半導(dǎo)體廠展望Q1營(yíng)收不同調(diào) 聯(lián)發(fā)科保守臺(tái)積電消極

半導(dǎo)體廠第1季營(yíng)運(yùn)展望不同調(diào)，聯(lián)發(fā)科與創(chuàng)意第1季展望保守，業(yè)績(jī)恐將季減2位數(shù)百分點(diǎn)，瑞昱、聯(lián)詠與譜瑞-KY則可望有淡季不淡表現(xiàn)，業(yè)績(jī)有機(jī)會(huì)較去年第4季持平。 重量級(jí)半導(dǎo)體廠法人說(shuō)明會(huì)已陸續(xù)登場(chǎng)，隨著時(shí)序步入產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季，加上有農(nóng)歷年假期、工作天數(shù)減少影響，部分廠商預(yù)期第1季業(yè)績(jī)恐將滑落，不過，仍有部分廠商看好第1季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)可望淡季不淡。 晶圓代工廠臺(tái)積電與聯(lián)電第1季因淡季效應(yīng)影響，業(yè)績(jī)恐將同步較去年第4季滑落，只是兩公司業(yè)績(jī)下滑幅度不盡相同。 臺(tái)積電預(yù)期，第1季合并營(yíng)收將約新臺(tái)幣2360億至2390億元，將季減8.8%至10%。 聯(lián)電則預(yù)期，第1季晶圓出貨量將僅下滑1%，產(chǎn)品平均銷售單價(jià)將下滑約3%，即第1季營(yíng)收將季減約4%，營(yíng)運(yùn)將相對(duì)不淡。 手機(jī)芯片廠聯(lián)發(fā)科認(rèn)為，除季節(jié)性因素及工作天數(shù)減少外，強(qiáng)勢(shì)美元也將影響第1季營(yíng)收動(dòng)能，預(yù)期季合并營(yíng)收將約536億至591億元，將季減14%至22%，展望保守。 IC設(shè)計(jì)服務(wù)廠創(chuàng)意盡管看好第1季客戶委托設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)可望較去年第4季持平或微幅成長(zhǎng)，只是特殊應(yīng)用芯片業(yè)務(wù)仍將因季節(jié)性因素影響滑落，并將拖累整體第1季營(yíng)收季減2位數(shù)百分點(diǎn)。 高速傳輸接口芯片廠譜瑞-KY則受惠中國(guó)大陸智能手機(jī)市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，第1季營(yíng)運(yùn)可望淡季不淡，季合并營(yíng)收將約7000萬(wàn)至7700萬(wàn)美元，將較去年第4季持平至減少9%。 面板驅(qū)動(dòng)IC廠聯(lián)詠第1季在小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC銷售暢旺支撐下，業(yè)績(jī)也可望有淡季不淡表現(xiàn)，季合并營(yíng)收將約108億至112億元，將較去年第4季持平至減少3.7%。   網(wǎng)通芯片廠瑞昱對(duì)第1季營(yíng)運(yùn)同樣持審慎樂觀看法，季營(yíng)收可望較去年第4季持平。

半導(dǎo)體 半導(dǎo)體廠商 臺(tái)積電 聯(lián)發(fā)科

Molex 推出滾子傳動(dòng)用IP67 BradHarshIO EtherNet/IP模塊

Molex最近推出了業(yè)界首個(gè)通過 ODVA 合規(guī)測(cè)試并經(jīng)認(rèn)證的 IP67 EtherNet/IP I/O 模塊，實(shí)現(xiàn)與滾子傳動(dòng)的接口功能。用于滾子傳動(dòng)模塊的 Brad® HarshIO 可節(jié)省大量的空間，采取機(jī)器安裝方式，即使在最苛刻的環(huán)境下也可將工業(yè)控制器直接連接到 I/O 設(shè)備。該模塊最多可與 4 個(gè)滾子傳動(dòng)模塊通過接口連接，對(duì)于輸送機(jī)應(yīng)用是一種經(jīng)濟(jì)的選擇。 HarshIO 模塊采用 IP67 等級(jí)的外殼，針對(duì)高振動(dòng)環(huán)境下灰塵和液體的侵入提供保護(hù)。機(jī)器安裝方式可以節(jié)省機(jī)柜空間，并且降低現(xiàn)場(chǎng)的接線成本。集成的雙端口交換機(jī)速度可達(dá) 100Mbps，提供全雙工的數(shù)據(jù)傳輸性能，并且啟用了菊花鏈的接線拓?fù)?，進(jìn)一步節(jié)省成本。Molex 專利的 Ultra-Lock®按下鎖定連接系統(tǒng)具有進(jìn)一步節(jié)省時(shí)間的優(yōu)勢(shì)，在調(diào)試過程中可以為電線組實(shí)現(xiàn)可靠的 IP67 等級(jí)的密封連接。 HarshIO 模塊支持 8 路數(shù)字輸入，以及 4 路數(shù)字輸出和 4 路模擬輸出，可控制傳動(dòng)的速度。該模塊采用內(nèi)置保護(hù)，預(yù)防出現(xiàn)短路和電流過載的事件，此外還配有診斷用 LED 指示燈，供目視反饋網(wǎng)絡(luò)、電源和 I/O 的狀態(tài)。 Molex 產(chǎn)品經(jīng)理 Eric Gory 表示：“輸送機(jī)需要使用經(jīng)濟(jì)的連接解決方案來(lái)取代復(fù)雜的接線和端子盒。惡劣環(huán)境下的 Brad 模塊可以為機(jī)器和系統(tǒng)的制造商減輕接線的負(fù)擔(dān)，符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求，在包括汽車、自動(dòng)化、食品飲料和常規(guī)應(yīng)用在內(nèi)的一些最苛刻的工業(yè)環(huán)境下久經(jīng)考驗(yàn)。”

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臺(tái)積電、三星發(fā)展7nm各有盤算

為證明自己在全球晶圓代工的領(lǐng)先地位，三星電子(Samsung Electronics)與臺(tái)積電不約而同在2017國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)(International Solid-State Circuits Conference;ISSCC)發(fā)表了各自最新的制程技術(shù)，然而2家廠商透露了相當(dāng)不同的7奈米制程發(fā)展方向。 根據(jù)EE Times報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電贏得了蘋果(Apple) iPhone SoC大部分的訂單后，積極于2017年投入了10奈米晶片的量產(chǎn)推進(jìn)，并預(yù)計(jì)于2018年開始提升7奈米晶片的產(chǎn)量，以應(yīng)付iPhone 8(暫訂)的需求。另一方面，沒有了蘋果訂單的壓力，三星不需急于投入7奈米制程，而是打算借由極紫外光顯影技術(shù)(EUV)展現(xiàn)晶圓代工實(shí)力。 SRAM被視為是推動(dòng)下一代節(jié)點(diǎn)技術(shù)的關(guān)鍵。臺(tái)積電在ISSCC上展示的7奈米制程256 Mb SRAM測(cè)試晶片，存儲(chǔ)單元(bit-cell)面積僅有0.027平方公厘，是2017年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)的SRAM當(dāng)中，體積最小的。其SRAM巨集將使用7層金屬層，晶?？偯娣e為42平方公厘，比臺(tái)積電的16奈米版本小了0.34倍。 更重要的是，臺(tái)積電表示其以7奈米制程打造的SRAM測(cè)試晶片，其良率已經(jīng)展現(xiàn)相當(dāng)水準(zhǔn)，達(dá)成臺(tái)積電的設(shè)計(jì)目標(biāo)。 三星的技術(shù)進(jìn)展則是側(cè)重在研究方面。三星發(fā)展出了一套創(chuàng)新的修復(fù)程序，并分別針對(duì)既有曝光機(jī)與EUV設(shè)備進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果證實(shí)EUV的確擁有較佳的表現(xiàn)。 然而修復(fù)程序并不是生產(chǎn)流程的一部分，因此無(wú)法說(shuō)明三星是否已準(zhǔn)備好將EUV應(yīng)用在7奈米制程。三星在大會(huì)上發(fā)表的8 Mb測(cè)試SRAM晶片，也未使用EUV。 專家認(rèn)為到了2020年，EUV便可應(yīng)用在某些關(guān)鍵層上。三星曾在2016年底時(shí)表示，他們將會(huì)把EUV運(yùn)用在7奈米制程，但并未透露使用的范圍。 三星的7奈米時(shí)程或許會(huì)落后臺(tái)積電1到3年，但三星的7奈米一旦起步，就可透過導(dǎo)入EUV的使用，至少在行銷策略上取得更大的優(yōu)勢(shì)，三星打的算盤類似2015年臺(tái)積電16奈米制程與三星14奈米制程代工iPhone AP之對(duì)壘一般，臺(tái)積電的16奈米制程打造的iPhone系統(tǒng)單晶片，其實(shí)在散熱方面更優(yōu)于三星一籌，但外行人卻從奈米制程表面的數(shù)字，以為臺(tái)積電制程技術(shù)落后于三星。

