目前中國(guó)內(nèi)地最先進(jìn)技術(shù)還處于65納米水平，且尚未量產(chǎn)，與45納米、“高K介質(zhì)+金屬柵”結(jié)構(gòu)相比還差兩個(gè)臺(tái)階；與此同時(shí)，中國(guó)的邏輯電路設(shè)計(jì)水平還停留在0.13微米的階段，IC設(shè)計(jì)公司最高的設(shè)計(jì)水平也只是90納米，因此，即便工藝制造技術(shù)能實(shí)現(xiàn)飛躍而與國(guó)際頂尖企業(yè)并駕齊驅(qū)，也會(huì)面臨缺乏產(chǎn)品市場(chǎng)的尷尬局面。 當(dāng)然，中國(guó)內(nèi)地的IC制造企業(yè)不會(huì)因此而減緩邁向更高工藝的步伐。羅復(fù)昌博士表示：“中芯國(guó)際45納米技術(shù)的研發(fā)已經(jīng)在準(zhǔn)備中，已經(jīng)做了大量的前期研究工作。中芯國(guó)際將會(huì)在量大、面廣、成本相對(duì)較低的產(chǎn)品(比如通訊產(chǎn)品、移動(dòng)終端等)率先使用45納米工藝。” 中國(guó)企業(yè)在籌劃邁向先進(jìn)工藝的同時(shí)，更要腳踏實(shí)地做好眼前的事?！澳壳爸袊?guó)內(nèi)地的65納米技術(shù)還是空白，盡管中芯國(guó)際做了許多工作，有望在明年開始量產(chǎn)，但是要廣泛應(yīng)用，還有大量的工作要做。未來(lái)幾年，65納米產(chǎn)品還將是經(jīng)濟(jì)效益的重要來(lái)源，并且，做好65納米也是開發(fā)45納米的前提和基礎(chǔ)。因此，我們?cè)陉P(guān)注45納米的同時(shí)，要努力把65納米技術(shù)做通、做好，并使其得到廣泛應(yīng)用。”羅復(fù)昌博士補(bǔ)充道。 半導(dǎo)體技術(shù)的提升對(duì)企業(yè)的研發(fā)資金和人才提出了極大的挑戰(zhàn)。中國(guó)內(nèi)地的半導(dǎo)體企業(yè)總體來(lái)講實(shí)力相對(duì)弱小，規(guī)模不夠大，所能在研發(fā)上投入的資金量小，一個(gè)企業(yè)即便是將銷售收入的10%投入研發(fā)，其資金量也不足以與國(guó)外的大公司競(jìng)爭(zhēng)。羅復(fù)昌博士強(qiáng)調(diào)：“中國(guó)內(nèi)地集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需要國(guó)家政策的傾斜和資金的支持。具體講：一是在資金方面政府要支持，要大量投入；二是在人力方面，實(shí)施產(chǎn)學(xué)研用結(jié)合，發(fā)揮研究機(jī)構(gòu)的人才優(yōu)勢(shì)，還要把設(shè)計(jì)公司納入研發(fā)的圈子，從而增加成功的可能性?！?/p>

    半導(dǎo)體 英特爾 金屬 納米技術(shù) IC設(shè)計(jì)

  • Altium任命中國(guó)區(qū)總經(jīng)理 致力拓展中國(guó)市場(chǎng)

    Altium Limited宣布任命曹建靜擔(dān)任中國(guó)區(qū)總經(jīng)理。此次任命是 Altium 公司繼續(xù)開拓中國(guó)市場(chǎng)的重大舉措之一。 Altium 公司憑借其早期的 Protel 印刷電路板 (PCB) 軟件在中國(guó)板級(jí)市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位。該軟件在中國(guó)市場(chǎng)持續(xù)銷售超過 10 年。Altium 公司于 2003 年在上海開設(shè)了辦事處，并于 2005 年建立了一家外商獨(dú)資企業(yè) (WOFE)。截止 2007 年 6 月 30 日的財(cái)年中，Altium 公司在中國(guó)的銷售增長(zhǎng)了大約 150%。 作為中國(guó)區(qū)總經(jīng)理，曹先生將為公司在中國(guó)市場(chǎng)下一階段預(yù)計(jì)增長(zhǎng)中指明發(fā)展方向，并指導(dǎo)公司滿足日益增長(zhǎng)的客戶群的需求。 曹先生表示：“能夠成為 Altium 團(tuán)隊(duì)的一員，我感到非常高興。我們會(huì)一如既往地為客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，并不斷變革電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)方法?！? “我們的任務(wù)是提升 Altium Designer 6 的銷量，并在中國(guó)市場(chǎng)不斷的壯大。Altium Designer 6 的統(tǒng)一架構(gòu)可簡(jiǎn)化電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)、新技術(shù)運(yùn)用以及將電子設(shè)計(jì)過程與公司其它部門相結(jié)合等任務(wù)?！?“同樣令我感到驕傲的是，我們?cè)谥袊?guó)市場(chǎng)上擁有世界級(jí)的解決方案，可幫助我們的客戶取得更大的成功?！?曹先生將他超過 15 年的工作經(jīng)驗(yàn)帶到了 Altium 公司。在加盟 Altium 公司之前，曹先生曾擔(dān)任海波龍解決方案公司北亞業(yè)務(wù)開發(fā)總監(jiān)兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理長(zhǎng)達(dá) 5 年。此外，他還曾在兩家業(yè)界領(lǐng)先的公司 SAS 和 Tyco 公司擔(dān)任高級(jí)管理和營(yíng)銷職位。曹先生畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué)，獲英語(yǔ)語(yǔ)言文學(xué)碩士學(xué)位，并留校任教；后來(lái)又畢業(yè)于美國(guó)紐約州大學(xué)和美國(guó)圣路易斯華盛頓大學(xué)，分別獲跨文化研究碩士學(xué)位和 MBA學(xué)位。

