近日,有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”,威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經(jīng)常向韓系三星,海力士等廠商超額訂貨?!俄n國時(shí)報(bào)》還報(bào)道稱蘋果經(jīng)常采取等待閃存由于供過于求而出現(xiàn)價(jià)格下降時(shí),才采購少量
聯(lián)發(fā)科在與高通(Qualcomm)簽定3G專利協(xié)議后,此舉明顯受到國際品牌手機(jī)大廠青睞,目前除原有樂金電子(LG Electronics)訂單外,包括摩托羅拉(Motorola)透過臺系ODM廠出貨,三星電子(Samsung Electronics)亦有意舍外商
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司宣稱,這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可
12月2日消息,據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道,諾基亞已在美國加州法院,控告三星電子、樂金電子、友達(dá)光電等液晶顯示器面板生產(chǎn)商操縱價(jià)格,要求賠償損害。諾基亞11月25日在北加州聯(lián)邦地方法院提出告訴,AT&T公司上月也在同一法
DIGITIMES Research指出,參照韓國未來技術(shù)研究中心(Emerging Technology Research Center;ETRC)與韓國專利公司ED Research于LED領(lǐng)域所得出的綠色能源技術(shù)指數(shù)(Green Energy Technology Index;GETI*)評比,盡管日美
根據(jù)iSuppli的最新全球半導(dǎo)體市場報(bào)告顯示,2009年全球芯片業(yè)營收將下跌12%,遠(yuǎn)低于之前預(yù)期的20%。英特爾保持了第一的寶座,和排名第2的供貨商三星電子將是前10中唯一利潤獲得增長的供應(yīng)商。AMD公司也在微處理器領(lǐng)域
全球第三大閃存制造商--Numonyx執(zhí)行長BrianHarrison周一表示,預(yù)計(jì)在接下來的季度中,公司將會(huì)開始再度盈利,因該行業(yè)正擺脫長期下滑趨勢,而主要競爭對手經(jīng)營困難也令公司擴(kuò)大份額。 Harrison在接受路透電話采訪時(shí)
韓國三星電子宣布,將在半導(dǎo)體研究所旗下新成立邏輯工藝開發(fā)團(tuán)隊(duì),以強(qiáng)化硅代工業(yè)務(wù)。半導(dǎo)體研究所將把最尖端的邏輯工藝及存儲(chǔ)器工藝的開發(fā)團(tuán)隊(duì)剝離為獨(dú)立組織,以在材料、元件、元件結(jié)構(gòu)以及最尖端工藝裝置的早期導(dǎo)
北京時(shí)間12月1日上午消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,全球第一大手機(jī)廠商諾基亞11月25日向美國舊金山聯(lián)邦法院起訴三星電子、LG Display、友達(dá)光電等廠商操縱液晶面板價(jià)格。此前,三星電子、LG Display等液晶面板巨頭已遭遇多次
美國移動(dòng)運(yùn)營商MetroPCS公司為其LTE網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的計(jì)劃鋪設(shè)宣布供應(yīng)合同.愛立信公司將提供用于推出的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施,而三星將為運(yùn)營商提供首部LTE手機(jī)。MetroPCS公司計(jì)劃在2010年下半年推出LTE,并于明年年底以雙摸式CDMA
據(jù)悉,包括三星、LG、諾基亞等手機(jī)大廠第四季將上市銷售的手機(jī),已將MicroSD等NAND記憶卡列為標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)建配備,加上消費(fèi)者擴(kuò)充手機(jī)記憶卡的需求也明顯轉(zhuǎn)強(qiáng),帶動(dòng)第四季記憶卡銷售量大增。力成董事長蔡篤恭表示,MicroSD
12月2日,國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)年度盛會(huì)——中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)年會(huì)在福建廈門召開。作為會(huì)議最高等級——白金贊助商,全球最大芯片代工企業(yè)臺積電的高調(diào)出席引起了人們的關(guān)注?! 【驮诎雮€(gè)多月前,臺積電
根據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報(bào)導(dǎo),韓國政府宣布,已與半導(dǎo)體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作,進(jìn)行磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發(fā)專案,以維持