半導(dǎo)體 三星電子 7nm 臺(tái)積電

Vishay新款高可靠性VY1 Compact系列瓷片式電容器通過偏壓85/85加速壽命測(cè)試

賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其VY1 Compact系列交流線路瓷片式安規(guī)電容器通過了“偏壓85/85”加速壽命測(cè)試。Vishay BCcomponents器件可為Class X1 (760VAC) 和 Y1 (500VAC) 應(yīng)用提供非常高的可靠性，是業(yè)內(nèi)首顆脈沖強(qiáng)度達(dá)到10kV，在額定電壓下經(jīng)受了1000小時(shí)的 85℃ 溫度和 85% 相對(duì)濕度測(cè)試的器件。 標(biāo)準(zhǔn)的 X1- 和Y1- 額定的陶瓷安規(guī)電容器在 IEC 60384-14.4 規(guī)定的40℃ 溫度和93% 相對(duì)濕度條件下進(jìn)行測(cè)試，該標(biāo)準(zhǔn)是電子設(shè)備中電容器的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。在符合 IEC 60384-14.4 的基礎(chǔ)上，VY1 Compact 系列器件進(jìn)行了更嚴(yán)格的濕度測(cè)試，從而具有比標(biāo)準(zhǔn)對(duì)標(biāo)產(chǎn)品更優(yōu)異的可靠性和更長(zhǎng)的使用壽命。 電容器采用Y5U陶瓷電介質(zhì)，直徑只有7.5mm，有效節(jié)省空間，針對(duì)電源、電表和智能儀表、白色家電、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子中的 RFI 和交流線路濾波應(yīng)用做了優(yōu)化。器件的容值從 470pF 到 4700pF，公差為 ±20%，溫度范圍為-40℃～+125℃。 VY1 Compact系列電容器由鍍銅的瓷片和直徑 0.6mm 的鍍錫覆銅鋼連接引線構(gòu)成。器件有直角 (內(nèi)聯(lián)) 彎引線或直引線，引線間距 10mm 或 12.5mm。電容器符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，外殼由符合UL 94 V-0的耐火環(huán)氧樹脂材料制成。 增強(qiáng)型VY1 Compact系列現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為六周到八周。

半導(dǎo)體 Vishay compact 瓷片式電容器 vy1

格羅方德在成都建立12英寸晶圓生產(chǎn)基地 投資超百億美元

新年春節(jié)剛過，從成都傳來(lái)重磅消息，全球第二大晶圓代工廠格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司(GlobalFoundries)在此宣布，正式啟動(dòng)建設(shè)12英寸晶圓成都制造基地，推動(dòng)實(shí)施成都集成電路生態(tài)圈行動(dòng)計(jì)劃，投資規(guī)模累計(jì)超過100億美元。 格羅方德是全球領(lǐng)先的集成電路企業(yè)，致力于為全球最出色的科技公司提供獨(dú)一無(wú)二的設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造服務(wù)。 當(dāng)天，格羅方德 12英寸晶圓成都制造基地項(xiàng)目在成都高新區(qū)正式簽約并舉行開工儀式。 近年來(lái)，成都把電子信息產(chǎn)業(yè)作為“突出發(fā)展”的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)來(lái)抓，采取“外引+內(nèi)培”模式，全力做粗拉長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)鏈，已發(fā)展成為中國(guó)的“IT第四極”。電子信息產(chǎn)業(yè)成為成都融入全球經(jīng)濟(jì)版圖的示范性、引領(lǐng)性、旗艦性產(chǎn)業(yè)。 在集成電路產(chǎn)業(yè)鏈布局方面，以成都高新區(qū)為核心聚集區(qū)，已吸引包括英特爾、德州儀器、AMD、聯(lián)發(fā)科、展訊、等在內(nèi)的重點(diǎn)企業(yè)布局，形成了IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、IC封裝測(cè)試完整的產(chǎn)業(yè)鏈。 數(shù)據(jù)顯示，2016年，成都電子信息產(chǎn)業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入超過5000億元。到2020年，成都電子信息產(chǎn)業(yè)總規(guī)模將力爭(zhēng)達(dá)到10000億元，成為首個(gè)上萬(wàn)億的工業(yè)產(chǎn)業(yè)，助推成都建成國(guó)家先進(jìn)電子制造基地和世界軟件名城，為成都建設(shè)國(guó)家中心城市提供有力支撐。 投資逾百億美元 成都迎來(lái)首條12英寸晶圓生產(chǎn)線 此次落戶成都高新區(qū)的12英寸晶圓生產(chǎn)基地，一期建設(shè)主流CMOS工藝12英寸晶圓生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2018年底投產(chǎn);二期建設(shè)格羅方德最新的22FDX® 22nm FD-SOI工藝12英寸晶圓生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2019年第四季度投產(chǎn)。 此外，成都市和格羅方德還將共同推動(dòng)實(shí)施“成都集成電路生態(tài)圈行動(dòng)計(jì)劃”，在多個(gè)領(lǐng)域開展深度合作，從而在整體上形成逾100億美元的投資規(guī)模。 今天，我們與合作伙伴攜手共進(jìn)邁出勇敢的一步，在此舉行奠基儀式。這里將會(huì)落成中國(guó)最大和最先進(jìn)的12英寸晶圓廠。” 格羅方德首席執(zhí)行官桑杰∙賈(Sanjay Jha)在開工儀式上表示，“得益于成熟的基礎(chǔ)設(shè)施，熟練的勞動(dòng)力，以及眾多領(lǐng)先技術(shù)公司的駐扎，成都市毫無(wú)疑問是這個(gè)倡議的優(yōu)秀合作伙伴。隨著規(guī)模最大的12英寸晶圓廠落戶中國(guó)，此次合資企業(yè)的成立將極大提高成都市作為國(guó)家半導(dǎo)體和IT產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的美譽(yù)，進(jìn)一步吸引更多科技企業(yè)投資落戶，最終使成都成為國(guó)際卓越的FD-SOI產(chǎn)業(yè)中心。” 成都高新區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，格羅方德成都項(xiàng)目的開工契合《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，填補(bǔ)了中國(guó)西南地區(qū)12英寸先進(jìn)工藝晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目的空白，將進(jìn)一步壯大成都電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模，有效提升成都集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)，助推成都市打造全球知名集成電路產(chǎn)業(yè)基地，推動(dòng)成都國(guó)家中心城市建設(shè)。 眾所周知，晶圓是最常用的半導(dǎo)體材料，按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸甚至更大規(guī)格。晶圓越大，同一圓片上可生產(chǎn)的IC芯片就越多，但對(duì)材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)的要求更高。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights 的最新報(bào)告，截至2015年底，12英寸晶圓占據(jù)全球晶圓產(chǎn)能的63.1%，預(yù)測(cè)到2020年該比例將增加至68%，因此，全球晶圓產(chǎn)能到2020年都將延續(xù)以12英寸晶圓“稱霸”的態(tài)勢(shì)。 成都制造基地項(xiàng)目將會(huì)投產(chǎn)格羅方德最先進(jìn)技術(shù)的其中之一。其22FDX® 22nm FD-SOI生產(chǎn)工藝具有功耗省、綜合成本低等優(yōu)勢(shì)，可廣泛應(yīng)用于各類移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、智能設(shè)備、汽車電子、5G無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域，在全球擁有巨大的市場(chǎng)需求。 隨著新合資公司的成立，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)亦將在中國(guó)市場(chǎng)公布其全新的中文名稱：“格芯”。首字為“格”，和公司現(xiàn)有中文名稱的第一個(gè)字相同，亦有“探究事物原理，而從中獲得智慧”的含義。次字是“芯”，表達(dá)“芯片”之意。兩個(gè)字合在一起發(fā)音與“革新”相同，寓意著重生、振興與改革。“格芯”不僅將極大改變晶圓代工行業(yè)的格局，更會(huì)為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)全新視角。 瞄準(zhǔn)萬(wàn)億級(jí)規(guī)模 電子信息產(chǎn)業(yè)助推成都建設(shè)國(guó)家中心城市 1947年，晶體管的發(fā)明促進(jìn)并帶來(lái)了“固態(tài)革命”，進(jìn)而推動(dòng)了全球范圍內(nèi)的半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)，甚至連美國(guó)“硅谷”也得名于它最早是研究和生產(chǎn)以硅為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體芯片的地方。到今天，半導(dǎo)體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于生活，包括智能穿戴設(shè)備、智能手機(jī)、電腦乃至?xí)r下非常熱門的VR或者智能家居都離不開半導(dǎo)體技術(shù)。除此外，它還廣泛存在于醫(yī)療、航空等尖端技術(shù)領(lǐng)域?？梢哉f(shuō)，半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)早已成為信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。 根據(jù)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，到2020年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)要與國(guó)際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%，企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力大幅增強(qiáng)。到2030年，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，一批企業(yè)進(jìn)入國(guó)際第一梯隊(duì)，實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展。 作為“工業(yè)強(qiáng)基”中的重中之重，成都的電子信息產(chǎn)業(yè)在集成電路、光電顯示、智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信、電子元器件、軟件及服務(wù)外包等領(lǐng)域形成了完整產(chǎn)業(yè)體系，上下游配套逐漸成熟，聚集戴爾、聯(lián)想、富士康、華為、西門子、中興等一批國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)，在全球產(chǎn)業(yè)格局中的影響力日益提升，成為中國(guó)“IT第四極”。 “成都電子信息產(chǎn)業(yè)的崛起，正在改變世界IT版圖的格局。”成都高新區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，英特爾、德州儀器、AMD、格羅方德、聯(lián)發(fā)科、展訊、紫光等眾多知名集成電路企業(yè)不斷向成都聚集。未來(lái)，成都高新區(qū)將著力打造世界級(jí)電子信息產(chǎn)業(yè)集群，在成都建設(shè)國(guó)家中心城市中發(fā)揮好主支撐作用。

