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  • 第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關鍵技術

    第三代半導體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)、碳化硅(Silicon Carbide， SiC)、氧化鋅(Zinc Oxide， ZnO)、氮化鋁(Aluminum Nitride， AlN)和金剛石等寬禁帶半導體材料。與硅(Silicon， Si)、GaAs等半導體材料相比，第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優(yōu)越性質。其中氮化物材料是第三代半導體材料中最引人矚目的材料，尤其是GaN(氮化鎵)基光電子器件在白光照明領域非常成功。然而藍光LED(發(fā)光二極管)的技術專利受制于歐美日等從事該行業(yè)較早的國家。因此處于發(fā)展初期的基于AlGaN(鋁鎵氮)材料的紫外LED成為突破專利壟斷的最佳領域。另外，紫外LED也是目前氮化物技術發(fā)展和第三代材料技術發(fā)展的主要趨勢，擁有廣闊的應用前景。 目前全球紫外光源市場規(guī)模約為4億2700萬美元，不過傳統(tǒng)紫外汞燈仍然占據市場主導地位。和汞燈相比，近年發(fā)展迅速的紫外光LED光源，被公認具有8大優(yōu)勢。一是體積小，在便攜式、高集成度產品方面有巨大潛力。二是堅固耐用，LED比石英玻璃外殼的汞燈耐沖擊，不易發(fā)生破損。三是能源效率高，與汞燈相比，紫外光LED能量消耗最多可以低70%。四是環(huán)保，紫外LED不含有害物質汞，通過ROHS認證。五是工作電壓低，紫外LED工作電壓僅3-5伏左右，和高壓汞燈相比，既提高了安全性，也降低了驅動電路成本。六是功率更易調節(jié)。七是散熱系統(tǒng)要求低，進一步降低系統(tǒng)成本。八是光學系統(tǒng)簡單，更符合實際應用需要，紫外LED不需要外加透鏡就能得到緊湊的光束角和均勻的光束圖，從而降低成本，增強系統(tǒng)可靠性。正因為這些優(yōu)勢，紫外LED技術正在成為固態(tài)紫外光源行業(yè)極具吸引力的選擇方案。 同時，與傳統(tǒng)紫外光源汞蒸汽燈、準分子激光器相比，固態(tài)紫外光源具有小巧便攜、綠色環(huán)保、波長易調諧、電壓低、功耗小、可集成等諸多優(yōu)點，隨著技術的不斷進步，必將成為未來紫外光源的主流。在信息光存儲中，數(shù)據密度由讀寫的光源波長決定。深紫外激光二極管由于極短的波長，相比于基于藍光激光器的藍光存儲(blue-ray)技術，有望可將信息容量提升數(shù)十倍。在生化分析中，大多數(shù)生物分子含有的化學鍵在紫外光波段(270-350nm )有很強的光學共振，小型高效的紫外光源可以為生物探測和光電子學之間提供橋梁，使生物光子學的應用成為可能，例如基于熒光的bioagent識別等;光學檢測也是研究蛋白質結構極為有效的方法，光學激發(fā)色氨酸和酪氨酸這兩種極為重要的氨基酸需要275 nm 紫外光源。深紫外LED 是理想的新一代光源，市場潛力巨大，同時對智能制造和提升人民生活品質也將起到重要作用。 為了加快國內第三代半導體固態(tài)紫外光源的發(fā)展，國家科技部實施了重點研發(fā)計劃專項，開展第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關鍵技術的研究工作。該項目由中國科學院半導體研究所牽頭，集結了國內第三代半導體固態(tài)紫外光源領域的優(yōu)勢研究院所、高校及行業(yè)龍頭和應用企業(yè)，集中專業(yè)技術力量對固態(tài)紫外光源進行技術攻關，以期在5-10年內追趕國際先進水平，同時盡快實現(xiàn)第三代半導體固態(tài)紫外光源的市場化應用，以市場促發(fā)展，帶動國內第三代半導體固態(tài)紫外光源相關產業(yè)的發(fā)展。 中科院半導體所是國內最早開展氮化物材料研究的單位之一，承擔并出色完成了多項國家重大研究任務。項目負責人“十一五”期間承擔國家 863 前沿探索類課題“紫外 LED 用AlGaN材料生長研究”，實現(xiàn)了國內首個波長短于 300nm 的深紫外 LED 器件毫瓦級光功率輸出，研究成果成為“十一五”863 計劃新材料領域研究亮點，并獲得“十一五”二期國家專項的進一步支持，承擔 863 課題“深紫外 LED 制備和應用技術研究”，在基于AlN模板的 MOCVD 外延技術等方面取得了一系列成果，將深紫外 LED 性能提升近一倍。“十二五”承擔國家 863 課題“深紫外 LED 外延生長及應用技術研究”，成果經專家組鑒定達到國內領先、國際先進水平。目前承擔 863 課題“高鋁組分氮化物材料制備技術研究”，國內首次實現(xiàn)室溫近紫外 377nm 和深紫外 288nm 半導體激光器光泵浦激射。 本項目與以前的深紫外 LED 研究課題一脈相承，并由前期的前沿技術探索階段轉向共性關鍵技術突破階段。半導體所材料和器件綜合指標一直保持國內最好水平，高 Al組分材料質量位于國際最好水平;研發(fā)出國內第一支深紫外毫瓦級 LED 并始終保持效率領先;國內首次實現(xiàn)了GaN基藍光激光器，首次實現(xiàn)室溫近紫外 377nm 和深紫外 288nm的激光器光泵浦激射，保持著紫光激光器的領先優(yōu)勢;相關成果獲得“國家技術發(fā)明二等獎”1 項，“國家科技進步二等獎”1 項，“北京市科技進步一等獎”1 項。為項目的順利實施提供了堅實的技術保障。 研究機構Yole Development于2015年2月發(fā)布了最新的市場研究報告，市場在2015年之后將打破平靜開始加速增長，在2018年將出現(xiàn)跨越式地增長，同時該機構認為驅動產業(yè)第一輪增長的主要因素是始于2012年的光固化應用，UV-LED取代汞燈的大趨勢是這一輪增長的主要動力，而殺菌消毒及凈化領域的應用將成為產業(yè)增長的第二輪驅動力，這一輪增長將從2017年開始。在不遠的將來，光催化、殺菌消毒都有可能成長為數(shù)百億級的市場，而用于治療皮膚病的光療則可能讓UV-LED的應用系統(tǒng)成為千億級的市場。 結合國際上半導體紫外固態(tài)光源研究的主要發(fā)展趨勢，通過本項目的實施，依托我們的既有工作基礎和優(yōu)勢，系統(tǒng)開展AlGaN基深紫外LED結構的外延生長、器件制備及封裝工藝的研究。本項目科學意義在于從國家經濟、社會發(fā)展和國防安全對第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件的重大需求出發(fā)，建立相關的高Al組分材料機理理論和原始技術創(chuàng)新體系，攻克一系列相關的關鍵技術，獲得高質量材料，研制出高性能器件，開發(fā)相關產品并開展應用示范。同時培育和凝聚一支具有國際水平的研究隊伍，為 III 族氮化物半導體紫外LED在面向空氣和水凈化、其它殺菌領域等方面的重大應用奠定重要的科學基礎，并為國家安全和促進相關高技術產業(yè)的發(fā)展做出貢獻。 具體來看，首先可以促進國內固態(tài)紫外光源制造裝備的發(fā)展。目前國內外均沒有成熟的紫外光源制造的商業(yè)生長設備，可以說，大家處在同一個起跑線上，任何一個技術的突破都會帶來產業(yè)的巨大發(fā)展。通過發(fā)展高溫MOCVD裝備制造技術，可以帶動國內基礎制造業(yè)的發(fā)展。 其次可以促進國內材料、芯片等上游企業(yè)的發(fā)展。目前，藍光LED上游企業(yè)已處于飽和狀態(tài)，通過紫外光源的發(fā)展，可以促進上游LED企業(yè)的轉型和升級，帶動國內高新技術產業(yè)的發(fā)展。 最后通過應用產品開發(fā)，可以促進國內封裝、應用等下游應用企業(yè)的發(fā)展。利用紫外LED的殺菌功效，就可以在白色家電產品中廣泛應用，例如冰箱、空調、洗衣機、空氣凈化器、飲水機等等都會采用紫外LED來殺菌消毒，這些產品中的殺菌功能將會成為產品的標配功能。僅中國的冰箱、空調、洗衣機、空氣凈化器、飲水機等產品，每種產品每年的產銷量就達到幾千萬、甚至上億臺。據統(tǒng)計，2013年我國冰箱、洗衣機、空調、空氣凈化器、飲水機的總產量為30，486萬臺。如果在這些產品中都使用紫外LED燈進行殺菌消毒，將會是一個廣闊的應用市場，這些原有市場的替代和新市場應用的產生必將極大提高人民的生活水平，為任何時候任何地點提供清潔的空氣，清潔的水，改善生活環(huán)境讓更多的人享有健康。同時LED的長產業(yè)鏈和人才技術密集特點也將產生成千上萬的就業(yè)機會，對社會產生積極影響，獲得良好的社會效益。 “第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關鍵技術”重點研發(fā)計劃專項的實施，是國家科技體制改革的重要變化之一，通過集中國內最優(yōu)勢的團隊進行技術攻關，重點突出，以點帶面，全面促進國內科技創(chuàng)新和技術突破。