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  • 新一輪投票順利過關(guān) 閃聯(lián)將成國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

        中國(guó)閃聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際化戰(zhàn)略近期取得重大突破。記者獲悉，閃聯(lián)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)提案在ISO/IEC（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織/國(guó)際電工委員會(huì)）經(jīng)過長(zhǎng)期的艱苦談判和積極溝通，克服種種困難，獲得了來(lái)自美國(guó)、日本、韓國(guó)、法國(guó)、英國(guó)等信息領(lǐng)域強(qiáng)國(guó)的支持，在最新一輪的FCD國(guó)際投票中順利過關(guān)，中國(guó)閃聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)即將成為全球3C（計(jì)算機(jī)、通訊和消費(fèi)電子產(chǎn)品三類電子產(chǎn)品的簡(jiǎn)稱）協(xié)同領(lǐng)域中、來(lái)自中國(guó)的第一個(gè)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。  　　3C協(xié)同是全球電子信息化產(chǎn)業(yè)發(fā)展的共同趨勢(shì)，中國(guó)閃聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)則是我國(guó)企業(yè)打破國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)壁壘和技術(shù)壟斷、搶占未來(lái)國(guó)際電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略制高點(diǎn)的重要力量。閃聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)加速推進(jìn)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程全方位跟進(jìn)，離不開民族產(chǎn)業(yè)巨頭的推動(dòng)。作為“閃聯(lián)”標(biāo)準(zhǔn)最早倡導(dǎo)廠商之一，長(zhǎng)城電腦相關(guān)負(fù)責(zé)人表示：“4年前憂心于從數(shù)字電視到DVD、3C產(chǎn)業(yè)專利風(fēng)波不斷，沒有標(biāo)準(zhǔn)制定權(quán)，市場(chǎng)又缺乏廣泛的認(rèn)同感，意味著喪失了巨大的市場(chǎng)和經(jīng)濟(jì)利益；IT設(shè)備之間的互通互聯(lián)則是信息產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的制高點(diǎn)，誰(shuí)能在此占據(jù)一席之地，誰(shuí)就能夠在競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。同時(shí)，對(duì)于國(guó)內(nèi)企業(yè)來(lái)說(shuō)，標(biāo)準(zhǔn)的制定已經(jīng)成為其應(yīng)對(duì)加入WTO后新競(jìng)爭(zhēng)格局的重要手段，單純的專利已經(jīng)不能滿足競(jìng)爭(zhēng)發(fā)展需要，構(gòu)建以標(biāo)準(zhǔn)為核心的知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系已經(jīng)成為企業(yè)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展的重要手段?！?nbsp; 　　據(jù)了解，為了讓“閃聯(lián)”給百姓生活帶來(lái)實(shí)實(shí)在在的數(shù)字生活，長(zhǎng)城電腦在閃聯(lián)的事情上，表現(xiàn)得非常積極。目前，長(zhǎng)城所有的筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)電腦，都已經(jīng)預(yù)裝了閃聯(lián)的相關(guān)軟件。  　　另?yè)?jù)相關(guān)部門預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)至2007年底閃聯(lián)產(chǎn)品累計(jì)銷量將突破500萬(wàn)臺(tái)。中國(guó)閃聯(lián)成為全球3C協(xié)同領(lǐng)域的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將促進(jìn)閃聯(lián)在3C市場(chǎng)的全面啟動(dòng)。

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  • Tensilica在CoWare平臺(tái)集成鉆石106Micro

    Coware公司和Tensilica公司日前共同宣布，在CoWare平臺(tái)架構(gòu)中集成Tensilica公司可授權(quán)的業(yè)界最小的32位處理器IP核—Diamond Standard 106Micro。該集成為設(shè)計(jì)工程師提供了一流的ESL 2.0解決方案，使其能夠采用Tensilica公司處理器IP核進(jìn)行平臺(tái)架構(gòu)設(shè)計(jì)、平臺(tái)驗(yàn)證和軟件開發(fā)，從而開發(fā)出市場(chǎng)上最小面積、最低功耗和最高性能的產(chǎn)品。 該最新集成將CoWare和Tensilica之間獨(dú)特的合作關(guān)系擴(kuò)展到完整的鉆石標(biāo)準(zhǔn)系列和Xtensa可配置處理器產(chǎn)品線。Tensilica處理器IP核已在CoWare平臺(tái)架構(gòu)上被設(shè)計(jì)工程師廣泛使用，以進(jìn)行關(guān)鍵設(shè)計(jì)部分：架構(gòu)及其性能分析，如軟件執(zhí)行、存儲(chǔ)器架構(gòu)和總線占用，從而更快速開發(fā)出更好的設(shè)計(jì)產(chǎn)品。 Tensilica市場(chǎng)副總裁Steve Roddy表示，“我們雙方的客戶都認(rèn)識(shí)到采用CoWare強(qiáng)大的工具和其對(duì)ESL 2.0的支持可提高開發(fā)效率。通過與CoWare公司一起工作，我們能夠幫助客戶顯著縮短SoC平臺(tái)設(shè)計(jì)周期。” CoWare公司IP和第三方關(guān)系部市場(chǎng)經(jīng)理Tom De Schutter表示，“通過支持這一小型、低功耗、高效的處理器，我們能為客戶在其設(shè)計(jì)產(chǎn)品中提供另一項(xiàng)業(yè)界領(lǐng)先的處理選項(xiàng)。大量的超大系統(tǒng)公司正在采用CoWare公司的ESL2.0解決方案來(lái)使用Tensilica公司的IP核。” Diamond Standard 106Micro IP核在65納米GP工藝下少于1平方毫米，功耗僅0.029 mW/MHz。這使其在非常小的面積下能夠得到驚人的750 Dhrystone MIPS的性能。Diamond Standard 106Micro對(duì)于那些想從8位和16位控制器升級(jí)為32位處理器以取得額外的性能和C級(jí)編程靈活度的設(shè)計(jì)工程師，以及那些需要一個(gè)小型高效系統(tǒng)或子系統(tǒng)級(jí)控制器來(lái)開發(fā)從外圍設(shè)備和接口設(shè)計(jì)到網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、汽車電子、工業(yè)控制以及諸如玩具、游戲和娛樂設(shè)施等消費(fèi)類電子產(chǎn)品等應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師來(lái)說(shuō)，特別具有吸引力。