半導(dǎo)體 成都 格羅方德 12英寸晶圓

格羅方德業(yè)務(wù)拓展以滿足全球客戶需求

格羅方德今日公布其全球制造業(yè)務(wù)版圖的擴(kuò)展計(jì)劃,以滿足客戶對(duì)其專有尖端技術(shù)的迫切增長(zhǎng)的需求。公司不僅在美國(guó)和德國(guó)繼續(xù)投資其現(xiàn)有的先進(jìn)晶圓制造廠，在中國(guó)成都設(shè)立全新工廠以積極發(fā)展中國(guó)市場(chǎng)，并在新加坡擴(kuò)充其成熟技術(shù)產(chǎn)品的產(chǎn)能。 格羅方徳首席執(zhí)行官Sanjay Jha表示：“為滿足全球客戶群的需求，我們將不斷在產(chǎn)能和技術(shù)上進(jìn)行投資。從應(yīng)用于無(wú)線互聯(lián)設(shè)備的世界頂級(jí) RF-SOI 平臺(tái)，到占據(jù)科技前沿的 FD-SOI 和FinFET工藝路線圖，這些均見證了市場(chǎng)對(duì)于我們主流工藝和先進(jìn)工藝技術(shù)的強(qiáng)勁需求。新投資將有助格羅方德擴(kuò)張現(xiàn)有的晶圓制造廠。通過此次在成都的合作計(jì)劃，我們將穩(wěn)固，并進(jìn)一步加速在中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展。” 在美國(guó)，格羅方徳計(jì)劃把在紐約Fab8晶圓廠的14納米FinFET工藝產(chǎn)能提升20%，并將于 2018 年初啟用一條全新的晶圓生產(chǎn)線。在過去八年期間，格羅方徳在美國(guó)的投入高達(dá)130億美元，并在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步開展本次擴(kuò)張計(jì)劃，在四個(gè)地區(qū)共創(chuàng)造逾9, 000個(gè)直接工作崗位，以及整個(gè)區(qū)域生態(tài)圈共15，000個(gè)職位。紐約工廠將繼續(xù)是格羅方徳在7納米工藝和極紫外(EUV)光刻等先進(jìn)技術(shù)開發(fā)的核心，并計(jì)劃在2018年第二季開始7納米工藝生產(chǎn)。 在德國(guó)，格羅方德計(jì)劃在德累斯頓 Fab 1 晶圓廠增加 22FDX® (22納米 FD-SOI) 工藝的生產(chǎn)，以滿足日新月異的物聯(lián)網(wǎng)，智能手機(jī)處理器，汽車電子和其他電池供電的無(wú)線連接應(yīng)用的發(fā)展需求。預(yù)計(jì)至2020年，工廠整體產(chǎn)能將提升40%。德累斯頓工廠始終是 FDX 技術(shù)研發(fā)的業(yè)界核心。目前，德累斯頓的工程師正在開展新一代 12FDXTM的技術(shù)研發(fā)，預(yù)計(jì)將于2018年終年建成投產(chǎn)。 在中國(guó)，格羅方德攜手成都市建立全新的合資晶圓制造廠。合作雙方計(jì)劃建設(shè)12英寸晶圓廠，不僅配合中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)趨勢(shì)，促進(jìn)全球客戶對(duì) 22FDX 先進(jìn)工藝的額外需求。工廠將于 2018 年第四季度首先投產(chǎn)成熟工藝產(chǎn)品，并計(jì)劃于 2019 年投產(chǎn)格羅方德22FDX的先進(jìn)工藝產(chǎn)品。 在新加坡，格羅方徳計(jì)劃將 12英寸晶圓廠的 40納米 工藝產(chǎn)能提升 35%，在 8英寸生產(chǎn)線的現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)大180納米工藝的產(chǎn)能。與此同時(shí)，格羅方德將會(huì)為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 RF-SOI 技術(shù)投入全新產(chǎn)能。 隨著新合資公司的成立，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)亦將在中國(guó)市場(chǎng)公布其全新的中文名稱：“格芯”。首字為“格”，和公司現(xiàn)有中文名稱的第一個(gè)字相同，亦有“探究事物原理，而從中獲得智慧”的含義。次字是“芯”，表達(dá)“芯片”之意。兩個(gè)字合在一起發(fā)音與“革新”相同，寓意著重生、振興與改革。“格芯”不僅將極大改變晶圓代工行業(yè)的格局，更會(huì)為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)全新視角。 新合資公司的全稱為：格芯(成都)集成電路制造有限公司。為慶祝這一重大合作，成都市委書記唐良智和格羅方德公司首席執(zhí)行官Sanjay Jha于今日在四川省成都市高新區(qū)舉行動(dòng)工儀式。四川省省級(jí)領(lǐng)導(dǎo)、成都市政府領(lǐng)導(dǎo)及格羅方德的主要客戶和合作伙伴均出席了該儀式。 高通科技QCT全球運(yùn)營(yíng)高級(jí)副總裁Roawen Chen “多年來(lái)，格羅方徳與高通科技在廣泛的工藝節(jié)點(diǎn)上有著緊密穩(wěn)固的晶圓代工關(guān)系。我們非常興奮地看到格羅方德在差異化技術(shù)上的全新投入以及全球產(chǎn)能的重大擴(kuò)張，這將為高通科技在新一輪的無(wú)綫技術(shù)創(chuàng)新中于應(yīng)用處理器、調(diào)制解調(diào)器和電源管理集成電路領(lǐng)域等帶來(lái)業(yè)務(wù)創(chuàng)新的支援。” 瑞芯微電子有限公司首席執(zhí)行官勵(lì)民 “協(xié)同的晶圓代工合作關(guān)系對(duì)我們的發(fā)展來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，可讓我們?cè)谝苿?dòng)片上系統(tǒng)的競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出。很高興看到格羅方徳將 22FDX 創(chuàng)新技術(shù)引入中國(guó)并投入必要的產(chǎn)能，為中國(guó)不斷增長(zhǎng)的 無(wú)晶圓半導(dǎo)體工業(yè)提供強(qiáng)而有力的支持。” 聯(lián)發(fā)科技執(zhí)行副總經(jīng)理暨聯(lián)席首席運(yùn)營(yíng)官陳冠州 “隨著我們的客戶要求更加優(yōu)異的移動(dòng)體驗(yàn)，我們對(duì)芯片制造合作伙伴的要求比以往任何時(shí)候都要高。我們很高興有格羅方徳這樣一個(gè)合作伙伴，格羅方徳的全球化生產(chǎn)能力有助于我們?cè)谌蚍秶鷥?nèi)為家庭聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線連接和物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)提供強(qiáng)大而高效的移動(dòng)技術(shù)支持。”

半導(dǎo)體 格羅方德 晶圓制造廠

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出第四代600V E系列功率MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) (FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積)，該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。 “我們承諾為客戶提供支持所有功率轉(zhuǎn)換過程的各種MOSFET技術(shù)，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種最新的電子系統(tǒng)”，Vishay市場(chǎng)發(fā)展部高級(jí)總監(jiān)David Grey說(shuō)到，“有了SiHP065N60E和即將發(fā)布的第四代600V E系列產(chǎn)品，我們就可以在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)架構(gòu)的初期就實(shí)現(xiàn)提高效率和功率密度的目標(biāo)，包括功率因數(shù)校正和隨后的高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。” SiHP065N60E采用Vishay最新的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)制造，在10V下的最大導(dǎo)通電阻為0.065Ω，柵極電荷低至49nC。器件的FOM為2.8Ω*nC，比同類最接近的MOSFET低25%。SiHP065N60E的有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別只有93pf和593pF，可改善開關(guān)性能。在通信、工業(yè)和企業(yè)電源系統(tǒng)的功率因數(shù)校正和硬開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?，這些性能參數(shù)意味著更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。 今天發(fā)布的器件采用TO-220AB封裝，符合RoHS，無(wú)鹵素，可承受雪崩模式中的過壓瞬變，而且保證限值通過了100% UIS測(cè)試。 SiHP065N60E現(xiàn)可提供樣品，在2017年1月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為十周。

半導(dǎo)體 通信 導(dǎo)通電阻

Intel 14nm等于三星10nm：領(lǐng)先整整三年！

很遺憾，Intel剛剛宣布的8代酷睿處理器依然是14nm工藝，雖然Intel號(hào)稱有著15%的性能提升。 那么我們不禁要問，Intel的10nm怎么了?     先就本次投資會(huì)議，Intel表示，數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾證實(shí)，搭載10nm芯片筆記本產(chǎn)品會(huì)在今年底出貨。 這其實(shí)不難理解。由于8代酷睿還是下半年上市，局面很可能是對(duì)i7/i5/i3進(jìn)行換代，對(duì)用戶選購(gòu)U/Y系列的10nm筆記本芯片以及大客戶的Xeon不造成沖擊。 同時(shí)，Intel再次對(duì)手的10nm做“看扁”，毫不掩飾對(duì)自家14nm優(yōu)秀的自豪。     根據(jù)Intel的PPT，就邏輯單元這一核心指標(biāo)來(lái)看，它們2014年研發(fā)出來(lái)的第一代14nm FinFET(即Broadwell所用)和去年三星/臺(tái)積電的10nm看齊，也就是Intel 14nm=三星10nm,Intel領(lǐng)先了整整三年。     按照IEEE Spectrum上Intel高級(jí)院士Mark Bohr的說(shuō)法，Intel 10nm的柵極間距是54nm，也是同時(shí)代10nm最強(qiáng)。 傳言，Intel 10nm Cannon Lake的性能提升在50%以上。   綜上，Intel的10nm今年底會(huì)有成片登陸市場(chǎng)，在工藝指標(biāo)上其實(shí)就相當(dāng)于對(duì)手的7nm了。