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  • 大規(guī)模并購改變半導體格局 大者恒大趨勢確立

    市場研究機構IC Insights的最新報告指出，2015與2016年發(fā)生的大規(guī)模并購(M&A)活動已經改變了半導體產業(yè)的格局，大型廠商在市場占據的比例越來越大。 IC Insights預測，全球排名前五大的半導體供貨商英特爾(Intel)、三星(Samsung)、高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)與SK海力士(Hymox)，在2016年的全球市占率總和將達到41%;該數(shù)字比十年前的32%增加了9個百分點。 此外估計2016年全球前十大半導體供貨商的市占率總和56%，較2006年的45%增加了11%;至于全球前二十五大半導體供貨商今年的全球市占率總和則超過四分之三的市場。 半導體產業(yè)繼2015年發(fā)生史上規(guī)模最大的M&A風潮之后，2016上半年稍微平息;不過2016年預期將會是IC產業(yè)M&A規(guī)模第二大的年份，因為截至第三季有三樁總金額達510億美元的收購案發(fā)生，包括軟銀(Softbank)收購ARM、ADI宣布收購凌力爾特(Linear)，以及瑞薩(Renesas)收購Intersil。 隨著接下來幾年產業(yè)整并風潮持續(xù)延燒，IC Insights預期大型半導體廠商在全球市場占據的比例將持續(xù)增加，甚至將邁向新高水平。

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  • 蔣尚義：中芯不會因他縮短與臺積電差距

    臺積電前營運長蔣尚義近日表示，他出任中芯國際獨立董事后，不會倍增中芯的實力，他也沒這么大的本事。 大陸晶圓代工廠中芯國際于2016年12月21日證實，蔣尚義出任中芯獨董，震撼半導體業(yè)界。中芯強調，蔣尚義并未在中芯擔任任何職位，也未在公司其它成員公司擔任任何職位，單純只是出任中芯董事會的獨立董事。 臺積電曾對此表示，蔣尚義前往中芯擔任獨董，事先有告知董事長張忠謀。 蔣尚義接受中央社記者訪問時表示，雖然中芯為中國最大晶圓代工廠，但與臺積電無論在技術、公司規(guī)模及業(yè)績的差距都不小，目前中芯營業(yè)額約為臺積電的1/10， 獲利則連1/10都不到，技術落后二代。 蔣尚義強調，2家公司的差距不會因他一年參加4次董事會就可以立刻縮短。他笑著說：“大家太看得起我了，我本事沒那么大。” 蔣尚義也指出，他絕對不會做傷害臺積電的事。在與中芯的合約中明白指出，獨董不能參與公司經營，也不能擔任公司顧問，對他這樣退休的人是一個很合適的工作。

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  • 高通CFO：中國芯片業(yè)務疲軟沖擊利潤

    高通26日發(fā)布2017最新財報顯示季度營收符合分析師的預期，3G和4G裝置增長8%，使專利授權飛速增長。但高通在獲利部分低于預期，高通財務長GeorgeDavis告訴外國媒體CNBC：中國業(yè)務疲軟，特別是晶片部門。高通第一季度每股利益(EPS)為1.19美元。季獲利來到59.9億美元，相較于去年同期美股利益97分美元，以及58億美元的獲利。 其中一個中國客戶和高通發(fā)生信用問題，高通財務長稱，不確定中國的疲軟是否是淡季造成。 有分析師表示并不認為是淡季問題，而是因為中國手機市場表現(xiàn)不優(yōu)異，才是沖擊高通的原因。預期由華為和OPPO主導市占率的情況下，產業(yè)其他從業(yè)者也能感受到手機市場的低迷。 還有分析師評論，近期的訴訟比預期來得強烈和廣泛?？紤]到近期與QTL的爭議，他相信能合理推測美國、歐洲、亞洲的監(jiān)管機構將花費更多的時間來核準恩智普的交易。 至于高通并購恩智普半導體，高通表示將預期在2017年底結算。 2017年CES展會上，史蒂夫·莫倫科夫(Steve Mollenkopf)展示了高通的最新處理器龍驍龍835，將搭配在三星Galaxy S7 edge，黑莓安卓裝置，和Google Pixel中。高通推出新的5G芯片預期將推進產業(yè)包括虛擬現(xiàn)實、串流視頻、無人機和物連網。 北京時間近日消息，高通今天發(fā)布了2017財年第一財季財報。報告顯示，高通第一財季凈利潤為7億美元，比去年同期的15億美元下滑54%;營收為60億美元，比去年同期的58億美元增長4%。高通第一財季業(yè)績超出華爾街分析師預期，對第二財季業(yè)績的展望也同樣超出預期，但其盤后股價仍下跌逾2%。

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  • 未來四年中國新建晶圓廠數(shù)量將超美國 獨占鰲頭

    中國發(fā)展半導體產業(yè)積極，近期產能大開、擴廠消息頻繁，先前國際半導體協(xié)會(SEMI)預估，未來兩年新建的 19 座晶圓廠有 10 座就建于中國，今 14 日 SEMI 再發(fā)布最新報告，預測至 2020 未來四年間將有 62 座晶圓廠，而中國大陸地區(qū)就將占 26 座，半導體設備市場也有望迎來大好年。 據國際半導體協(xié)會(SEMI)最新數(shù)據，預估 2017 年到 2020 年未來四年將有 62 座新晶圓廠投產，其中將有四成晶圓廠共 26 座新晶圓廠座落中國，美國將有 10 座位居第二，中國臺灣地區(qū)估計也會有 9 座。SEMI 估計，新晶圓廠中將有 32% 用于晶圓制造、21% 生產內存、11% 與 LED、MEMS、光學、邏輯與模擬芯片等相關。 而全球半導體設備市場也有望蓬勃發(fā)展，據 SEMI 日本估計，全球半導體設備市場今年將達到 397 億美元，較去年同期成長 8.7%，其中占比最高的晶圓加工設備 2016 年產值將達 312 億美元，年成長約 8.2%，封測設備市場產值約 29 億美元，也有 14.6% 的成長，半導體測試設備產值則在 39 億美元，年成長約 16%。 SEMI 也預測至 2017 年總體產值將進一步成長至 434 億美元，年成長率約 9.3%。 中國臺灣地區(qū)與韓國同樣為半導體設備支出最主要區(qū)域，值得關注的是，2016 年中國大陸擠下日本，首次成為半導體設備支出第三大區(qū)域。SEMI 預期，2017 年半導體設備銷售成長力道主要在歐洲，估計銷售額將有 51.7% 的成長，來到 280 億美元。而中國臺灣地區(qū)、韓國、中國大陸同樣將為半導體設備支出最多的區(qū)域。