    半導(dǎo)體 集成 BSP MICRO TENSILICA

  • 奇夢(mèng)達(dá)擬削減200毫米晶圓產(chǎn)量 影響波及英飛凌

    奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)將削減其200毫米晶圓產(chǎn)量，并專注于300毫米產(chǎn)品。此舉將影響奇夢(mèng)達(dá)在美國(guó)里士滿市和德國(guó)德累斯頓的工廠，以及母公司英飛凌(Infineon)。 為了改善生產(chǎn)力，處于虧損之中的奇夢(mèng)達(dá)日前宣布，已取消與英飛凌之間的200毫米晶圓供應(yīng)協(xié)議，從2008年3月1日開始生效。該生產(chǎn)線的最后一批晶圓將在明年2月底開始生產(chǎn)。 此外，奇夢(mèng)達(dá)將把它在里士滿工廠的初始晶圓產(chǎn)量降低15%左右。同時(shí)，里士滿的生產(chǎn)將轉(zhuǎn)向80納米工藝。由于上述兩項(xiàng)措施的影響，奇夢(mèng)達(dá)300毫米晶圓的產(chǎn)量比例將上升至90%左右。 英飛凌在一個(gè)記者會(huì)上表示，奇夢(mèng)達(dá)撤出英飛凌在德累斯頓的生產(chǎn)活動(dòng)，將影響產(chǎn)能利用率并導(dǎo)致裁員。每家公司將終止與300名工人的合同，總計(jì)裁員600人。這兩家公司表示，只有來(lái)自臨時(shí)職業(yè)介紹所的工人才會(huì)受到影響。英飛凌的一位發(fā)言人表示：“我們的目標(biāo)是不裁減長(zhǎng)期職工。” 在德累斯頓，奇夢(mèng)達(dá)目前雇用大約3,000名工人，多數(shù)從事300毫米晶圓生產(chǎn)。在同一個(gè)廠址，英飛凌經(jīng)營(yíng)著自己的邏輯芯片生產(chǎn)，有2,300名員工。 英飛凌把奇夢(mèng)達(dá)的舉動(dòng)作為從內(nèi)存生產(chǎn)轉(zhuǎn)向邏輯芯片生產(chǎn)的最后一步。據(jù)英飛凌最近公布的季度報(bào)告，汽車、工業(yè)和通訊客戶對(duì)于邏輯器件的需求不斷上升。

    半導(dǎo)體 晶圓 奇夢(mèng)達(dá) 芯片生產(chǎn) 英飛凌

  • 新發(fā)現(xiàn):超絕緣體或與超導(dǎo)體共組無(wú)熱量電路

    超導(dǎo)金屬的工作原理是將電子綁成庫(kù)伯對(duì)(Cooper pair)，其運(yùn)動(dòng)能夠耦合為長(zhǎng)串的電子。這些電子與導(dǎo)體的點(diǎn)陣振動(dòng)在冷卻到接近絕對(duì)零度時(shí)同步，這樣就避免與形成電阻的金屬原子發(fā)生碰撞。  布朗大學(xué)(Brown University)的研究人員James Valles宣布在被冷卻到接近絕對(duì)零度、具有無(wú)限大電阻的超絕緣體中發(fā)現(xiàn)了庫(kù)伯對(duì)。超絕緣體在將來(lái)可能與超導(dǎo)體一起共同形成完全不產(chǎn)生熱量的超級(jí)電路。布朗大學(xué)的研究人員通過將超導(dǎo)金屬鉍制成只有四個(gè)原子厚的薄膜模板從而發(fā)現(xiàn)了超絕緣體。這種薄膜上打上50納米的小洞，這樣就形成將鉍從超導(dǎo)體變成超絕緣體的條件。  研究人員目前正在探索形成一種理論，既能解釋超導(dǎo)體理論(rival the theory of superconductivity)，又能說(shuō)明超絕緣體的的工作原理。到目前為止，他們的理論認(rèn)為，當(dāng)作為超絕緣體時(shí)，庫(kù)伯對(duì)被鎖定在一起，而不是連接成串。  接下來(lái)，布朗大學(xué)的研究人員希望為超導(dǎo)線制成絕熱的超絕緣體，然后與超導(dǎo)體結(jié)合在一起形成超導(dǎo)電路。研究人員認(rèn)為，利用具有無(wú)限阻力的材料的量子效應(yīng)能發(fā)展出新型的器件。 