半導(dǎo)體 三星 英特爾 14nm 10nm

曾經(jīng)那個(gè)振興美國(guó)半導(dǎo)體的組織，到底什么來(lái)頭？

近日，白宮發(fā)布了一篇長(zhǎng)達(dá)32頁(yè)的《給總統(tǒng)的報(bào)告：維持美國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍地位》。報(bào)告稱中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已對(duì)美國(guó)芯片制造商及美國(guó)國(guó)家安全造成了嚴(yán)重威脅，建議美國(guó)應(yīng)對(duì)中國(guó)芯片行業(yè)采取更加嚴(yán)苛的審查制度。很多人將這份報(bào)告與80年代美國(guó)的“SEMATECH”作比較，認(rèn)為這篇報(bào)告的發(fā)布與當(dāng)年的SEMATECH有很大的相似性。SEMATECH到底是一個(gè)什么樣的組織?我們有必要回顧一下歷史，看看這個(gè)SEMATECH當(dāng)年是怎樣振興美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的。有關(guān)這個(gè)組織的研究文獻(xiàn)較少，筆者找到一篇早年由《清華大學(xué)科學(xué)技術(shù)研究所與社會(huì)研究所》和文凱、曾曉萱合著的論文(《科研管理》第16卷第3期，1995.5)，該文對(duì)SEMATECH的成立背景和歷史作用給出了較為詳細(xì)的介紹，今天讀來(lái)仍不失具有啟迪意義。 SEMATECH組織概況 SEMATECH全稱是“半導(dǎo)體制造技術(shù)科研聯(lián)合體”(Semiconductor Manufacturing Technology Research Consortium)，可以說(shuō)是一個(gè)半導(dǎo)體制造工藝研究的合作聯(lián)盟，該組織設(shè)在德克薩斯州的奧斯汀(Austin)，其經(jīng)費(fèi)一半由成員公司提供，另一半由聯(lián)邦政府提供，研究成果各成員公司和美國(guó)政府共享。它由13家美國(guó)公司組成(成立時(shí)是11家)，目的是通過集中研發(fā)，減少重復(fù)浪費(fèi)，而達(dá)到研發(fā)成果共享。自1987年啟動(dòng)，運(yùn)行到1995年時(shí)，SEMATECH幫助美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)重新奪回了世界第一的地位。值得回味的是，隨著聯(lián)盟順利發(fā)展，美國(guó)政府于1996年退出了該組織。 SEMATECH成立的背景 上世紀(jì)70年代后期開始，由于日本公司在半導(dǎo)體市場(chǎng)所占份額不斷增加，開始逐漸威脅到美國(guó)在全球的半導(dǎo)體市場(chǎng)地位。1980年美國(guó)公司在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)所占份額為61%，日本公司僅占26%。半導(dǎo)體銷售額最高的三家公司分別是美國(guó)的德儀(TI)，摩托羅拉(Motorola)和國(guó)家半導(dǎo)體(National Semiconductor)公司， 在排名前10的公司中美國(guó)占了5家，而日本是0家。但到了1986年，日本公司所占份額上升到了44%，美國(guó)公司份額下降到40%，日本首次超過美國(guó)。與此同時(shí)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)先的前三位公司分別是日本的NEC，日立和東芝公司，在排名前10的公司中日本占了6家，而美國(guó)僅有3家。 再看半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，1979年美國(guó)公司所占份額為76%，日本公司僅占16%。前10名的公司中，有9家為美國(guó)公司，日本公司一家沒有，但到了1990年，日本公司所占的份額上升到了48%，而美國(guó)公司下降到了45%，前10名的公司中，有5家為日本公司，美國(guó)公司僅有2家。其中，前2名的公司分別為日本的東京電子(Tokyo Electron)和尼康(Nikon)公司。 從技術(shù)角度看，日本在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)，雙極電路，通用邏輯電路，存儲(chǔ)元件，光電子，砷化鎵以及硅材料等技術(shù)上都開始領(lǐng)先美國(guó)。在非揮發(fā)性可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)技術(shù)上與美國(guó)持平，美國(guó)僅在微處理器，專用邏輯電路以及線性電路上保持領(lǐng)先地位。由于在通用集成電路的大規(guī)模制造技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)不過日本，美國(guó)的許多半導(dǎo)體公司(尤其是中小公司)紛紛調(diào)整策略，轉(zhuǎn)向高附加值的專用集成電路(ASIC)領(lǐng)域，因?yàn)閷Ｓ眉呻娐犯蕾囓浖夹g(shù)、CAD計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，這些正是美國(guó)公司的強(qiáng)項(xiàng)。 美國(guó)政府意識(shí)到，如果不發(fā)展通用集成電路的大規(guī)模制造技術(shù)將意味著更多技術(shù)優(yōu)勢(shì)的喪失，無(wú)論從商業(yè)角度還是國(guó)家安全角度，美國(guó)都不會(huì)將大規(guī)模集成電路制造技術(shù)拱手讓人。為了提高美國(guó)在大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)上的競(jìng)爭(zhēng)力，奪回美國(guó)在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造工藝上的優(yōu)勢(shì)，美國(guó)政府仿效日本組織大規(guī)模集成電路技術(shù)合作研究的經(jīng)驗(yàn)，由美國(guó)國(guó)防科學(xué)委員會(huì)和美國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(SIA)共同牽頭成立了美國(guó)“半導(dǎo)體制造技術(shù)研究聯(lián)合體”(簡(jiǎn)稱SEMATECH)。SEMATECH是美國(guó)半導(dǎo)體制造公司與政府合作的產(chǎn)物，它出現(xiàn)在一向強(qiáng)調(diào)政府不干預(yù)企業(yè)的美國(guó)，具有特殊的意義。 SEMATECH的組織結(jié)構(gòu)與運(yùn)作模式 SEMATECH首任董事長(zhǎng)由Intel公司的創(chuàng)始人R. Noyce擔(dān)任。1988年4月，SEMATECH遷入德州首府奧斯汀(Austin)，同年11月建成了具有世界水平的超凈工作室，1989年3月生產(chǎn)出了第一批硅集成電路。從1989年開始，SEMATECH開始同半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商展開合作開發(fā)半導(dǎo)體工藝制造設(shè)備。發(fā)展至今，SEMATECH已成為13家美國(guó)半導(dǎo)體私營(yíng)公司與國(guó)防部共同設(shè)立的研究聯(lián)合體。 SEMATECH由一個(gè)中心管理機(jī)構(gòu)來(lái)管理，研究人員來(lái)自各成員公司，管理人員全部來(lái)自企業(yè)界。來(lái)自企業(yè)界的管理人員對(duì)企業(yè)的現(xiàn)狀和問題了如指掌，可針對(duì)半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵問題制定出切實(shí)可行的方案。SEMATECH每年2億美元的研究經(jīng)費(fèi)由成立時(shí)的11家公司和美國(guó)防部平攤。 這里值得一提的是，美國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)為加強(qiáng)半導(dǎo)體研發(fā)和美國(guó)大學(xué)半導(dǎo)體的課程教學(xué)，在1982年成立了半導(dǎo)體研發(fā)公司(簡(jiǎn)稱SRC)，SRC每年投資3000萬(wàn)美元資助美國(guó)大學(xué)中有關(guān)半導(dǎo)體的研究項(xiàng)目。SEMATECH與SRC之間的關(guān)系非常密切，SRC 1/3的研究經(jīng)費(fèi)由SEMATECH提供。SEMATECH本身的重點(diǎn)則放在研究開發(fā)上。 SEMATECH與設(shè)備制造商的合作方式 SEMATECH與半導(dǎo)體設(shè)備制造商有四種互動(dòng)(合作)方式：委托開發(fā)新設(shè)備;改進(jìn)現(xiàn)有設(shè)備;制定技術(shù)發(fā)展路線;加強(qiáng)信息交流。 SEMATECH成立的核心目標(biāo)在于加強(qiáng)半導(dǎo)體制造公司與半導(dǎo)體設(shè)備公司之間的聯(lián)系，其中包括工藝材料的開發(fā)，制造設(shè)備的開發(fā)，以及如何將它們集成到半導(dǎo)體制造工藝中，并將研究成果及時(shí)向生產(chǎn)制造商輻射。SEMATECH的四種方式中最重要的是半導(dǎo)體制造設(shè)備的開發(fā)。該項(xiàng)工作占到SEMATECH總預(yù)算的60%。設(shè)備的開發(fā)工作由設(shè)備公司承擔(dān)，并得到SEMATECH的資金支持，因而減少了重復(fù)研究和重復(fù)投資，也大大減少了設(shè)備開發(fā)成本。它糾正了美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)過去“各自為政”的傾向，有利于加速美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)速度和半導(dǎo)體制造公司采用新型設(shè)備的進(jìn)程。 SEMATECH與設(shè)備制造商的合作方式 SEMATECH與半導(dǎo)體設(shè)備制造商有四種互動(dòng)(合作)方式：委托開發(fā)新設(shè)備;改進(jìn)現(xiàn)有設(shè)備;制定技術(shù)發(fā)展路線;加強(qiáng)信息交流。 SEMATECH成立的核心目標(biāo)在于加強(qiáng)半導(dǎo)體制造公司與半導(dǎo)體設(shè)備公司之間的聯(lián)系，其中包括工藝材料的開發(fā)，制造設(shè)備的開發(fā)，以及如何將它們集成到半導(dǎo)體制造工藝中，并將研究成果及時(shí)向生產(chǎn)制造商輻射。SEMATECH的四種方式中最重要的是半導(dǎo)體制造設(shè)備的開發(fā)。該項(xiàng)工作占到SEMATECH總預(yù)算的60%。設(shè)備的開發(fā)工作由設(shè)備公司承擔(dān)，并得到SEMATECH的資金支持，因而減少了重復(fù)研究和重復(fù)投資，也大大減少了設(shè)備開發(fā)成本。它糾正了美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)過去“各自為政”的傾向，有利于加速美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)速度和半導(dǎo)體制造公司采用新型設(shè)備的進(jìn)程。 知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù) SEMATECH的成員公司不用擔(dān)心泄露自己的技術(shù)秘密，因?yàn)楦鞒蓡T公司需要對(duì)合作研究的成果做進(jìn)一步開發(fā)后才能真正將研究成果應(yīng)用到自己的公司，這樣就減少了在應(yīng)用研究成果時(shí)可能產(chǎn)生的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)問題。 在知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)方面，SEMATECH原來(lái)規(guī)定研究成果只有在成員公司獨(dú)占2年之后才可以向其他非成員公司轉(zhuǎn)讓，現(xiàn)在則在付出一定的轉(zhuǎn)讓費(fèi)或?qū)＠褂觅M(fèi)后可向所有美國(guó)公司開放。SEMATECH從不參與某一具體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與制造，也不為某一具體產(chǎn)品去做專門的工藝研究，而是由各個(gè)公司去承擔(dān)這些研究，讓他們?nèi)テ降雀?jìng)爭(zhēng)，所以SEMATECH本身是一個(gè)非盈利組織。 SEMATECH取得的成績(jī) 1、半導(dǎo)體制造商收益。SEMATECH的聯(lián)合開發(fā)研究成果使得所有成員公司在購(gòu)買、使用和維護(hù)制造設(shè)備上的成本大為降低。由于制造設(shè)備的不斷改進(jìn)，成品率不斷提高，大大縮短了與日本公司的差距。美國(guó)公司使用美國(guó)制造的半導(dǎo)體設(shè)備，在1995年已經(jīng)可以制造0.35微米線寬的電路，從而在技術(shù)上趕上了日本。 2、對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備制造行業(yè)的影響。美國(guó)半導(dǎo)體制造商與設(shè)備制造商聯(lián)手解決設(shè)備的質(zhì)量問題，以克服設(shè)備缺陷帶來(lái)的工藝問題。設(shè)備制造商在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)設(shè)備時(shí)也越來(lái)越多地考慮客戶的需求了，使設(shè)備的可靠性大為提高。這些變化使得美國(guó)從1991年開始，又從日本手里奪回了半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)世界第一的稱號(hào)。1992年，美國(guó)的應(yīng)用材料公司(Applied Materials)成為全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)上的龍頭老大。 3、全面質(zhì)量管理。SEMATECH跨行業(yè)的“合作全面質(zhì)量管理”計(jì)劃，為半導(dǎo)體制造商和設(shè)備供應(yīng)商之間的質(zhì)量管理合作創(chuàng)造了條件。他們各自發(fā)揮專長(zhǎng)，合作研究提高了工藝過程的規(guī)范性，同時(shí)設(shè)備供應(yīng)商也能不斷對(duì)設(shè)備進(jìn)行改進(jìn)，相互促進(jìn)提高了對(duì)方的質(zhì)量水平。 4、密切合作的紐帶關(guān)系。SEMATECH加強(qiáng)了半導(dǎo)體制造商之間的合作關(guān)系，他們有機(jī)會(huì)可以在一起交流信息、討論有關(guān)設(shè)備、材料等方面共同感興趣的問題。成員公司不需要自己去解決全部問題，而可以共享合作研究的成果。在SEMATECH成立5年后，美國(guó)在世界半導(dǎo)體市場(chǎng)的份額自1985年以來(lái)首次超過日本，Intel公司也成為世界頭號(hào)半導(dǎo)體公司。 SEMATECH對(duì)我們的啟示 SEMATECH不可能解決美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)所面臨的所有問題，它的重點(diǎn)是致力于搭建工藝制造商和設(shè)備供應(yīng)商的橋梁。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷提高，制造工藝日趨復(fù)雜，SEMATECH需要拓寬其研究領(lǐng)域，例如集成制造技術(shù)、模擬集成電路的精益生產(chǎn)等。一旦SEMATECH的研究超越了制造技術(shù)而深入到半導(dǎo)體技術(shù)的最前沿，各成員公司關(guān)于技術(shù)路線的分歧就會(huì)越來(lái)越大，這也是SEMATECH所面臨的挑戰(zhàn)。綜上所述，SEMATECH對(duì)我們的啟示有： 1、集中目標(biāo)解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的關(guān)鍵技術(shù)問題。SEMATECH將重點(diǎn)放在制造技術(shù)和工藝研究上，圍繞此重點(diǎn)再開展合作聯(lián)合研究，可以吸引企業(yè)界的參與又能使各個(gè)成員公司很快地達(dá)成共識(shí)。 2、始終企業(yè)唱主調(diào)。政府雖從資金面、政策面給與一定支持，并起到一些組織協(xié)調(diào)作用，但研究聯(lián)合體的管理完全由來(lái)自企業(yè)的技術(shù)專家和管理人員負(fù)責(zé)。這樣做的好處是將研究聯(lián)合體一直置身于市場(chǎng)壓力之下，研究成果與市場(chǎng)不脫節(jié)。 3、集中研究減少重復(fù)投資的浪費(fèi)。研究?jī)?nèi)容集中在各個(gè)成員公司共同面臨的技術(shù)問題上，而如何應(yīng)用這些技術(shù)去開發(fā)具體的產(chǎn)品則是各個(gè)成員公司自己的事情。通過合作研究，各個(gè)公司可以取長(zhǎng)補(bǔ)短。也避免了重復(fù)研究和重復(fù)投資的浪費(fèi)。 4、研究聯(lián)合體可以加強(qiáng)各個(gè)相關(guān)行業(yè)之間的相互了解和彼此協(xié)作。通過制造公司和設(shè)備公司的密切合作，提高了這兩個(gè)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)水平。這種將政府干預(yù)與市場(chǎng)機(jī)制相結(jié)合的合作研究方式，對(duì)于我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展有著重要的參考意義。