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  • 半導體產業(yè)步出小低潮 2017年可望成長7.2%

    Gartner日前發(fā)布最新預估報告指出，經過2015、2016年的小低潮后，全球半導體產業(yè)將在2017年再度出現(xiàn)高達7.2%的成長，總市場規(guī)模可望達到3,641億美元。 依應用領域別來看，汽車電子、工業(yè)與儲存是三個最值得關注的市場;這三個市場雖然目前規(guī)模不大，但成長速度卻非?？焖?。 至于半導體傳統(tǒng)上最主要的應用出?？?-PC及智能型手機，則仍將維持緩慢成長的格局。

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  • 操刀并購華亞科 美光CEO將退休

    美光執(zhí)行長鄧肯(Mark Durcan)宣布即將退休，美光宣布董事會已組成監(jiān)督接班程序的特別委員會，并且在高管搜尋咨詢公司的協(xié)助下尋找與審查適合人選。 美光合并華亞科后，臺灣部分也在新年度展開高層人事調整，原華亞科總經理牟瑞德在春節(jié)后轉調日本，另調派一位新加坡籍華人來臺接任。 外界關注美光是否會啟動收購東芝半導體部門及出售編碼型閃存(NOR Flash)事業(yè)，以及是否重啟和大陸的內存合作。 美光表示，董事會還未針對鄧肯退休有明確時間表，但強調會慎重對候選人進行審查，為美光開創(chuàng)美好未來。 在未找到人選接棒前，鄧肯仍將以執(zhí)行長身分帶領美光，并協(xié)助尋找接替人選和后續(xù)的交棒事宜。 據了解，鄧肯在完成收購華亞科后，仍計劃出售旗下的編碼型內存事業(yè)，專注沖刺儲存型閃存(NAND Flash)及在臺灣擴大DRAM產能和后段先進3D DRAM事業(yè)，并暫時停止和大陸的內存合作事宜。 未來鄧肯退休后，相關后續(xù)計劃進度，將備受關注。   尤其近期東芝計劃出售最賺錢的閃存事業(yè)，據傳美光也有興趣收購。 鄧肯宣布將退休的消息，并未對美光股價帶來重大沖擊，美光上周五股價一度沖上廿五點二五美元，創(chuàng)二年半來新高，最后收廿四點六美元，小跌百分之零點七七。

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  • 東芝閃存子公司擬發(fā)優(yōu)先股融資27億美元 拯救母公司

    日本東芝公司計劃通過發(fā)行優(yōu)先股的方式，融資27億美元，擺脫美國核電資產減記帶來的危機。 之前，東芝已經決定將其優(yōu)質資產閃存業(yè)務分拆為獨立公司。東芝將利用這家公司發(fā)行不具有投票權的優(yōu)先股，總額為3000億日元，相當于26.6億美元。 據報道，東芝公司目前已經陷入困境，如果利用母公司發(fā)行股權，預期沒有外部公司有興趣購買。 之前，東芝公司旗下的美國核電業(yè)務出現(xiàn)了資產高估問題，將面臨幾十億美元的重大資產減記，具體金額將會在二月份出臺。為了避免陷入資不抵債，東芝急需要引入外部資金。 據悉，愿意入股東芝閃存公司的外部企業(yè)包括日本佳能公司，西部數(shù)據公司。 東芝閃存業(yè)務僅次于三星電子，是全球第二大閃存芯片制造商。

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  • 臺積電接班人選 引發(fā)市場聯(lián)想

    1.臺積電接班人選 引發(fā)市場聯(lián)想; 臺灣半導體產業(yè)協(xié)會將在下月底改選理監(jiān)事，臺積電董事長張忠謀欽點，現(xiàn)任臺積電共同執(zhí)行長魏哲家出任下屆理事長。 由于張年假期間在家中不慎跌倒，引起各界關注其健康及后續(xù)接班規(guī)劃，此安排是否為接班鋪路，引發(fā)聯(lián)想。 臺積電內部證實，魏哲家將任角逐下屆理事長改選，但不對相關布局做進一步評論。 臺灣半導體產業(yè)協(xié)會成立于1996年，是一個以「關心產業(yè)發(fā)展」為出發(fā)點的民間團體，希望透過協(xié)會的活動凝聚業(yè)界對產業(yè)發(fā)展的共識，以促成競爭中的合作，促進整體產業(yè)的健全發(fā)展。 魏哲家 張忠謀目前是臺灣半導體產業(yè)協(xié)會的名譽理事長，但據了解，由于他在臺灣、全球半導體產業(yè)都執(zhí)牛耳，因此近年來歷任理事長人選，幾乎都要他點頭。 在張忠謀后接任臺灣半導體產業(yè)協(xié)會理事長的人選，包括現(xiàn)任力晶集團執(zhí)行長黃崇仁、前臺積電總經理蔡力行、鈺創(chuàng)科技董事長盧超群等。 由于盧超群任期將于下月底屆滿，消息人士透露，張已欽點魏哲家出任下屆理事長，也是經過七年后，臺積電決定再派核心決策人士出任理事長，代表臺灣半導體業(yè)界與政府，甚至和快速崛起的中國大陸展開對話。 根據臺灣半導體協(xié)會官網，魏哲家已是臺灣半導體產業(yè)協(xié)會現(xiàn)任常務理事，且又獲張忠謀欽點，加上臺積電是臺灣半導體產業(yè)的龍點，預料魏哲家角逐下屆理事長，可望順利當選。 至于張忠謀欽點魏哲家出任下屆臺灣半導體產業(yè)協(xié)會理事長，是否為他未來的接班鋪路，也引發(fā)聯(lián)想。 張忠謀年假期間在家中不慎絆倒，顏面有小擦傷，引起各界驚恐，密切關注張忠謀的健康及后續(xù)接班規(guī)劃，張此刻拋出欽點魏哲家接掌帶領臺灣半導體產業(yè)大旗，也被外界視為一種風向球。 不過，半導體產業(yè)人士分析，臺積電近來大舉在臺灣擴充，都需要政府的協(xié)助和幫忙，必須借重協(xié)會的角色，做為發(fā)話的窗口，而魏哲家做事沉穩(wěn)，善于溝通，是張推他上陣的關鍵，至于接棒臺積電，恐還為時過早。 2.誰是臺積電接班人? 魏哲家劉德音 各擅勝場; 被視為臺積電接班人選之一的臺積電共同執(zhí)行長魏哲家，個性爽朗，和另一個執(zhí)行長劉德音個性內斂，是兩個完全不同性格。 臺積電董事長張忠謀上周主動露臉，直接打臉外傳他跌倒傷重的不實傳言，今日上班，外界更高度關切他的健康和未來的接班規(guī)劃。 觀察臺積電接班規(guī)劃的半導體界人士分析，張忠謀交棒給誰，還是讓外界霧里看花。 例如有關和政府打交道的公共事務，大多委由魏哲家出面，但臺積電供貨商管理大會，卻多半是由劉德音出面。 在法說會時，張忠謀丟出由兩人回答問題時，也是劉德音針對未來前瞻規(guī)劃的多;魏哲家則回答臺積電目前現(xiàn)況的多。 某種程度也可看出在決策前瞻規(guī)劃，張忠謀認為劉德音特質勝于魏哲家。 不過，在出席SEMI舉辦的活動時，魏哲家多半出席在SEMI China的論壇，劉德音則擔任SEMI Taiwan的專題演講關鍵人物，讓外界摸不清何者才是張矚意的接班人。經濟日報 3.臺灣半導體協(xié)會理事長 張忠謀欽點魏哲家; 臺灣半導體產業(yè)協(xié)會下月底改選，臺積電董事長張忠謀欽點現(xiàn)任臺積電共同執(zhí)行長魏哲家出任下屆理事長，是否為接班鋪路，引發(fā)聯(lián)想。 張忠謀年假期間在家中不慎絆倒，眼睛附近擦傷，引起外界密切關注張忠謀的健康及后續(xù)接班規(guī)畫，張忠謀今天恢復上班，此刻拋出欽點魏哲家接掌帶領臺灣半導體產業(yè)大旗，被外界視為一種風向球。 臺積電內部證實魏哲家將任角逐下屆理事長改選，但不對相關布局做進一步評論。 現(xiàn)任臺灣半導體產業(yè)協(xié)會理事長由鈺創(chuàng)科技董事長盧超群出任，他的任期下月底屆滿。 消息人士透露，張忠謀欽點魏哲家出任下屆理事長，也是經過七年后，臺積電再派核心決策人士出任理事長，代表臺灣半導體業(yè)界與政府，甚至和快速崛起的中國大陸展開對話。 張忠謀現(xiàn)任臺灣半導體產業(yè)協(xié)會名譽理事長，據了解，張在臺灣、全球半導體產業(yè)都執(zhí)牛耳，近年來歷任理事長人選，幾乎都需張點頭。 魏哲家現(xiàn)任臺灣半導體產業(yè)協(xié)會現(xiàn)任常務理事，又獲張忠謀欽點，加上臺積電是臺灣半導體產業(yè)的龍頭，預料魏哲家可望順利當選下屆理事長。 魏哲家個性爽朗，臺積電另一位共同執(zhí)行長劉德音個性內斂，兩人風格完全不同。 張忠謀先前在臺積電運動會和媒體侃侃而談，已不再堅持十年交棒計劃，也贊賞兩位接班人在管理臺積電表現(xiàn)大有進步，是他首度釋出可能會提早交棒的訊息。 觀察臺積電接班規(guī)畫的半導體界人士分析，張忠謀交棒給誰，還是讓外界霧里看花。 例如有關和政府打交道的公共事務大多由魏哲家出面，但臺積電供貨商管理大會卻多半是劉德音出面。 在法說會時，也是劉德音針對未來前瞻規(guī)畫的多，魏哲家回答臺積電目前現(xiàn)況的多。 某種程度可看出在決策前瞻規(guī)畫，張忠謀認為劉德音特質勝于魏哲家。 產業(yè)人士指出，臺積電近來大舉在臺灣擴充，包括后續(xù)的五奈米和三奈米投資案，都需要政府的協(xié)助，加上大陸快速崛起，若直接由臺積電和兩邊政府直接對話，可能會引發(fā)相關后遺癥，必須借重協(xié)會的角色，做為對話窗口。 魏哲家做事沈穩(wěn)，為人風趣，善于溝通，是張忠謀推他上陣的關鍵;至于接棒臺積電，恐還為時過早。 臺灣半導體產業(yè)協(xié)會一九九六年成立，是一個以「關心產業(yè)發(fā)展」為出發(fā)點的民間團體，希望透過協(xié)會的活動凝聚業(yè)界對產業(yè)發(fā)展的共識，以促成競爭中的合作，促進整體產業(yè)的健全發(fā)展。