    半導(dǎo)體 電路 超導(dǎo)體 絕緣 BSP

  • 閃聯(lián)發(fā)表聲明 否認(rèn)ISO/IEC投票“誤導(dǎo)媒體”

        近日有媒體爆料，稱閃聯(lián)在通過ISO/IEC投票問題上“混淆視聽，偷換概念，系誤導(dǎo)媒體”。隨后，閃聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)工作組發(fā)布聲明指出，投票的每一部分都必須單獨(dú)經(jīng)過審批流程，該傳言“犯了常識(shí)性錯(cuò)誤”，甚至“別有用心”。  　　近日，閃聯(lián)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)提案(ISO/IEC)經(jīng)過長(zhǎng)期談判和溝通，在新一輪FCD國(guó)際投票中過關(guān)。就此，中國(guó)閃聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)終將成為全球3C協(xié)同領(lǐng)域的第一個(gè)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。  　　閃聯(lián)聲明全文如下：  　　一、在信息產(chǎn)業(yè)部、國(guó)家發(fā)改委、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)、北京市政府等政府領(lǐng)導(dǎo)的支持下，超過100家企業(yè)的積極參與下，閃聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)的制定工作一直在快速推進(jìn)中，并取得了顯著的成果。閃聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容涵蓋了3C領(lǐng)域的許多方面，不斷有新內(nèi)容被充實(shí)到標(biāo)準(zhǔn)族里，所以，我們每年都向國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)提交新的標(biāo)準(zhǔn)提案，條件成熟時(shí)即向國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)組織遞交提案，每一部分都必須單獨(dú)經(jīng)過審批流程。到目前為止，除了“測(cè)試規(guī)范”部分已經(jīng)通過最終委員會(huì)草案（FCD）投票，“基礎(chǔ)協(xié)議”部分經(jīng)過磋商很快可以通過FCD投票外，閃聯(lián)還有三個(gè)提案進(jìn)入委員會(huì)草案（CD）投票階段。可以說(shuō)，在未來(lái)的幾年里，閃聯(lián)都將不斷有新的提案通過國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織的審批。這些基本知識(shí)是所有參與過國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織工作的人都應(yīng)該清楚的。  　　二、閃聯(lián)測(cè)試規(guī)范是整個(gè)閃聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)中的核心之一，一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)要真正應(yīng)用到產(chǎn)業(yè)中成為事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)的一致性測(cè)試認(rèn)證至關(guān)重要，唯有把好這一關(guān)才能確保標(biāo)準(zhǔn)能在不同品牌、不同廠商、不同類型的產(chǎn)品上大規(guī)模商用。所以，這一部分率先通過FCD投票，在同類標(biāo)準(zhǔn)中還是第一個(gè)，也填補(bǔ)了中國(guó)信息產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域很長(zhǎng)時(shí)間的一個(gè)空白；同時(shí)將極大的加速閃聯(lián)產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的其它部分的推進(jìn)也起到了積極的作用。對(duì)此，政府主管部門、業(yè)界和媒體都深表高度贊揚(yáng)和肯定。  　　三、閃聯(lián)在幾年的發(fā)展過程中，特別是沖擊國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的過程中，遇到過許許多多的困難，我們都能一一克服。最讓我們困惑的是，最大的困難居然是來(lái)自于國(guó)內(nèi)個(gè)別不健康的聲音和行為的不斷干擾！個(gè)別別有用心的人不是把心思精力用在做好自己的事情，而是上竄下跳，從國(guó)內(nèi)到國(guó)外，制造各種事端，千方百計(jì)阻撓閃聯(lián)的發(fā)展。特別是當(dāng)閃聯(lián)作為代表中國(guó)的標(biāo)準(zhǔn)，在爭(zhēng)取國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的過程中，卻有來(lái)自國(guó)內(nèi)的不和諧聲音，在國(guó)際上造成極壞的影響。我們奉勸這個(gè)別人還是踏踏實(shí)實(shí)把自己的工作做好，不要試圖通過詆毀他人，來(lái)轉(zhuǎn)移自身的壓力。我們希望看到的是中國(guó)人更多地到國(guó)際舞臺(tái)上發(fā)揮作用，而不是這種內(nèi)耗。  　　四、對(duì)于個(gè)別人在媒體上發(fā)布的言論，我們認(rèn)為不是犯了常識(shí)性錯(cuò)誤，就是別有用心，稍有常識(shí)的人自能明辨其中是非，認(rèn)清事實(shí)真相。我們不需做具體的回應(yīng)。我們歡迎來(lái)自各界朋友的善意批評(píng)和建設(shè)性意見，支持我們和更多的企業(yè)一起，做好閃聯(lián)，為國(guó)家增光，為行業(yè)增利。  　　借此機(jī)會(huì)，再次感謝來(lái)自于國(guó)家有關(guān)部門的一貫支持，感謝業(yè)界和媒體朋友的一貫支持。  　　閃聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)工作組  　　2007年12月3日