半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 芯片

臺(tái)積電又要領(lǐng)跑7nm工藝，英特爾連三星都干不過？

Intel宣布投資70億美元升級(jí)Fab 42工廠，3-4年后準(zhǔn)備生產(chǎn)7nm工藝，拉開了下下代半導(dǎo)體工藝競(jìng)爭(zhēng)的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC會(huì)議上公布了自家的7nm工藝進(jìn)展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工藝的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工藝的34%，而且良率很好，而三星展示的7nm SRAM芯片只有8Mb，更多的是研究性質(zhì)，他們要等EUV光刻工藝成熟。 在ISSCC國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，各大半導(dǎo)體公司都公布了自家半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)展，AMD昨天提到的Ryzen處理器的核心面積就是在ISSCC會(huì)議上公布的，EEtimes現(xiàn)在又報(bào)道了TSMC和三星的7nm工藝進(jìn)展情況。 TSMC的7nm 256MB SRAM芯片 TSMC雖然在16nm FinFET上吃過虧，不過他們?cè)?0nm、7nm工藝上野心勃勃，今年上半年將使用10nm工藝為蘋果量產(chǎn)A11處理器，這次公布的7nm工藝進(jìn)展看起來(lái)也很順利。TSMC公開了7nm工藝制造的256Mb SRAM芯片，位單元面積只有0.027um2，7層金屬層工藝，整個(gè)核心面積也只有42mm2。根據(jù)TSMC存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門的高管Jonathan Chang所說(shuō)，TSMC的7nm工藝核心面積只有16nm工藝的0.34倍。 只有良率問題，TSMC在論文中表示7nm工藝良率很“健康”(healthy)，聽上去很有信心。 三星展示的8Mb SRAM芯片 與此同時(shí)，三星也公開了7nm工藝的部分信息，不過他們介紹的SRAM芯片容量只有8Mb，更像是研究而非開發(fā)性質(zhì)。三星同時(shí)針對(duì)現(xiàn)有設(shè)備及EUV工藝開發(fā)了兩種修復(fù)工藝，顯然EUV工藝的會(huì)更好，不過修復(fù)處理并不是半導(dǎo)體制造的必須過程，三星只是驗(yàn)證EUV工藝可以做到什么。 根據(jù)三星去年公布的消息，他們?cè)?nm工藝上是想等到EUV工藝成熟，業(yè)界分析認(rèn)為EUV工藝在2020年才會(huì)達(dá)到量產(chǎn)水平。