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  • 中國將成為前景廣闊的半導體投資市場

    據全球領先的信息技術研究和顧問公司Gartner最新研究結果，中國國有企業(yè)將成為全球最活躍的投資者，竭力在增長緩慢的半導體市場內躋身為世界級廠商。因此，各半導體企業(yè)技術業(yè)務部的領導者們應針對未來在華業(yè)務制訂新計劃。 Gartner對于半導體投資市場的預測具體如下： 1000多億美元的投資將令中國本土半導體企業(yè)的營收到2025年提升3倍 中國政府擁有強大的力量，以引導國內資本重點流向由國有或國家持股公司所運營的特定行業(yè)。對于需大規(guī)模投資的行業(yè)(如：LCD面板、高速鐵路、太陽能和LED市場)，中國政府的指導模式一直卓有成效。為了實現(xiàn)指導方針中的既定目標，國家集成電路產業(yè)投資基金股份有限公司(CICIIF)的首輪基金約為200億美元，但據市場估算，當?shù)卣c國有企業(yè)的投資總額將首輪超過1000億美元。截至2016年9月，在CICIIF批準的100億美元基金中，約60%投向芯片制造，27%投向芯片設計，8%投向封裝與測試，3%投向設備，物料投資則占比為2%。 在此輪投資中，半導體設備提供商將會看到中國市場對于新的晶圓加工廠需求不斷增加。我們認為大部分晶圓加工廠將于2020年之前正式投產。雖然大部分廠家的工藝無法在近期內達到世界領先水平，但12英寸與8英寸晶圓廠的新增產能將在2020年之前對現(xiàn)有的晶圓代工廠市場造成一定影響。截至2025年的第二輪投資將基于市場的成功經驗重點注入更加先進的技術工藝。 為了實現(xiàn)2025年甚至2030年的宏偉目標，對半導體行業(yè)進行大規(guī)模投資應是中國政策的一貫戰(zhàn)略。在中國企業(yè)有能力提供設備、服務或工業(yè)生產之前，上游供應鏈的供應商們將是主要的受益者。 中國晶圓代工廠未來5年將總體實現(xiàn)最低20%的年度收入增長 隨著中國基礎設施建設在過去10年內得到顯著改進(或升級)，中國無廠半導體企業(yè)的收入在過去幾年內每年增長20%。而這一趨勢將延續(xù)下去，使得未來5年內中國代工廠對于晶圓的采購量增加20%。 由于中國政府大力扶持半導體行業(yè)，全球半導體公司都主動將各自的中國戰(zhàn)略確定為與中國廠商開展協(xié)作，以免被排除在外。未來5年內，一些國際化無廠半導體企業(yè)可能將多達50%的晶圓采購需求轉向中國代工廠。 在過去兩年間，中國代工廠在開發(fā)與量產28納米(nm)邏輯電路工藝方面一直進展緩慢，而與此同時，其他領先的代工廠在2015年轉至14nm，并將于2017年開始10nm工藝的生產。未來5年內，中國代工廠將繼續(xù)與最領先的邏輯電路技術公司展開艱難競爭。強勁的收入增長將局限于不具有領先優(yōu)勢的工藝領域。 到2025年，30%面向本地PC和服務器的處理器將通過現(xiàn)有處理器廠商簽訂許可證協(xié)議的形式在中國境內設計與制造 為了確保IT基礎設施和設備自立自足，中國政府多年來一直投資開發(fā)不同架構的高性能處理器——包括：x86、ARM、Power和Alpha——但依然難以使之商業(yè)化并推向主流市場。 通過合資與許可證授權的方式，中國企業(yè)可以獲得設計與生產先進處理器的能力，而成熟的國際化企業(yè)也能確保在中國市場的商業(yè)機會。 中國本土晶圓加工廠計劃于2020年獲得14nm節(jié)點制造能力，到2030年達到世界領先水平，從而在國內生產主流處理器。