    半導(dǎo)體 進(jìn)程 CD ISO BSP

  • 速度超快 三星計(jì)劃明年量產(chǎn)GDDR5新型顯存

        據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子公司打算在明年開始量產(chǎn)新型顯存。與現(xiàn)行顯存芯片相比，新顯存芯片電力銷售較少，運(yùn)行速度則大大提高。  　　新顯存芯片名為GDDR5(雙通道圖形顯示）。新芯片的數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)6Gbps，而目前最快顯存GDDR4的數(shù)據(jù)傳輸速度是3.2Gbps。與目前應(yīng)用最廣泛的GDDR3相比，新型顯存的優(yōu)勢(shì)更為明顯，因?yàn)镚DDR3的傳輸速率僅為1.6Gbps。  　　三星公司稱，較快的數(shù)據(jù)傳輸速度意味著GDDR5的數(shù)據(jù)處理容量最大可達(dá)24Gbps，而GDDR3和GDDR4的數(shù)據(jù)處理容量分別為6.4Gbps和9.6Gbps。這種更大規(guī)模的數(shù)據(jù)處理能力可使GDDR5在游戲和其他應(yīng)用中顯示出更逼真和更細(xì)致的圖形。 三星公司還說(shuō)，新芯片電耗為1.5伏，比GDDR3節(jié)電20%。  　　三星已從上月開始向圖形處理器制造商提供GDDR5芯片，公司打算在明年上半年開始進(jìn)行量產(chǎn)。  　　GDDR5顯存將首先用于高端游戲系統(tǒng)，這類系統(tǒng)的用戶愿意為更好的圖形支付額外費(fèi)用。三星未透露新芯片的價(jià)格。

    半導(dǎo)體 三星 顯存 DDR BSP

  • 東芝搶購(gòu)索尼Cell生產(chǎn)設(shè)備擴(kuò)充份額

        據(jù)國(guó)外媒體獲悉，據(jù)iSuppli2007年全球半導(dǎo)體廠商銷售額排名預(yù)估，2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將比上一年增加4.1％。由于游戲機(jī)用高性能半導(dǎo)體“Cell”的供貨量持續(xù)增加，索尼從第十四位上升到第八位。東芝計(jì)劃在2008年春季之前收購(gòu)索尼的Cell生產(chǎn)設(shè)備，因此，東芝的市場(chǎng)份額明年很可能將進(jìn)一步提高。 　　此外，瑞薩科技下降了一個(gè)位次，排在第七位，NEC電子也從第十一位跌落到第十三位。一直持續(xù)增產(chǎn)DRAM的爾必達(dá)內(nèi)存則上升一位，排在第十八位。

    半導(dǎo)體 索尼 東芝 BSP CE

  • 美科學(xué)家新發(fā)現(xiàn)：新型碳晶體管勝過非晶硅！

    在室溫處理半導(dǎo)體的技術(shù)可能使諸如電子布告板這樣的大規(guī)模應(yīng)用以及像可任意使用的RFID標(biāo)簽這樣的超低成本應(yīng)用成為可能。但是，大多數(shù)室溫晶體管具有幾百cm2/Vs(平方厘米/電壓.秒)的低電子移動(dòng)率。  現(xiàn)在，喬治亞州科技大學(xué)的研究人員聲稱，通過利用碳-60(C-60)薄膜—也稱為巴克球或富勒思—制作晶體管的溝道，找到了一種制作比非晶硅速度快100倍的室溫晶體管的完美方法。  “我們并沒有聲稱我們是第一家在室溫下制作C60晶體管的實(shí)驗(yàn)室，”喬治亞科技大學(xué)的教授Bernard Kippelen說(shuō)，“我們工作的創(chuàng)新在于：我們能夠證明在室溫處理下獲得3-5cm2/Vs這么高的移動(dòng)率的同時(shí)，能夠獲得良好的可再現(xiàn)性、良好的穩(wěn)定性、低閥值電壓以及大的開關(guān)電流比。”  全球的實(shí)驗(yàn)室均在追蹤研究室溫處理技術(shù)，以便利用廉價(jià)、高產(chǎn)的滾轉(zhuǎn)壓力及噴墨打印技術(shù)，制造大型顯示器以及像RFID這樣的低成本應(yīng)用產(chǎn)品。那樣就不需要清潔室這樣昂貴高價(jià)的處理設(shè)備。許多方法在利用有機(jī)材料制作晶體管的同時(shí)，嘗試?yán)眯虏牧系男纬蓙?lái)增加電子移動(dòng)率的途徑。  其它一些方法已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了高于喬治亞科技大學(xué)小組的電子移動(dòng)率，但是，只是通過高溫創(chuàng)建有機(jī)晶體管。Kovio公司已經(jīng)為利用滾轉(zhuǎn)制造技術(shù)，通過噴墨方法開發(fā)了用于制造薄膜晶體管的無(wú)機(jī)硅，盡管制作溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于塑料襯底能夠承受的溫度。  雖然沒有實(shí)現(xiàn)高溫方法所能達(dá)到的電子移動(dòng)率(Kovio公司聲稱電子移動(dòng)性與多晶硅一樣好)，喬治亞科技大學(xué)實(shí)現(xiàn)的電子移動(dòng)率已經(jīng)優(yōu)于非晶硅。它的一個(gè)潛在應(yīng)用就是作為僅僅要求16ms刷新率的服務(wù)顯示器。此外，它們可以被印制在廉價(jià)的塑料襯底上。  構(gòu)建在幾年的設(shè)計(jì)改進(jìn)上，Kippelen聲稱他的小組已經(jīng)確定了需要在低溫下針對(duì)高電子移動(dòng)率進(jìn)行最優(yōu)化的材料和參數(shù)。“我們的工作建立在對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體進(jìn)行純化和處理的幾年研究經(jīng)驗(yàn)之上，”Kippelen說(shuō)，“對(duì)柵極介質(zhì)以及電極金屬的選擇也起到了重要作用。”  Bernard Kippelen教授(中)在晶體管項(xiàng)目上與喬治亞科技大學(xué)的研究科學(xué)家Benoit Domercq以及博士候選人Xiao-Hong Zhang攜手合作。  為方便起見，演示器件是在硅襯底上制作的，但是，研究人員聲稱，他們的有機(jī)C60晶體管使用的所有元素均在室溫下制成。用于晶體管的金屬電極是利用跟有機(jī)發(fā)光二極管以及塑料太陽(yáng)能電池制作所采用的透明工藝一樣的工藝沉積而成。  “我們的電極是利用遮光板以及熱蒸發(fā)工藝在有機(jī)半導(dǎo)體的頂層制成的，”Kippelen說(shuō)，“通過保持金屬源極和襯底之間的距離足夠大(3英寸)，讓襯底在沉積過程之中不會(huì)過熱?！?nbsp; 下一步，研究人員將探索證明制作n溝道和p溝道晶體管的方法，以便利用室溫有機(jī)材料制成用于有源矩陣顯示器的CMOS反相器、振蕩器、邏輯門以及驅(qū)動(dòng)器等類似的輔助電路。  “用塑料襯底取代硅襯底也是我們將來(lái)研究計(jì)劃的一個(gè)組成部分，”Kippelen說(shuō)。  采用C60制作晶體管溝道的一個(gè)缺點(diǎn)在于它們對(duì)氧氣敏感，意味著這種器件必須在氮?dú)猸h(huán)境中工作。研究人員計(jì)劃通過重新形成富勒思分子并把器件封裝中的空氣排掉來(lái)解決這個(gè)問題。 