半導(dǎo)體 英特爾 7nm 臺(tái)積電

NVIDIA發(fā)布2017財(cái)年第四季度及全年財(cái)務(wù)報(bào)告

 美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉 -- 2017年2月9日 -- NVIDIA公司 (納斯達(dá)克代碼：NVDA) 今日宣布，截至2017年1月29日的第四季度收入創(chuàng)下21.7億美元的紀(jì)錄，較去年同期的14億美元增長(zhǎng)55%，較上一季度的20億美元增長(zhǎng)8%。 季度GAAP攤薄每股收益為0.99美元，較去年同期的0.35美元增長(zhǎng)183%，較上一季度的0.83美元增長(zhǎng)19%。季度非GAAP攤薄每股收益為1.13美元，較去年同期的0.52美元增長(zhǎng)117%，較上一季度的0.94美元增長(zhǎng)20%。 公司2017財(cái)年全年?duì)I收創(chuàng)下69.1億美元的紀(jì)錄，較上一財(cái)年的50.1億美元增長(zhǎng)38%。全年GAAP 攤薄每股收益為2.57美元，較上一財(cái)年的1.08美元增長(zhǎng)138%。全年非GAAP攤薄每股收益為3.06美元，較上一財(cái)年的1.67美元增長(zhǎng)83%。 NVIDIA創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛 (Jen-Hsun Huang) 表示：“我們?cè)趧?chuàng)紀(jì)錄的一年里取得了很好的成績(jī)，所有業(yè)務(wù)持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。我們的GPU計(jì)算平臺(tái)在人工智能、云計(jì)算、游戲和自動(dòng)駕駛汽車等領(lǐng)域中得到快速采用。” “基于NVIDIA GPU的深度學(xué)習(xí)是一種突破性的AI方法，正在助力解決自動(dòng)駕駛汽車、早期癌癥檢測(cè)和天氣預(yù)報(bào)等領(lǐng)域面臨的挑戰(zhàn)。我們?nèi)缃窨梢钥吹?，基于GPU的深度學(xué)習(xí)將徹底改變各大主流行業(yè)，從消費(fèi)級(jí)互聯(lián)網(wǎng)、交通、到醫(yī)療保健和制造業(yè)。我們肩負(fù)著人工智能時(shí)代的使命。”他表示。 資本回報(bào) 2017財(cái)年期間，NVIDIA以股票回購(gòu)方式回報(bào)了7.39億美元，以現(xiàn)金紅利方式回報(bào)了2.61億美元。因此，公司于2017財(cái)年總計(jì)向股東回報(bào)10億美元。 2018財(cái)年，NVIDIA計(jì)劃通過進(jìn)行中的現(xiàn)金紅利和股票回購(gòu)活動(dòng)來(lái)向股東回報(bào)約12.5億美元。 NVIDIA將于2017年3月17日向2017年2月24日在冊(cè)的所有股東支付每股0.14美元的下一季度現(xiàn)金紅利。 2017財(cái)年第4季度概要 NVIDIA對(duì)2018財(cái)年第一季度的展望如下： Ÿ 收入預(yù)計(jì)將達(dá)到19.0億美元，上下浮動(dòng)2%。 Ÿ GAAP和非GAAP毛利率預(yù)計(jì)分別為59.5%和59.7%，上下浮動(dòng)50個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)。 Ÿ GAAP運(yùn)營(yíng)費(fèi)用預(yù)計(jì)約為6.03億美元。非GAAP運(yùn)營(yíng)費(fèi)用預(yù)計(jì)約為5.20億美元。 Ÿ GAAP其他收入和費(fèi)用凈額預(yù)計(jì)約為2000萬(wàn)美元，包括可轉(zhuǎn)換票據(jù)早期轉(zhuǎn)換的額外費(fèi)用。非 GAAP其他收入和費(fèi)用凈額預(yù)計(jì)為約400萬(wàn)美元。 Ÿ 2018財(cái)年第一季度的GAAP和非GAAP稅率預(yù)計(jì)均為17%，上下浮動(dòng)1%，不包括任何離散項(xiàng)。 Ÿ GAAP和非GAAP攤薄每股收益EPS計(jì)算中采用的加權(quán)平均值是依靠本季度股票加權(quán)平均值計(jì)算得出。 Ÿ 資本支出預(yù)計(jì)約為5000萬(wàn)美元到6000萬(wàn)美元。 2017 財(cái)年第四季度亮點(diǎn) 在第四季度中，NVIDIA在以下四個(gè)主要平臺(tái)上均取得了進(jìn)展。 游戲業(yè)： · 發(fā)布GeForce ® GTX 1050/1050 Ti 系列移動(dòng)顯卡，并有超過30款采用了這兩款產(chǎn)品的游戲本已于2017年美國(guó)國(guó)際消費(fèi)電子展上亮相。 · 發(fā)布全新SHIELDTM TV，其內(nèi)置Google Assistant 、SmartThings Hub技術(shù)以及NVIDIA SPOT 人工智能麥克風(fēng)。 · 發(fā)布GeForceTM Now服務(wù)，利用云端按需將基于NVIDIA PascalTM架構(gòu)游戲PC的卓越體驗(yàn)傳遞給所有游戲玩家。 專業(yè)可視化： · 發(fā)布全新系列專業(yè)顯卡，包括Quadro® GP100，為普通工作站賦予超級(jí)計(jì)算能力 · 推出Quadro P5000，助力戴爾和微星打造虛擬現(xiàn)實(shí)移動(dòng)工作站 數(shù)據(jù)中心： · 與微軟合作，基于NVIDIA DGX-1™超級(jí)計(jì)算機(jī)和微軟Azure 云端的微軟認(rèn)知工具包(Microsoft Cognitive Toolkit)加速AI · 與美國(guó)能源部和國(guó)家癌癥研究所合作構(gòu)建一個(gè)名為CANDLE(英文“癌癥分布式學(xué)習(xí)環(huán)境”的縮寫)的AI框架，以推進(jìn)癌癥研究 · 發(fā)布NVIDIA DGX SATURNV人工智能超級(jí)計(jì)算機(jī)，由124 臺(tái)基于Pascal™架構(gòu)的 DGX-1服務(wù)器節(jié)點(diǎn)提供技術(shù)支持，是全球最高效超級(jí)計(jì)算機(jī) 汽車： · 與奧迪合作打造人工智能汽車，預(yù)計(jì)2020年上路行駛 · 與梅賽德斯奔馳合作，將采用英偉達(dá)人工智能技術(shù)的汽車推向市場(chǎng)。 · 與全球最大的汽車供應(yīng)商博世合作，開發(fā)面向量產(chǎn)汽車的人工智能自動(dòng)駕駛系統(tǒng)。 · 與德國(guó)的采埃孚合作，開發(fā)基于NVIDIA DRIVE™ PX 2人工智能汽車計(jì)算平臺(tái)、可應(yīng)用于汽車、卡車和其他商用車輛的自動(dòng)駕駛系統(tǒng) · 與歐洲的HERE合作，開發(fā)HERE高清實(shí)時(shí)地圖(HERE HD Live Map)，為自動(dòng)駕駛汽車打造實(shí)時(shí)高清地圖解決方案。 · 與日本的ZENRIN合作，為自動(dòng)駕駛汽車開發(fā)云端到車的高清地圖解決方案。 首席財(cái)務(wù)官的評(píng)論 NVIDIA 執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官 Colette Kress 對(duì)本季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)發(fā)表了評(píng)論，敬請(qǐng)?jiān)L問 http://investor.nvidia.com/ 網(wǎng)站查看評(píng)論內(nèi)容。 電話會(huì)議和網(wǎng)絡(luò)廣播信息 NVIDIA 將于太平洋時(shí)間今日下午2:00 (東部時(shí)間下午 5:00)與分析師和投資者召開電話會(huì)議，討論公司第四季度和2017財(cái)年的財(cái)務(wù)報(bào)告以及當(dāng)前財(cái)務(wù)前景。欲收聽本次電話會(huì)議，敬請(qǐng)撥打電話 (877) 232-3864(美國(guó))或574) 990-1377(國(guó)際)，電話會(huì)議密碼：52907909。本次電話會(huì)議將在NVIDIA投資者關(guān)系網(wǎng)站上進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)直播 (純收聽模式)，網(wǎng)址為 http://investor.nvidia.com 和 www.streetevents.com。網(wǎng)絡(luò)廣播將進(jìn)行錄制，在公司召開討論2018財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告的電話會(huì)議之前可隨時(shí)重播。 非 GAAP 衡量指標(biāo) 為補(bǔ)充按公認(rèn)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則(GAAP)計(jì)算的NVIDIA簡(jiǎn)明綜合損益表以及簡(jiǎn)明綜合資產(chǎn)負(fù)債表，NVIDIA 在財(cái)務(wù)報(bào)告的特定組成部分中使用了非GAAP衡量指標(biāo)。這些非GAAP衡量指標(biāo)包括非GAAP毛利潤(rùn)、非GAAP毛利率、非GAAP營(yíng)業(yè)費(fèi)用、非GAAP營(yíng)業(yè)收入、非GAAP其它收入(費(fèi)用)凈值、非GAAP所得稅費(fèi)用、非GAAP凈收入、非GAAP攤薄每股凈收入或收益、非GAAP攤薄股數(shù)、重組和其它支出對(duì)攤薄每股的影響以及自由現(xiàn)金流。為使我們的投資者能夠更好地對(duì)比當(dāng)前業(yè)績(jī)與以往業(yè)績(jī)，我們給出了從GAAP到非GAA 財(cái)務(wù)衡量指標(biāo)的調(diào)節(jié)表。這些調(diào)節(jié)表調(diào)整了相關(guān)的GAAP財(cái)務(wù)衡量指標(biāo)，扣除了股票補(bǔ)償費(fèi)、產(chǎn)品保修支出、收購(gòu)案相關(guān)成本、重組和其它支出、非關(guān)聯(lián)投資的收益和虧損、債務(wù)折扣攤銷相關(guān)的利息支出以及這些項(xiàng)目適用的相關(guān)稅款。非GAAP攤薄每股凈收益計(jì)算中所使用的加權(quán)平均股數(shù)包含該公司Note Hedge的反攤薄影響。重組和其它支出對(duì)攤薄每股的影響被計(jì)算為重組和其它支出 (所得稅凈值) 除以GAAP攤薄股數(shù)。自由現(xiàn)金流是按照GAAP計(jì)算的凈現(xiàn)金，這些凈現(xiàn)金歸功于在運(yùn)營(yíng)中減少購(gòu)置資產(chǎn)、設(shè)備以及無(wú)形資產(chǎn)。NVIDIA相信這些非GAAP財(cái)務(wù)衡量指標(biāo)會(huì)增進(jìn)用戶對(duì)我們以往財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)的全面理解。公司提交非GAAP財(cái)務(wù)衡量指標(biāo)的目的不是將其割裂開來(lái)或替代公司按公認(rèn)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則計(jì)算的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。而且NVIDIA的非GAAP財(cái)務(wù)衡量指標(biāo)可能與其它公司所使用的非GAAP財(cái)務(wù)衡量指標(biāo)有所不同。