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  • 英特爾今年底就將開始導入 7 納米晶圓制程

    根據Computer World報導，英特爾今年底就將開始導入 7 納米晶圓制程，時間提前于臺積電與三星等競爭者，鞏固其半導體龍頭的位置。日前，英特爾在盈余電話會議上宣布，為了進一步探索芯片生產工藝，公司將在今年建立一座 7nm 試驗工廠。   臺積電與三星今年均在努力提高 10 納米制程良率，不過一般認為 10 納米只是過渡，7 納米才是主戰(zhàn)場，包含 AMD、Nvidia 等大客戶此前均曾暗示跳過 10 納米、直接晉升 7 納米，而臺積電、三星還要等到 2018 年才會開始試產 7 納米制程。   英特爾擁有最先進的晶圓廠，長久以來，英特爾一直都是芯片制造技術的領頭羊，直至近幾年才被亞洲后輩超前，但無論如何姜還是老的辣，看來英特爾已準備好搶回領先位置。   不過制程微縮越精細越難生產，因此 7 納米初期的良率應該不會太好，預料英特爾剛開始只會少批量試作樣本，借以了解制程瓶頸，并作為改進良率的依據。英特爾目前也還沒公布 7 納米產品的時間表，實際量產還有待后續(xù)追蹤。   目前英特爾已經不再憂慮于在每一代芯片當中把晶體管數(shù)量翻倍了，他們現(xiàn)在對于摩爾定律的詮釋更符合每晶體管成本相關的經濟學，它可在產量提升之后降低。對于摩爾定律而言，這也是非常重要的一部分。   英特爾表示，他們將視圖憑借著7nm工藝回到2年生產周期，同時使用更智能的芯片設計。7nm工藝將為芯片帶來更大的設計變化，使其變得更小也更節(jié)能。英特爾計劃使用奇特的III-V材料（比如氮化鎵）來進行芯片生產，在提高性能速度的同時實現(xiàn)更長續(xù)航。

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  • 東芝為拆分半導體業(yè)務啟動招標程序 出售股份少于兩成

     據共同社報道，處于重組期的東芝3日為拆分半導體業(yè)務正式啟動了招標程序。為獲得股份的首輪報價已進入最后階段，由于出售的股份少于兩成，擬參與投標陣營的部分企業(yè)出現(xiàn)觀望情緒，東芝能否如期推進變得撲朔迷離。 東芝將拆分半導體主力產品“閃存”業(yè)務另外建立公司。19.9%的股份預計將賣出2000億至3000億日元(約合人民幣121億至182億元)。東芝的美國核電業(yè)務預計最大損失達7000億日元，此舉旨在避免陷入資不抵債的境地。 由于獲得不足兩成的股份幾乎無法參與經營，除最初有意競標的佳能表示暫不投資外，也有基金相關人士透露稱“條件太差”，可能還會讓東芝附上增加股份出讓等條件。 如果東芝在財年結束的3月底出現(xiàn)資不抵債，其股票將從東京證券交易所主板降至二板。拆分業(yè)務需要在3月下旬的臨時股東大會上獲得批準。由于時間有限，緊張的協(xié)調工作或還將繼續(xù)。

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  • 從一場集成電路領域最高逼格的國際會議看中國半導體的競爭力現(xiàn)狀

     每年的1月或2月，正是中國人歡慶春節(jié)的時候。而在大洋彼岸的美國，全球半導體人士也聚集加州舊金山，參加ISSCC(國際固態(tài)電路會議)。 今年2月5日--9日將在美國加州舊金山萬豪酒店召開。 1、什么是ISSCC？ ISSCC(國際固態(tài)電路會議)是“IEEE International Solid-State Circuits Conference”的縮寫，是國際學術界和企業(yè)界公認的集成電路設計領域最高級別會議，被認為是集成電路設計領域的“世界奧林匹克大會”。每年吸引了超過3000名來自世界各地工業(yè)界和學術界的參加者。 ISSCC始于1954年，每年一屆，是由IEEE固態(tài)電路協(xié)會(SSCS)主辦的最著名的半導體集成電路國際學術會議。ISSCC也是世界上規(guī)模最大、水平最高的固態(tài)電路國際會議，歷屆都有遍及世界各地的數(shù)千名學術、產業(yè)界人士參加。 在ISSCC60年的歷史里，眾多集成電路歷史上里程碑式的發(fā)明都是在這上面上首次披露。比如世界上第一個TTL電路 (1962年),世界上第一個集成模擬放大器電路(1968年), 世界上第一個1kb的DRAM (1970年), 世界上第一個CMOS electronic wristwatch (1971年), 世界上第一個8-bit microprocessor (1974年), 世界上第一個32-bit microprocessor (1981年), 世界上第一個1Mb的DRAM (1984年), 世界上第一個1Gb的DRAM (1995年), 世界上第一個集成 GSM transceiver (1995年), 世界上第一個GHz的微處理器 (2002), 世界上第一個多核處理器 (2005年)等等。 2、ISSCC的起源 1954年首次會議的早期參與者屬于無線電工程師協(xié)會(IRE)電路理論小組和IRE晶體管電路委員會。會議在費城舉行。后來在AIEE和IRE合并成為當今的IEEE。 第一次會議包括六個組織的論文：Bell Telephone Laboratories, General Electric, RCA, Philco, Massachusetts Institute of Technology and the University of Pennsylvania。注冊費為4美元(提前注冊為3美元)，注冊的人數(shù)為601人。 1954年會議的名稱出現(xiàn)在各種出版物和文件中：“晶體管會議”，“晶體管電路會議”，“費城會議”或“國家晶體管電路會議”。 1960年會議名稱固定為“國際固態(tài)電路會議”。 雖然ISSCC成立于費城，在20世紀60年代中期，美國半導體開發(fā)中心向西移動。 1978年，該會議在紐約的替代海岸舉行，很快取代費城。 1990年，舊金山成為會議的永久之家。 2011年，ISSCC的會期固定為五天。 3、ISSCC涉及的電路領域 近年來，ISSCC的論文涉及的集成電路領域包括九個Track： 模擬電路(傳統(tǒng)模擬電路、模擬電源管理); 數(shù)據轉換器(ADC/DAC/TDC); 數(shù)字架構與系統(tǒng)(處理器、通信與多媒體電路、人工智能); 數(shù)字電路(時鐘、數(shù)字電源管理); IMMD(圖像、MEMS、生物醫(yī)學、顯示); 存儲器(存儲單元、控制器); 射頻與無線系統(tǒng)(收發(fā)機、毫米波、太赫茲); 有線通信(SerDes/2.5/3D互聯(lián)); 前沿工藝設計(非硅集成電路、量子、柔性材料)。 page 4、今年ISSCC的議程 最近幾年的ISSCC都是從周日開始，周四下午結束。今年同樣如此。 今年周日白天是課程和論壇，可以從10個課程中最多選擇4個(有四個時間點可選);或從2個全天的高級論壇中選擇1個。 晚上是有兩個活動，一個是以“智能機器”為主題的專題會議;一個是學生研究預覽(Student-Research Preview)。 周一上午是四個主題報告，分別是臺積電(TSMC)的研發(fā)副總裁Cliff Hou(《A Smart Design Paradigm for Smart Chips》，演講內容是結合3D封裝和SoC技術的智能芯片設計新模式)，德州儀器(TI)的首席技術官Ahmad Bahai (《Dynamics of Exponentials in Circuits and Systems》，演講主題是集成電路業(yè)的多維創(chuàng)新模式)， 耶魯醫(yī)學院教授Jonathan Rothberg(《The Development of High-Speed DNA Sequencing: Jurassic Park, Neanderthal, Moore, and You》，演講主題是有關DNA測序)以及TU Delft的教授Lieven Vandersypen(《Quantum Computing-The Next Challenge in Circuit and System Design》，演講主題是關于量子計算)。 周一下午到周三下午，共計安排有28個Session 論文報告賣場。 周四安排有一個短期課程和4個專業(yè)論壇，要單獨付費。 5、我國在ISSCC的入選論文情況 一般在學界，每年有穩(wěn)定的ISSCC paper發(fā)表可以很好地代表了一所學校、一個實驗室或是一位教授在本領域所具有的世界級研究水平。 記得2014年清華大學微電子學研究所教授王志華說過，在ISSCC上發(fā)表論文，至少要滿足四個條件：一是設計的電路要最好或是首個設計電路;二是要從原理上說明為什么你提交的電路論文是最好的;三是設計的IC有什么功能，會產生什么樣的影響力;四是要經流片驗證確實可實現(xiàn)運行。 由于受國內半導體產業(yè)發(fā)展水平的限制，長期以來，ISSCC都與我們無緣，直到2005年，51歲的ISSCC才第一次聽到來自中國大陸的聲音。 我國自2005年在ISSCC上實現(xiàn)零的突破，至2017年，我國共有19篇論文入選，主要集中在模擬和處理器方面。 19篇論文中，清華大學6篇，復旦大學6篇，中科院3篇，產業(yè)界有4篇(3篇是外資公司撰寫)。 值得慶賀的是清華大學王志華教授和李宇根教授團隊3年共入選5篇，2008年、2009年連續(xù)兩年入選，2014年更為驚人，一年3篇入選。 而復旦大學連續(xù)四年(2011、2012、2013、2014)都有論文入選。 圖： 我國從2005-2017年在ISSCC上發(fā)表的文章數(shù)變化(趙元闖整理制圖) 圖：2005-2017年我國在ISSCC發(fā)表的論文情況(趙元闖整理制圖) page 6、思考 我國在ISSCC上平均每年入選僅有1.5篇，其中16篇來自大學和研究所等學術機構，我國產業(yè)界只有4篇入選(3篇為外資企業(yè)撰寫)，2017年還依靠ADI北京公司論文才避免再次掛零的情況。我國本土產業(yè)界只有1篇文章在ISSCC發(fā)表，這說明我國產業(yè)界在原始創(chuàng)新方面，還有很長的路要走。 實際上不管是從投稿數(shù)還是入選數(shù)量上，我們都處于在很低的數(shù)量級上，表明在集成電路設計方面的水平和世界最頂尖水平還是存在明顯的差距。 針對國內有網友評論說目前產業(yè)界不一定要在ISSCC上發(fā)表論文來證明自己，有業(yè)界專家表示，近年來，產業(yè)界在ISSCC上發(fā)表的論文數(shù)量數(shù)量有所下降，但仍占有每年一半的數(shù)量。一半被錄用的稿件來自產業(yè)界，很難下結論說這是或者不是一件好事。大多數(shù)企業(yè)對于技術研發(fā)和宣傳的態(tài)度，是以商業(yè)驅動為主導，不排除部分企業(yè)借ISSCC這一平臺來擴大自身的影響力。但ISSCC對于文章的錄用是有嚴格的標準的，其九大委會員的委員可不是白吃飯的，如果企業(yè)投稿不能詳細說明令人認同的技術細節(jié)，是不可能被錄用的。對于在ISSCC上發(fā)表論文，產業(yè)界不可太看重，但也不可太看重。目前主要的矛盾是吃不到葡萄，而不是葡萄酸不酸的問題。 另外在我國一個較迫切的問題是要堅定的走產學研相結合的道路。今天，由政府資金推動的大量科研項目，取得了豐富的科研成果，但總體上技術轉化率可能并不高。只有企業(yè)在高?？蒲许椖可贤度刖揞~資金時，對于技術成果轉化的要求才會更迫切，高校所受到壓力和推動力也更大，也將更務實高效。