    半導(dǎo)體 移動(dòng) 晶體管 電子 BSP

  • 競(jìng)爭(zhēng)力使2007年半導(dǎo)體廠商見輸贏

    英特爾、索尼、東芝和高通閃亮iSuppli初步排名榜 iSuppli公司按2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)份額預(yù)估制作的初步排名榜，顯示各公司在各自市場(chǎng)領(lǐng)域中的表現(xiàn)相差懸殊，表明在半導(dǎo)體銷售增長(zhǎng)放緩之際，那些擁有卓越執(zhí)行能力或者一直能比較好地利用產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)或事件的廠商，表現(xiàn)優(yōu)于整體市場(chǎng)及其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。 英特爾表現(xiàn)不俗 例如，據(jù)iSuppli公司的初步排名，全球最大的半導(dǎo)體供應(yīng)商——美國(guó)英特爾2007年芯片銷售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)7.7%，從2006年的315億美元上升到339.7億美元。其2007年銷售額增長(zhǎng)率高于整體半導(dǎo)體市場(chǎng)的4.1%，而且讓它在PC微處理器領(lǐng)域中的對(duì)手——美國(guó)AMD相形見絀。預(yù)計(jì)2007年AMD銷售額下降22.7%。  “在今年的大部分時(shí)間里，由于雙核及四核芯片產(chǎn)品取得成功，英特爾守住了第一季度在PC微處理器市場(chǎng)從AMD手中奪得的大部分市場(chǎng)份額，”iSuppli的市場(chǎng)情報(bào)副總裁Dale Ford表示，“這相當(dāng)于2006年的情形完全逆轉(zhuǎn)，當(dāng)時(shí)AMD利用其受歡迎的雙核處理器從英特爾手中奪下了許多市場(chǎng)份額。” 2007年英特爾市場(chǎng)份額從2006年的12.1%上升到12.5%。 繼去年有史以來(lái)首次進(jìn)入10大半導(dǎo)體廠商排名榜之后，AMD的銷售額下滑，預(yù)計(jì)將使其2007年排名從2006年的第8降至第11位。預(yù)計(jì)2007年AMD半導(dǎo)體銷售額將從2006年的75億美元下降到58億美元。 表1所示為iSuppli公司對(duì)2007年全球20大半導(dǎo)體供應(yīng)商的初步排名 索尼與東芝贏在視頻游戲領(lǐng)域 廠商自身情況決定其市場(chǎng)表現(xiàn)的另一個(gè)例子是消費(fèi)電子巨頭——日本索尼，預(yù)計(jì)2007年它的半導(dǎo)體銷售額增長(zhǎng)56.8%，這是當(dāng)年全部20大半導(dǎo)體供應(yīng)商中最高的增長(zhǎng)率。相比之下，預(yù)計(jì)2007年整體消費(fèi)電子半導(dǎo)體銷售額僅增長(zhǎng)8.9%。 索尼的銷售額增長(zhǎng)幾乎全部來(lái)自用于該公司PlayStation 3游戲機(jī)的芯片銷售。該公司2007年半導(dǎo)體銷售額預(yù)計(jì)從2006年的51億美元上升到80億美元。 日本東芝也向索尼提供用于PlayStation 3游戲機(jī)的半導(dǎo)體，預(yù)計(jì)2007年該公司在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中也將有出色的表現(xiàn)。其銷售額料增長(zhǎng)24.1%，該增長(zhǎng)速度在20大芯片廠商中排在第二位。 “PlayStation 3所帶動(dòng)的芯片銷售，是推動(dòng)2007年日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)速度快于全球市場(chǎng)的主要因素，”Ford表示，“2007年總部在日本的半導(dǎo)體廠商所創(chuàng)造的營(yíng)業(yè)額，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)11.9%，在全球所有地區(qū)中增長(zhǎng)最快。” 