半導(dǎo)體 NVIDIA

14nm工藝，又被英特爾擠出個(gè)8代酷睿處理器

14nm要宣告終結(jié)了嗎，一個(gè)不那么振奮的消息傳來(lái)!Intel在今天的投資會(huì)議上正式宣布了8代酷睿處理器，率先披露的是i7-8000系列，定于今年下半年亮相。Intel還公開了8代酷睿的性能，稱8代酷睿的性能將比Kaby Lake提升15%。據(jù)悉，數(shù)據(jù)基于SysMark跑分。不過，從PPT上看，8代酷睿依然采用的是14nm工藝，Intel稱之為“Advancing Moore’s Law on 14 nm”，而非10nm，因?yàn)檫@一點(diǎn)，外媒也產(chǎn)生了爭(zhēng)議。 一項(xiàng)權(quán)威的PCworld似乎犯了個(gè)錯(cuò)，它們說(shuō)8代酷睿是Cannon Lake，也就是10nm。 而AnandTech、WCCF、VC等則指出，8代酷睿確定基于14nm，并非Cannon Lake家族。除了PPT的信息，另一個(gè)證據(jù)是，Intel在CES表示10nm最先以移動(dòng)芯片的形式發(fā)布，而這次投資會(huì)議談到的是桌面高端i7。 筆者也傾向于后者，那就是說(shuō)，Intel再Tick-Tock改為P.A.0后，再來(lái)了一代Optimization(優(yōu)化)，14nm連用四代! 因?yàn)镮ntel直接透露的是i7，而10nm在年底又會(huì)登陸筆記本領(lǐng)域，所以現(xiàn)在猜測(cè)8代酷睿并不會(huì)形成U海的局面，而是以高端芯片做主力，比如傳言中的i7-7740K、i5-7640K，或者就是所謂的Coffee Lake。

半導(dǎo)體 14nm 酷睿處理器

2017年半導(dǎo)體發(fā)展有多猛？張忠謀等人是這么說(shuō)的

由于全球終端市場(chǎng)的嬗變和上游半導(dǎo)體市場(chǎng)的動(dòng)蕩，加上中國(guó)的攪局，2017年的半導(dǎo)體市場(chǎng)將會(huì)有多種不同的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，我們來(lái)看一下知名的分析機(jī)構(gòu)對(duì)半導(dǎo)體2017的看法： Gartner：未來(lái)三年全球半導(dǎo)體資本支出將保持連續(xù)增長(zhǎng) 全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司 Gartner 預(yù)測(cè)，2017 年全球半導(dǎo)體資本支出將增長(zhǎng) 2.9%，達(dá)到 699 億美元。從 2017 年到 2019 年保持連續(xù)增長(zhǎng)，2019 年全球半導(dǎo)體資本支出將達(dá) 783 億美元。而全球半導(dǎo)體資本支出在 2016 年的增幅為 5.1%。 Gartner高級(jí)研究分析師David Christensen表示：“2016年的強(qiáng)勁增長(zhǎng)是由2016年年底支出增長(zhǎng)所帶動(dòng)的，而支出增加則是由于NAND閃存短缺問題，該問題曾在2016年年底變得更加嚴(yán)重，并將在2017年大部分時(shí)間仍維持此種狀況。究其原因在于智能手機(jī)市場(chǎng)好于預(yù)期，從而推動(dòng)了我們最新預(yù)測(cè)中的NAND資本支出升級(jí)。2016年，NAND資本支出增加了31億美元，多個(gè)與晶圓廠設(shè)備相關(guān)的細(xì)分市場(chǎng)展現(xiàn)出高于我們此前預(yù)測(cè)的更強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2017年，熱處理、涂膠顯影以及離子注入等細(xì)分市場(chǎng)預(yù)計(jì)將分別增長(zhǎng)2.5%、5.6%、8.4%。” 相比2016年年初，由于更強(qiáng)勢(shì)的定價(jià)以及智能手機(jī)市場(chǎng)好于預(yù)期，尤其是存儲(chǔ)器的前景已有所好轉(zhuǎn)，存儲(chǔ)器的復(fù)蘇會(huì)早于預(yù)期，因此將帶動(dòng)2017年的增長(zhǎng)，并因關(guān)鍵應(yīng)用發(fā)生變化而稍有增強(qiáng)。 表一、全球半導(dǎo)體資本支出與設(shè)備支出預(yù)測(cè)，2015—2020年(單位：百萬(wàn)美元) 由于來(lái)自蘋果、高通、MediaTek與HiSilicon的移動(dòng)處理器已成為領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)晶圓的需求推動(dòng)力，因此代工廠將繼續(xù)領(lǐng)跑整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)。具體而言，快速的4G遷移與更強(qiáng)大的處理器使得晶圓尺寸大于上一代應(yīng)用處理器，需要代工廠提供更多28納米、16/14納米與10納米的晶圓。原有的制程工藝將繼續(xù)在高集成度顯示驅(qū)動(dòng)芯片與指紋ID芯片以及有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)顯示驅(qū)動(dòng)器集成電路(ICs)領(lǐng)域保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)。 2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可達(dá)3400億美元 據(jù)報(bào)道，2017年全球晶圓代工產(chǎn)能進(jìn)入擴(kuò)張期。除了臺(tái)積電與聯(lián)電分別于南京與廈門擴(kuò)建12寸晶圓產(chǎn)能外，大陸也積極針對(duì)邏輯IC與存儲(chǔ)器進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，帶動(dòng)晶圓制造設(shè)備及耗材需求。主要的晶圓制造設(shè)備集中于微影、蝕刻、擴(kuò)散、檢測(cè)，但全球主要供應(yīng)廠商都集中在歐美日，預(yù)估兩岸設(shè)備廠整體受惠程度有限，但部分耗材廠、精測(cè)研磨光阻液臺(tái)廠仍有機(jī)會(huì)。 2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值衰退至3，247億美元年減3%。展望2017年，新應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)成長(zhǎng)，據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)Garnter預(yù)估，2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將成長(zhǎng)至3，400億美元，年增4.7%。 最新報(bào)告認(rèn)為，全球80%晶圓產(chǎn)能集中在亞洲地區(qū)，又以臺(tái)灣及大陸分居前二名，分別占全球產(chǎn)能50.2%及13.9%，據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2016～2018年兩岸將擴(kuò)建十座晶圓廠，其中五座主要以6寸及8寸晶圓為主，其他五座則以12寸晶圓為主。據(jù)Gartner預(yù)估，大陸半導(dǎo)體設(shè)備需求產(chǎn)值將由2015年的37.1億美元成長(zhǎng)至2018年的78.9億美元，年增率高達(dá)20.7%。 未來(lái)二年兩岸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)積極擴(kuò)建新產(chǎn)能，微影、蝕刻、擴(kuò)散、薄膜等設(shè)備受惠程度較大。 IEK：2017年產(chǎn)值成長(zhǎng)上看4．2％ 貪玩工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)之前了發(fā)表IEK制造業(yè)趨勢(shì)預(yù)測(cè)模型(IEKCQM， Current Quarterly Model)預(yù)測(cè)結(jié)果，工研院IEK預(yù)測(cè)團(tuán)隊(duì)指出，展望2017年，隨著全球商品價(jià)格波動(dòng)趨緩，將有助于刺激世界貿(mào)易恢復(fù)正成長(zhǎng)，預(yù)估明年全球景氣將優(yōu)于今年。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面，當(dāng)前處于景氣回升階段，業(yè)者持續(xù)擴(kuò)充先進(jìn)制程投資、帶動(dòng)機(jī)械設(shè)備進(jìn)口回升等因素，2016下半年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣出現(xiàn)明顯回溫訊號(hào)，并略高于過去五年的平均水準(zhǔn)，預(yù)估2017年產(chǎn)值有望成長(zhǎng)3.5～4.2%。 展望2017年，IEK表示，「維持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，精益求精」是2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要趨勢(shì)，產(chǎn)值年增率預(yù)測(cè)為3.5～4.2%，產(chǎn)值突破2.5兆元，僅次于美國(guó)，超越韓日，回顧2016年，面對(duì)全球整體需求不足、各國(guó)貿(mào)易量持續(xù)萎縮情況下，受惠于我國(guó)半導(dǎo)體廠商優(yōu)異的先進(jìn)制程與產(chǎn)品良率，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)率先表態(tài)轉(zhuǎn)強(qiáng)，出口擴(kuò)張帶動(dòng)整體出口終結(jié)連17黑。 IEK表示，統(tǒng)計(jì)2016年前三季，臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)較去年同期成長(zhǎng)5.7%，其中IC設(shè)計(jì)成長(zhǎng)16.1%，IC制造成長(zhǎng)2.7%，IC封測(cè)成長(zhǎng)0.5%，根據(jù)工研院IEK編制的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣信號(hào)，臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)在2016年4月觸底后逐漸加溫，至8月份已亮出代表景氣穩(wěn)定的綠燈，且分?jǐn)?shù)趨近代表景氣轉(zhuǎn)趨熱絡(luò)的橘燈，此顯示當(dāng)前半導(dǎo)體業(yè)景氣已脫離谷底階段，并略高于過去五年的平均水準(zhǔn)，其中表現(xiàn)較佳的指標(biāo)為外銷中國(guó)大陸電子產(chǎn)品訂單、臺(tái)灣IC產(chǎn)品出口值與半導(dǎo)體主要廠商營(yíng)收水準(zhǔn)等項(xiàng)目。 展望未來(lái)5年，無(wú)所不在的運(yùn)算以及什么都連網(wǎng)的情境，能否引領(lǐng)半導(dǎo)體再創(chuàng)高峰值得期待。2020年有龐大想像空間，如智慧汽車(Smart Car)、智慧家庭(Smart Home)、智慧城市(Smart City)等。 工研院IEK建議半導(dǎo)體廠商往三大方向布局發(fā)展，即：超越摩爾定律的系統(tǒng)級(jí)異質(zhì)整合封裝技術(shù)、各種感測(cè)器技術(shù)、超低功耗半導(dǎo)體運(yùn)算與通訊技術(shù)。 預(yù)估2017年「維持領(lǐng)先，精益求精」再成長(zhǎng)7.0%優(yōu)于全球，產(chǎn)值全球第二，僅次于美國(guó)，超過韓國(guó)與日本。2020年上看3兆元新臺(tái)幣。 張忠謀：估2017年半導(dǎo)體將成長(zhǎng)4％ 臺(tái)積電月前召開法人說(shuō)明會(huì)，董事長(zhǎng)張忠謀親自出席主持，除公布去年臺(tái)積電營(yíng)收狀況，另也預(yù)估今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)。 張忠謀表示，今年智慧手機(jī)出貨將持續(xù)成長(zhǎng)約6%，其中，高階智慧手機(jī)將成長(zhǎng)約3%，中階智慧手機(jī)將成長(zhǎng)約5%，低階智慧手機(jī)將成長(zhǎng)約8%;至于個(gè)人電腦市場(chǎng)，張忠謀則預(yù)期今年出貨量將減少約5%，平板電腦出貨量也將減少7%，物聯(lián)網(wǎng)出貨量則可望成長(zhǎng)34%。 綜觀上述，張忠謀指出，今年全球半導(dǎo)體業(yè)將成長(zhǎng)約4%，晶圓代工業(yè)將成長(zhǎng)約7%，臺(tái)積電以美元計(jì)今年上半年業(yè)績(jī)較去年同期將成長(zhǎng)近10%，下半年業(yè)績(jī)則將較去年同期成長(zhǎng)約5%。 分析師：川普不搗亂，2017半導(dǎo)體成長(zhǎng)有望達(dá)5％ 美國(guó)華爾街(Wall Street)的一位資深分析師預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷今年的略為衰退之后，明年將恢復(fù)典型成長(zhǎng)水平;其他市場(chǎng)觀察家也認(rèn)為明年會(huì)更好，因?yàn)镻C與內(nèi)存的需求成長(zhǎng)，而能有今年相較持平或略微成長(zhǎng)的表現(xiàn)。 德意志銀行(Deutsche Bank)分析師Ross Seymore在一篇最新報(bào)告中預(yù)測(cè)，芯片市場(chǎng)繼今年衰退約1%之后，2017年可望有5%的成長(zhǎng);而數(shù)據(jù)中心將是明年成長(zhǎng)最快速的應(yīng)用領(lǐng)域，幅度可達(dá)10%，其次則為汽車應(yīng)用市場(chǎng)與通訊應(yīng)用市場(chǎng)，預(yù)期分別有9%與7%的成長(zhǎng)率。 至于PC仍會(huì)是2017年芯片產(chǎn)業(yè)的一大累贅，將出現(xiàn)2%的衰退;此外消費(fèi)性電子以及工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)預(yù)期有約4%的成長(zhǎng)，與整體芯片市場(chǎng)趨勢(shì)相符;Seymore也看好新興的無(wú)人機(jī)以及虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)應(yīng)用領(lǐng)域，而他表示產(chǎn)業(yè)主要的成長(zhǎng)動(dòng)力將在2017上半年出現(xiàn)。 世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)的最新預(yù)測(cè)就顯得較為保守，該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)2016年芯片市場(chǎng)銷售額可達(dá)到3，349.53億美元，較2015年衰退約0.006%;而芯片市場(chǎng)在2017與2018年可望分別取得3.3%與2.3%的成長(zhǎng)。 獨(dú)立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師Mike Cowen的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)則指出，芯片產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)在5月份達(dá)到谷底，衰退幅度達(dá)到6.2%，但在那之后逐漸緩慢回溫，估計(jì)2016年整體表現(xiàn)與去年相較略為衰退0.48%，但明年可望有4.66%的成長(zhǎng)。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師Mike Cowen根據(jù)WSTS的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)針對(duì)2016年芯片產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)所做的預(yù)測(cè) 早在今年1月份，各家產(chǎn)業(yè)分析師對(duì)芯片市場(chǎng)的成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)意見分歧，從-3%到4%都有;有些分析師基于今年初廠商們的慘淡財(cái)報(bào)數(shù)字，調(diào)降了對(duì)市場(chǎng)成長(zhǎng)率的預(yù)測(cè)，后來(lái)又因?yàn)樽郧锾炱痫@現(xiàn)的樂觀趨勢(shì)而再次調(diào)升預(yù)測(cè)數(shù)字。 德意志銀行的Seymore預(yù)測(cè)，在經(jīng)歷了過去數(shù)月幾樁改變市場(chǎng)局勢(shì)的大型收購(gòu)案、例如高通(Qualcomm)收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體(NXP)之后，芯片產(chǎn)業(yè)整并風(fēng)潮在明年上半年將暫時(shí)平息;而他也指出，產(chǎn)業(yè)整并讓半導(dǎo)體業(yè)股價(jià)在今年下半年達(dá)到十年來(lái)的最佳表現(xiàn)。 展望2017年，Seymore認(rèn)為美國(guó)準(zhǔn)總統(tǒng)川普(Trump)預(yù)期將調(diào)降企業(yè)稅的舉措，可能會(huì)對(duì)少數(shù)芯片制造商帶來(lái)重大影響;例如英特爾(Intel)、德州儀器(TI)以及將與ADI合并的凌力爾特(Linear)，可望因目前相對(duì)較高的稅率得以調(diào)降而取得最大利益。此外Linear/ADI與Nvidia可望因?yàn)槠淇捎^的境外現(xiàn)金結(jié)余(offshore cash balances)，而獲益于從海外回收的現(xiàn)金。