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  • 十三五規(guī)劃期間大陸半導體產業(yè)政策目標

     研究顯示，綜合大陸相關法規(guī)政策目標與支持方式，預估，十三五規(guī)劃期間，無論晶圓代工或封裝測試，大陸IC制造產能將大幅成長，結合“物聯(lián)網+”與“中國制造2025”概念，處理器、現(xiàn)場可程式化閘陣列(FPGA)、物聯(lián)網(IoT)與信息安全相關芯片、存儲器等IC設計企業(yè)也將獲得政策大力支持。 十三五規(guī)劃期間，中央政府政策目標除持續(xù)追求大陸經濟相當幅度的成長外，提高物聯(lián)網普及率亦被定為重要政策目標。也因此，十三五規(guī)劃期間，中央政府將提高4.5G/5G基地臺、光纖骨干網路、數(shù)據中心等網通基礎設施普及率，對大陸IC內需市場而言，除會提高相關IC需求外，包括4.5G/5G智能手機核心與基地臺相關芯片、服務器相關處理器、存儲器等IC產品都將是十三五規(guī)劃期間重要支持方向。 十三五規(guī)劃期間，中央政府對半導體產業(yè)于財稅優(yōu)惠相關政策主要延續(xù)十二五規(guī)劃期間的國發(fā)(2011)4號文與財稅(2012)27號文。然十三五規(guī)劃期間，中央政府在IC企業(yè)資格認定與支持領域較十二五規(guī)劃期間都出現(xiàn)限縮，取而代之的是通過以半導體產業(yè)投資基金(以下簡稱為大基金)以直接入股方式，對大陸半導體企業(yè)給予財政支持或協(xié)助購并國際大廠。 十三五規(guī)劃期間中央政府半導體產業(yè)政策相關法規(guī)架構 十三五規(guī)劃期間 大陸以提高網通基礎建設普及率為重要政策目標 由《中華人民共和國國民經濟與社會發(fā)展第十三個五年規(guī)劃綱要》觀察與分析，十三五規(guī)劃期間，中央政府仍將延續(xù)十一五與十二五規(guī)劃政策目標，追求經濟持續(xù)成長。然而，因大陸經濟基期相對偏高，加上全球景氣不確定性攀升等因素干擾，大陸生產總值從2015至2020年的復合增長率定在6.5%，意即由2015年人民幣67.6萬億元成長至2020年92.7萬億元，成長動能較十二五規(guī)劃期間7%略緩。 中央政府著眼于未來將于物聯(lián)網、云運算、大數(shù)據等領域占有一席之地，加上將制造業(yè)數(shù)字化、網路化、智能化亦為中央政府重要戰(zhàn)略目標，有別于過去數(shù)個5年規(guī)劃，十三五規(guī)劃期間，大陸亦新增提升物聯(lián)網普及率為重要政策目標，其中，固網寬頻家庭普及率計劃于2020年提升至70%，移動寬頻用戶普及率則規(guī)劃提升至85%。 十三五規(guī)劃期間重要政策目標 數(shù)據來源：中華人民共和國國民經濟與社會發(fā)展第十三個五年規(guī)劃綱要 結合“物聯(lián)網+”與“中國制造2025”的概念，一方面為提升物聯(lián)網普及率，普及網通基礎建設就成為十三五規(guī)劃期間重要國家建設與政策發(fā)展方向。除智能手機、數(shù)字電視，乃至個人電腦與個人云等終端產品普及率將持續(xù)提升外，包括4G、4.5G，至5G基地臺、光纖骨干網路、交換機、數(shù)據中心與企業(yè)機房服務器等基礎建設也將逐步增加與普及。 另一方面，“中國制造2025”最重要的政策目標為2020年大陸核心基礎零組件與關鍵基礎材料自給率達40%，2025年進一步提升至70%。以2015年大陸IC內需市場自給率尚不及20%觀察，十三五規(guī)劃期間，除晶圓代工與封裝測試產能必須大幅擴充外，大陸IC設計企業(yè)于關鍵核心產品亦需投入更多研發(fā)。 由普及網通基礎建設的角度反應至大陸IC設計企業(yè)研發(fā)方向，包括4.5G/5G智能手機核心芯片、數(shù)字電視芯片、4.5G/5G基地臺相關芯片、服務器與個人電腦的中央處理器、有線/無線連接芯片、電源管理芯片、存儲器相關芯片等IC產品都將是十三五規(guī)劃期間，中央政府對IC設計企業(yè)研發(fā)重要支持方向。 大陸IC制造業(yè)者除產能的提升外，在低功耗與性能兼顧的IC產品發(fā)展方向下，28納米及其以下先進制程與電源管理、傳感器等部分特殊制程的研發(fā)，亦將成為大陸半導體產業(yè)政策支持方向。 “互聯(lián)網+”與“中國制造2025” 普及網通基礎建設為十三五規(guī)劃期間重要政策方向 延續(xù)十二五規(guī)劃期間所推動七大戰(zhàn)略性新興產業(yè)，十三五規(guī)劃期間，中央政府也將包括新一代信息技術產業(yè)創(chuàng)新、生物產業(yè)倍增、空間信息智能感知、儲能與分布式能源、高端材料、新能源汽車列為六大戰(zhàn)略性新興產業(yè)，其中差異僅少了環(huán)保節(jié)能領域。 與十二五規(guī)劃期間相同，半導體產業(yè)被歸類于新一代信息技術下基礎建設中的一環(huán)，意即只要符合條件的相關半導體企業(yè)皆可獲得政策支持，其中，包括人工智能、新型顯示器、移動智能終端裝置、5G相關核心芯片、先進感知芯片、可穿戴式裝置等相關芯片，皆會成為十三五規(guī)劃期間中央政府所規(guī)劃對IC產業(yè)所支持的項目。 十三五規(guī)劃期間六大戰(zhàn)略性新興產業(yè) 國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要 因大陸IC產業(yè)面對IC內需市場自給率偏低、IC制造與IC設計產業(yè)技術能力不足、產業(yè)集中度不足難以打造產業(yè)鏈，以及欲解決大陸IC制造業(yè)者資金不足問題，國務院于2014年6月發(fā)布《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》。 其中，對整體大陸IC產業(yè)政策目標，2014年至2020年產值年復合成長率需超過20%。若以2015年大陸IC產業(yè)產值人民幣3，500億元推算，至2020年若達成年成長目標，則大陸IC產業(yè)產值將達8，710億元，不僅產值將較十二五規(guī)劃期末(即2015年底)成長1倍以上，若以2015年至2020年大陸IC內需市場規(guī)模年復合成長率8%假設計算，至2020年大陸IC內需市場自給率將提升至55%。 大陸IC設計產業(yè)政策目標則是除持續(xù)發(fā)展移動通訊與網路通訊的IC設計技術外，并以此為基礎，跨入云運算、物聯(lián)網、大數(shù)據等領域。 至于大陸IC制造政策目標則是晶圓代工制程技術在2020年前能將16/14納米制程導入量產，封裝測試技術則能與日月光、艾爾克(Amkor)等國際一線大廠齊平。至于半導體設備材料領域，則是希望能在2020年前打入國際采購供應鏈。 《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》最重要的政策目標不僅要打造從半導體設備、IC設計、晶圓代工、封裝測試等IC完整產業(yè)鏈，更要進一步延展至軟件、整機、系統(tǒng)，乃至信息服務，打造一個從IC到終端市場、甚至是系統(tǒng)平臺服務的產業(yè)鏈。 要達到政策目標，《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》亦對IC產業(yè)給予政策支持，除既有重大科技專項、財稅優(yōu)惠、擴大金融支持外，最重要者即在于大基金的設立，及對國際合作、兩岸合作的支持。 大基金的設立除可改善大陸IC制造業(yè)者在擴充先進制程產能上資金不足的問題外，大陸IC業(yè)者亦有機會通過大基金的協(xié)助，購并國際大廠，或與國際大廠透過合資設立新公司方式進行合作。研究認為，以大基金為主，乃至于清華紫光、武岳峰等相關投資基金，通過股權投資的途徑，將成為十三五規(guī)劃期間帶動大陸半導體產業(yè)成長的重要動能。 《國家半導體產業(yè)發(fā)展推進綱要》的政策目標與政策支持 中國制造2025 著眼于未來能夠在3D打印、云運算、大數(shù)據、互聯(lián)網等領域占有一席之地，打造具國際競爭力的制造業(yè)為重要政策目標，國務院于2015年5月發(fā)布國發(fā)(2015)28號文，也正是“中國制造2025”。 實際上，“中國制造2025”普遍適用于各類型制造業(yè)，對于IC產業(yè)討論篇幅相當有限，主要著重在IC設計業(yè)知識產權(IP)與設計工具的取得、核心通用芯片的開發(fā)能力、封裝測試業(yè)在高密度封裝與3D IC封裝技術及測試技術的掌握，整個政策目的即在于在關鍵半導體元器件的供貨能力。 