日本芯片供應(yīng)商瑞薩科技和NEC電子的銷售額預(yù)計(jì)分別增長(zhǎng)3%和下降0.8%，顯然，索尼和東芝是推動(dòng)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的主要力量。 表2所示為iSuppli按公司總部所在地對(duì)全球半導(dǎo)體銷售額進(jìn)行的初步估計(jì)。 索尼已宣布簽署了一項(xiàng)協(xié)議，將把其用于PlayStation 3的Cell微處理器生產(chǎn)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)讓給東芝。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計(jì)方法，如果這項(xiàng)交易在今年底以前完成，則索尼在該領(lǐng)域的2007年芯片銷售額將轉(zhuǎn)到東芝名下。 在這種情況下，東芝將拉大其領(lǐng)先全球第三大半導(dǎo)體供應(yīng)商德州儀器的距離，而索尼的排名則將跌出前10。 高通排名高升，德州儀器與飛思卡爾下降 另一個(gè)有關(guān)廠商走勢(shì)分化的例子是，無(wú)半導(dǎo)體半導(dǎo)體供應(yīng)商的表現(xiàn)好壞不一。 預(yù)計(jì)美國(guó)高通的2007年銷售額增長(zhǎng)率達(dá)23.7%，是20大半導(dǎo)體供應(yīng)商中的第三高增長(zhǎng)率。其銷售額將從2006年的45億美元上升到56億美元。高通的排名將從2006年的第16上升到第12位。 高通的增長(zhǎng)完全來(lái)自面向手機(jī)和基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體銷售大幅增長(zhǎng)。同時(shí)，德國(guó)英飛凌2007年銷售額有望增長(zhǎng)14.6%，其中多數(shù)增長(zhǎng)來(lái)自無(wú)線通訊半導(dǎo)體銷售額的上升。 但是，45%以上銷售額來(lái)自無(wú)線通訊芯片的美國(guó)德州儀器，它2007年全球半導(dǎo)體銷售額預(yù)計(jì)下降3.4%。 “預(yù)計(jì)2007年全球無(wú)線半導(dǎo)體銷售額增長(zhǎng)4.3%，這些廠商的表現(xiàn)好壞不一，主要是因?yàn)樘厥馐录斐傻模褐Z基亞決定使其供應(yīng)基礎(chǔ)多元化，”Ford表示，“諾基亞是全球最大的手機(jī)廠商，歷史上一直把德州儀器幾乎當(dāng)作其獨(dú)家無(wú)線基帶供應(yīng)商。但是，諾基亞采取了一項(xiàng)戰(zhàn)略性行動(dòng)，增加其它基帶供應(yīng)商，降低對(duì)德州儀器的依賴程度。這使英飛凌等廠商受益，卻打擊了德州儀器的銷售。” 同時(shí)，手機(jī)半導(dǎo)體供應(yīng)商——美國(guó)飛思卡爾2007年芯片銷售額預(yù)計(jì)下降10.7%。這主要是由于飛思卡爾最大的客戶摩托羅拉表現(xiàn)不佳。2007年在手機(jī)銷售方面，摩托羅拉的市場(chǎng)份額不斷被諾基亞和三星侵占。 iSuppli微幅提高2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)率預(yù)測(cè) iSuppli現(xiàn)在預(yù)測(cè)，2007年全球半導(dǎo)體銷售額增長(zhǎng)4.1%，從2006年的2602億美元上升到2709億美元。該預(yù)測(cè)略高于iSuppli在9月預(yù)測(cè)的3.5%。 “第三季度全球半導(dǎo)體銷售額預(yù)計(jì)比第二季度增長(zhǎng)11.9%，非常接近iSuppli預(yù)測(cè)的9.9%，”Ford表示，“由于第三季度市場(chǎng)表現(xiàn)略好于預(yù)期，iSuppli把它對(duì)全年銷售額增長(zhǎng)率的預(yù)估微幅提高了0.6個(gè)百分點(diǎn)?！?/p>

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  • 電容器市場(chǎng)未來(lái)五年趨向薄膜貼片類

    隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展，人們對(duì)各類電子產(chǎn)品的電磁兼容性與可靠性、安全性提出了更高的要求。這就極大地促進(jìn)了EMI對(duì)策電子元件與電路保護(hù)電子元件的飛速發(fā)展，成為電子元件領(lǐng)域中的一個(gè)熱點(diǎn)，引起人們的極大關(guān)注。這類電子元件品種繁多，雖然近兩年沒有出現(xiàn)什么特別令人注目的新發(fā)明、新品種，但是這類電子元件型號(hào)規(guī)格的增多、參數(shù)范圍的擴(kuò)大以及抑制電磁干擾能力和保護(hù)電路能力的提升都非常顯著。特別是在這類電子元件的應(yīng)用方面，應(yīng)用范圍的迅速擴(kuò)大與需求量的急劇上升，都是十分驚人的。 EMI對(duì)策元件的新進(jìn)展  1．微小型化  迫于電子產(chǎn)品向更小、更輕、更靈巧的方向發(fā)展，EMI對(duì)策元件繼續(xù)向微小型化發(fā)展，如片式磁珠和片式電容器的主流封裝尺寸已經(jīng)逐步從1608（0603）過渡到1005（0402）；又如日本村田新發(fā)布的3繞組共模扼流圈的尺寸僅為2.5mm×2.0mm×1.2mm；在3.2mm×1.6mm×1.15mm的尺寸內(nèi)封裝了兩個(gè)共模扼流圈陣列。  2．高頻化  目前，電子產(chǎn)品向高頻化發(fā)展的趨勢(shì)十分明顯，如計(jì)算機(jī)的時(shí)鐘頻率提高到幾百兆赫乃至千兆赫；數(shù)字無(wú)線傳輸?shù)念l率也達(dá)到2GHz以上；無(wú)繩電話的頻率從45MHz提高到2400MHz等，因而由高次諧波引起的噪聲也相應(yīng)出現(xiàn)在更高的頻率范圍，EMI對(duì)策元件也隨著向高頻化發(fā)展，例如，疊層型片式磁珠的抑制頻率提高到GHz范圍。國(guó)內(nèi)南虹、順絡(luò)、麥捷以及國(guó)外的Murata、TDK、Taiyo－yuden、AEM、Vishay等公司都已推出性能優(yōu)良的GHz片式磁珠，其抑制噪聲頻率在600MHz～3GHz，滿足了高速數(shù)字電路的要求；村田的3端片式穿心陶瓷電容器的抑制頻率范圍為3MHz～2000MHz；TDK開發(fā)的1005（0402）片式電感器.電感器的使用頻率達(dá)到12GHz。  3．復(fù)合化和多功能化    在電子產(chǎn)品中經(jīng)常有排線部位，如I/O排線。為了使用方便，節(jié)省PCB面積，加快表面貼裝速度，一些片式EMI對(duì)策元件已經(jīng)陣列化。在1個(gè)封裝內(nèi)通常含有2、4、6、8個(gè)EMI對(duì)策元件。此外，將不同功能的EMI對(duì)策元件組合在1個(gè)封裝內(nèi)，達(dá)到多功能的目的。如將噪聲抑制功能與靜電放電保護(hù)功能組合在一起；將電容器與電感器或電阻器組合在一起；將共模噪聲抑制與差模噪聲抑制組合在一起等，都體現(xiàn)了向多功能化發(fā)展的趨勢(shì)。  4．新材料和新元件  眾所周知，尖晶石型軟磁鐵氧體和BaTiO3基陶瓷材料在EMI對(duì)策中占有十分重要的位置。近年來(lái)，又開發(fā)出一些新型材料，可用于抗電磁干擾，如6角晶系鐵氧體材料、金屬磁粉材料、非晶及超細(xì)晶金屬磁性材料、高分子磁性材料、高分子介質(zhì)材料、復(fù)合介質(zhì)材料及納米材料等。這些新型材料將在電磁兼容領(lǐng)域嶄露頭角，值得人們密切關(guān)注。

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  • 富士康稱中國(guó)九成實(shí)用新型專利為垃圾專利

        晨報(bào)訊 (記者 田野) 中國(guó)企業(yè)的創(chuàng)新能力依然存在很大差距，在昨天的“創(chuàng)新型國(guó)家建設(shè)與知識(shí)產(chǎn)權(quán)研討會(huì)”上，信息產(chǎn)業(yè)部電子知識(shí)產(chǎn)權(quán)咨詢服務(wù)中心主任趙天五認(rèn)為，“國(guó)內(nèi)的一流企業(yè)和三星差距在15年到20年”。隨后，全球最大電子代工企業(yè)富士康有關(guān)專家更拋出驚人觀點(diǎn)——中國(guó)90%的實(shí)用新型專利都應(yīng)該撤銷。 　　富士康集團(tuán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理處處長(zhǎng)傅紹明認(rèn)為，目前中國(guó)的很多實(shí)用新型專利都是“垃圾專利”，很多都是在原來(lái)的基礎(chǔ)上稍做粗糙改良、倉(cāng)促上馬并快速通過的，“90%的實(shí)用新型專利都應(yīng)該撤銷”。 　　所謂實(shí)用新型專利，是和發(fā)明以及外觀設(shè)計(jì)并列的三種專利類別之一，是指對(duì)產(chǎn)品的形狀、構(gòu)造或者其結(jié)合所提出的適于實(shí)用的新的技術(shù)方案。 　　傅紹明昨天的表態(tài)顯然頗具轟動(dòng)效應(yīng)。因?yàn)闄?quán)威數(shù)據(jù)顯示，僅2006年，我國(guó)的實(shí)用新型專利數(shù)量就高達(dá)161366件。 　　原北京市一中院知識(shí)產(chǎn)權(quán)庭庭長(zhǎng)、中國(guó)政法大學(xué)教授張廣良指出，我國(guó)許多企業(yè)依然處于有“制造”無(wú)“創(chuàng)造”的“非知識(shí)產(chǎn)權(quán)”的模糊狀態(tài)。他警告說(shuō)，如果一旦發(fā)生糾紛，企業(yè)必然陷入兩難境地。 

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  • 21IC廣招英才記者，快來(lái)加入呀！

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