半導(dǎo)體 中國(guó)半導(dǎo)體 臺(tái)積電

困擾肖特基半導(dǎo)體50余年的難題 或?qū)⒈皇┢平?/a>

半導(dǎo)體 石墨烯 肖特基半導(dǎo)體

半導(dǎo)體五年內(nèi)進(jìn)入將2納米，臺(tái)灣欲靠基礎(chǔ)研究突破物理極限

臺(tái)灣科技部長(zhǎng)陳良基今天表示，美國(guó)特斯拉總裁伊隆・馬斯克(Elon Musk)已對(duì)外表示，2030年將送人類到火星，屆時(shí)每個(gè)人身邊都會(huì)有一個(gè)“比人聰明”的人工智能器材，2040年每個(gè)人身邊都會(huì)有一個(gè)機(jī)器人，這些科技創(chuàng)新都在美國(guó)矽谷，因此臺(tái)灣學(xué)界必須與硅谷連結(jié)，半導(dǎo)體作為產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力核心，未來(lái)幾年跨入3納米、2納米，將遭遇到物理極限，這些都必須靠學(xué)界基礎(chǔ)研究突破。 陳良基表示，他上任后將推動(dòng)三件工作，分別是支持學(xué)術(shù)研究、提振產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新與建置科技研究環(huán)境，他強(qiáng)調(diào)，負(fù)責(zé)科研獎(jiǎng)助的科技部并非冷門單位，他所提供的研究是與民眾未來(lái)切身相關(guān)的產(chǎn)品，例如目前手機(jī)上的虛擬實(shí)境與未來(lái)的人工智能技術(shù)。 “給自己的使命，以科技研究創(chuàng)造『臺(tái)灣價(jià)值』” “科技研究對(duì)臺(tái)灣很重要 我給自己的使命是，以科技研究創(chuàng)造『臺(tái)灣價(jià)值』”陳良基說(shuō)，之所以特別強(qiáng)調(diào)臺(tái)灣價(jià)值，是因?yàn)榕_(tái)灣在基因定序、半導(dǎo)體等研究領(lǐng)域，持續(xù)扮演重要角色，基礎(chǔ)研究對(duì)于臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常重要。 以臺(tái)積電為例，陳良基表示，臺(tái)積電10納米量產(chǎn)目前已進(jìn)入量產(chǎn)，2年后將進(jìn)入7納米，不到5年將進(jìn)入3納米、2納米，屆時(shí)將面臨物理極限，必須要通過基礎(chǔ)研究突破，半導(dǎo)體以外，其他業(yè)界也需要基礎(chǔ)研究支撐，因此臺(tái)灣科技部未來(lái)將結(jié)合學(xué)術(shù)界產(chǎn)業(yè)界，共同推動(dòng)產(chǎn)學(xué)聯(lián)盟，希望每年組成5-10個(gè)產(chǎn)學(xué)聯(lián)盟。 臺(tái)積電10納米量產(chǎn)目前已進(jìn)入量產(chǎn)，2年后將進(jìn)入7納米，不到5年將進(jìn)入3納米、2納米。 在深耕創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)方面，全球高科技龍頭谷歌每年維持成長(zhǎng)方式，是并購(gòu)20家創(chuàng)新公司，因此，臺(tái)灣科技部會(huì)結(jié)合5+2創(chuàng)新旗艦計(jì)劃，持續(xù)推動(dòng)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)，確保臺(tái)灣與全球科技產(chǎn)業(yè)的連結(jié)。 “全球未來(lái)的窗口在硅谷” 每年遴選博士到硅谷 陳良基強(qiáng)調(diào)，科技發(fā)展的愿景，必須有人才支撐，臺(tái)灣高教體系目前每年培養(yǎng)5000位博士，要與全世界競(jìng)爭(zhēng)，臺(tái)灣人才就要到最頂尖的場(chǎng)域，因此除了連結(jié)在地之外，還要連結(jié)國(guó)際與未來(lái)，“全球未來(lái)的窗口在硅谷”，臺(tái)灣科技部未來(lái)每年將遴選將優(yōu)秀博士到硅谷，通過硅谷“華山論劍”，讓臺(tái)灣優(yōu)秀人才與未來(lái)可能事業(yè)伙伴鏈結(jié)，引進(jìn)最新科技。

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