然而，通過“中國制造2025”對核心基礎零部件(元器件)、先進基礎工藝、關鍵基礎材料和產業(yè)技術基礎(四基)的政策目標，對應到半導體產業(yè)鏈進一步分析，在IC設計部分，至2020年大陸IC內需市場自給率目標達40%，2025年將更進一步提高至70%。 為滿足提升自給率政策目標，對IC制造產業(yè)而言，中央政府也將支持晶圓代工與封裝測試業(yè)者于產能上的擴充;對半導體設備與材料業(yè)而言，則將以提高設備與材料供貨能力為目標;至于IP與設計工具業(yè)，則以持續(xù)豐富知識產權與設計工具為政策目標。 為達IC產業(yè)政策目標，“中國制造2025”亦提出多項政策支持，其中值得注意的政策支持為“加強監(jiān)管，嚴懲市場壟斷與不正常競爭。”這也意味在十三五規(guī)劃期間，甚至十四五規(guī)劃期間，中央政府依然會對IC產業(yè)實施保護主義政策，高通涉嫌壟斷的案例也可能再次發(fā)生。 在大基金與各地方政府半導體產業(yè)投資基金相繼設立后，運用PPP (Public-Private-Partnership，公共私營合作制)模式，將政府資金與民間企業(yè)合資入股設立新公司，協(xié)助大陸IC制造業(yè)者擴充產能，以取代過去直接補貼模式，將為十三五規(guī)劃期間中央政府對IC業(yè)者擴充產能與購并的最主要政策支持。 此外，加強海外購并將列入“中國制造2025”政策支持項目，這也說明除星科金朋、豪威科技外，十三五規(guī)劃期間大陸將有更多海外購并案會發(fā)生。 對大陸IC產業(yè)，乃至電子產業(yè)而言，“中國制造2025”最終政策目標即是希望打造如同韓國三星一樣，從半導體設備與材料、IC設計與制造、電子零組件、終端產品都能加以整合的國際品牌巨頭。 “中國制造2025”大陸半導體產業(yè)政策目標與政策支持 “中國制造2025”重點領域技術路線圖 繼2015年5月國務院發(fā)布“中國制造2025”后，更進一步設立國家制造強國建設戰(zhàn)略咨詢委員會，并于同年10月發(fā)布“中國制造2025”重點領域技術路線圖，針對新一代信息技術產業(yè)、高端數(shù)字控制車床與機械人、航空設備與機械、新材料、新農業(yè)、新能源汽車等十大重點領域技術發(fā)展目標、重點方向、發(fā)展時程進行規(guī)劃，其中，半導體產業(yè)被規(guī)劃在新一代信息技術產業(yè)的項目之一。 “中國制造2025”重點領域技術路線圖對IC制造產業(yè)的規(guī)劃，產能擴充與先進制程的發(fā)展是最重要兩大政策目標，其中，在產能擴充上，全大陸晶圓代工月產能規(guī)劃由2015年70萬片12吋晶圓擴充至2025年100萬片，2030年更進一步擴充至150萬片。在先進制程發(fā)展上，大陸晶圓代工產業(yè)將以2025年14納米制程導入量產為目標。 大陸IC制造產業(yè)的發(fā)展重點則鎖定新型態(tài)3D電晶體、下一代顯影技術，及超大尺寸晶圓為發(fā)展方向，目標則是希望于2030年大陸IC制造技術能力能與臺積電、英特爾、三星電子等世界級大廠齊平。 2015~2030年大陸IC制造產業(yè)政策目標與發(fā)展重點 “中國制造2025”重點領域技術路線圖對IC設計產業(yè)的規(guī)劃，于全球市占率的擴張與IC設計能力的提升為最主要政策目標，其中，2030年大陸IC設計產值規(guī)劃達600億美元，以于全球市占率提升至35%，大陸主要IC設計企業(yè)將以具備14納米及其以下先進制程為政策目標。 大陸IC設計產業(yè)的發(fā)展重點則鎖定運算核心芯片與存儲器為主要目標，其中，中央政府規(guī)劃2030年大陸IC設計公司具備PC與服務器應用多核心CPU與移動運算應用超低功耗多核心CPU等產品的設計能力，在存儲器方面，也規(guī)劃2030年前，大陸存儲器相關IC企業(yè)在包括eDRAM(嵌入式DRAM)與3D V-NAND Flash(Vertical NAND Flash)等存儲器具設計與量產能力。 為達成“中國制造2025”重點領域技術路線圖的政策目標，除通過科技專項補貼、加強人力資源培養(yǎng)等政策支持外，中央政府亦計劃逐步擴大大基金規(guī)模，亦不排除設立第二期與第三期半導體產業(yè)投資基金。 2015~2030年大陸IC設計產業(yè)政策目標與發(fā)展重點 十三五規(guī)劃期間 中央政府財稅優(yōu)惠政策出現(xiàn)限縮 十三五規(guī)劃期間，中央政府對半導體產業(yè)于財稅優(yōu)惠相關政策主要延續(xù)十二五規(guī)劃期間的國發(fā)(2011)4號文與財稅(2012)27號文。 中央政府對半導體企業(yè)財稅優(yōu)惠上，在IC設計方面，符合條件的IC設計公司除免征營業(yè)稅外，大陸境內新設IC設計企業(yè)也能享有企業(yè)所得稅兩免三減半的優(yōu)惠，員工培訓費用亦能抵減應繳納企業(yè)所得稅，至于無形資產與固定資產的折舊或攤提時限亦可縮短為2年。 在IC制造的財稅優(yōu)惠方面，則包括符合條件IC制造的企業(yè)所得稅優(yōu)惠及折舊時限的縮減。 2016年中央政府對半導體產業(yè)租稅優(yōu)惠的政策支持上，相繼發(fā)布財稅(2016)49號文與發(fā)改高技(2016)1056號文。其中，財稅(2016)49號的重點在于對能夠接受國家財稅支持半導體企業(yè)資格認定予以明確規(guī)范，發(fā)改高技(2016)1056號文則是對大陸IC設計企業(yè)產品與研發(fā)范圍認定做了更進一步規(guī)范。 在IC企業(yè)資格認定上，IC設計企業(yè)與IC制造企業(yè)皆需在大陸成立，并經過認定取得資格的獨立法人，排除于臺、港、澳地區(qū)設立的半導體企業(yè)。此外，財稅(2016)49號文也對包括高學歷員工與研發(fā)人員占總員工數(shù)、來自IC制造或IC設計本業(yè)營收占總營收金額比重、研發(fā)金額占營收比重與用于大陸境內研發(fā)費用占研發(fā)費用比重皆有明確規(guī)范。 在IC設計企業(yè)產品與研發(fā)領域的規(guī)范上，發(fā)改高技(2016)1056號文則明文中央政府將對高性能處理器、FPGA、物聯(lián)網與信息安全相關芯片、存儲器、電子設計自動化(EDA)及IC設計服務、工業(yè)芯片等六大領域的IC設計企業(yè)給予財稅上的支持。 十三五規(guī)劃期間中央政策對IC產業(yè)財稅政策支持 結語 觀察十三五規(guī)劃期間中央政府對半導體產業(yè)的政策支持，相關法規(guī)架構可分為十三五規(guī)劃、大基金、中國制造2025、財稅補貼等四大部分。 十三五規(guī)劃期間，中央政府著眼于來自物聯(lián)網、云運算、大數(shù)據的巨大商機與成長動能，將提升互聯(lián)網普及率定為新增重要政策目標。為達此目標，普及包括4.5G/5G基地臺、光纖骨干網路、電信商交換機、數(shù)據中心等網通基礎建設就成為十三五規(guī)劃期間重要國家建設與政策發(fā)展方向。 預估，提升互聯(lián)網普及率政策方向將帶動大陸包括4.5G/5G智能手機核心芯片、4.5G/5G基地臺相關芯片、服務器與個人電腦的中央處理器、有線無線網通芯片、電源管理芯片、存儲器等芯片的需求，相關IC企業(yè)也將成為十三五規(guī)劃期間中央政府支持對象。 此外，提升大陸IC內需市場自給率則為十三五規(guī)劃期間中央政府另一項半導體產業(yè)政策重大目標，為此，大陸IC制造業(yè)者在先進制程產能與部分特殊制程產能提升將獲得中央政府財政支持，大陸IC設計業(yè)者也將在高性能處理器、FPGA、物聯(lián)網與信息安全相關芯片、存儲器、EDA及IC設計服務、工業(yè)芯片等六大領域獲得財稅上的支持。 對于十三五規(guī)劃期間中央政府對半導體產業(yè)扶植政策分析，來自01專項與02專項等重大科技專項直接財政補貼已進入倒數(shù)計時階段，財稅優(yōu)惠政策則在IC企業(yè)資格認定與支持領域方面較十二五規(guī)劃期間都出現(xiàn)限縮。 取而代之則是通過大基金直接入股的途徑，對半導體企業(yè)給予財政上的支持，或對國外企業(yè)進行購并。預估，以大基金與清華紫光為主的相關投資基金，將成為十三五規(guī)劃期間帶動大陸半導體產業(yè)成長的重要動力。

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  • 2016全球最大半導體買家中國首度三廠進前10

    中國大陸進口半導體金額超過原油，近年視半導體為戰(zhàn)略性產業(yè)，但誰才是全球半導體的大買家? 國際研究暨顧問機構Gartner表示，2016年三星電子(Samsung Electronics)與蘋果(Apple)仍為全球半導體最大買家，占市場整體需求 18.2%。 其次依序為戴爾、聯(lián)想、華為。 2016年三星與蘋果一共消費了價值617億美元的半導體，較2015年增加4億美元。 2015年全球前10大半導體買家中有9家在2016年仍名列前10，其中2015年位居第10位的思科(Cisco Systems)在2016年因中國智能手機廠商步步高通訊設備的快速增長，排名被取代。步步高去年半導體買家排名，從前年第 21 名，躍升到第 9 名。 2016年前10大業(yè)者中包含4家美國公司，3家中國公司，2家韓國公司和1家日本公司。 這是第一次3家中國公司排名前10，證明即使中國的總體經濟情況放緩，其電子市場的重要性仍在成長。 Gartner 統(tǒng)計，去年前 10 大半導體買家，三星、蘋果排名穩(wěn)居居冠、亞軍，其后依序是戴爾 (DELL-US)、聯(lián)想 (0992-HK)、華為、惠普 (HPQ-US)、HPE、SONY、步步高及 LG ，各廠商消費金額至少在 51.7 億美元以上。 Gartner首席分析師山路正恒表示，三星電子與蘋果已連續(xù)第六年稱霸半導體消費領域，雖然兩家公司在半導體產業(yè)的技術和價格趨勢持續(xù)發(fā)揮相當大的影響力，由于未來成長預期下滑，影響也已減弱。 他說，半導體芯片供貨商已不能再通過依靠少數(shù)大客戶來確保他們的業(yè)務，特別是在近期市場的變化益發(fā)迅速。 例如步步高通訊設備于2016年的成長十分快速，這種非?？焖俚脑鲩L也突顯中國商業(yè)的多變性。 盡管如此，前十大業(yè)者的綜合設計總體有效市場(total available market，TAM)仍超過2016年半導體市場的平均成長率。 中國廠商中，聯(lián)想與華為去年與前年排名分別上下挪移 ， 聯(lián)想 排名從前年第 3 名掉到第 4 名，遭戴爾擠掉一名，但消費金額仍有 128.47 億美元，年減 5.1%，占整體消費市場比重約 3.8%。 華為排名則從前年第 6 名進步到第 5 名，消費金額達 98.86 億美元，逼近百億美元關卡，年增 30.1%，占有率也達 2.9%。 總計去年中國三家廠商的半導體消費金額達 285.51 億美元，占整體市場比重約 8.4%。 整體半導體消費市場金額去年達 3396.84 億美元，較前年 3347.68 億美元增加 1.5%。

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