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研調(diào)估晶圓代工產(chǎn)值增18%
(記者張建中新竹5日電)研調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli預(yù)期，今年純晶圓代工廠產(chǎn)值可望達(dá)314億美元，將較去年成長(zhǎng)達(dá)18.5%，成長(zhǎng)表現(xiàn)將超越整體半導(dǎo)體制造業(yè)。iSuppli表示，無線通訊領(lǐng)域是驅(qū)動(dòng)今年晶圓代工需求及產(chǎn)值高度成長(zhǎng)的最大動(dòng)
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晶圓代工廠先進(jìn)制程概況
2012年受惠行動(dòng)裝置和行動(dòng)運(yùn)算應(yīng)用熱門，造成臺(tái)積電28奈米制程產(chǎn)能狂缺，加上GlobalFoundries和三星電子(SamsungElectronics)也都朝先進(jìn)制程猛攻，未來各廠能否快速布局先進(jìn)制程技術(shù)成為晶圓代工廠致勝關(guān)鍵。根據(jù)市調(diào)
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晶圓代工廠先進(jìn)制程概況
2012年受惠行動(dòng)裝置和行動(dòng)運(yùn)算應(yīng)用熱門，造成臺(tái)積電28奈米制程產(chǎn)能狂缺，加上GlobalFoundries和三星電子(Samsung Electronics)也都朝先進(jìn)制程猛攻，未來各廠能否快速布局先進(jìn)制程技術(shù)成為晶圓代工廠致勝關(guān)鍵。 根據(jù)
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創(chuàng)意 28納米接單滿檔
圖／經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)提供 創(chuàng)意（3443）獲臺(tái)積電助攻，明年將結(jié)束與韓國(guó)三星合作后，導(dǎo)入歐美日系統(tǒng)廠密集合作案，帶動(dòng)創(chuàng)意28納米接單滿檔，明年?duì)I收有機(jī)會(huì)創(chuàng)歷史新高。創(chuàng)意目前是獨(dú)家為三星代工4G LTE基頻芯片的廠商，并透
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加碼擴(kuò)產(chǎn)不手軟 晶圓廠車拚先進(jìn)制程
晶圓代工廠在先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。行動(dòng)裝置對(duì)采用先進(jìn)制程的晶片需求日益高漲，讓臺(tái)積電、聯(lián)電、GLOBALFOUNDRIES與三星等晶圓廠，皆不約而同加碼擴(kuò)大先進(jìn)制程產(chǎn)能，特別是現(xiàn)今需求最為殷切的28奈米制程，更是首要
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加碼擴(kuò)產(chǎn)不手軟晶圓代工廠車拼先進(jìn)制程
晶圓代工廠在先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。行動(dòng)裝置對(duì)采用先進(jìn)制程的晶片需求日益高漲，讓臺(tái)積電、聯(lián)電、GLOBALFOUNDRIES與三星等晶圓廠，皆不約而同加碼擴(kuò)大先進(jìn)制程產(chǎn)能，特別是現(xiàn)今需求最為殷切的28奈米制程，更是首要
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臺(tái)積擴(kuò)產(chǎn) 本土設(shè)備廠沾光
臺(tái)積電（2330）明年將持續(xù)擴(kuò)增28與20奈米產(chǎn)能，市場(chǎng)預(yù)期資本支出也將再往沖高，為了降低設(shè)備的投資成本，臺(tái)積電近年來開始積極扶植本土設(shè)備廠商，包括無塵室、自動(dòng)化等相關(guān)設(shè)備廠漢唐（2404）、盟立（2464）、家登（
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臺(tái)積擴(kuò)產(chǎn) 本土設(shè)備廠沾光
【楊喻斐╱臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】臺(tái)積電（2330）明年將持續(xù)擴(kuò)增28與20奈米產(chǎn)能，市場(chǎng)預(yù)期資本支出也將再往沖高，為了降低設(shè)備的投資成本，臺(tái)積電近年來開始積極扶植本土設(shè)備廠商，包括無塵室、自動(dòng)化等相關(guān)設(shè)備廠漢唐（2404）、
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臺(tái)積電2013年將采用FinFET技術(shù) 打造16/10nm制程
臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
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先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10nm搶先開火
臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
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先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10奈米搶先開火
臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
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先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10nm搶先開火
臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
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先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10奈米搶先開火
臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
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18寸晶圓約在2014~2015年成主流
繼INTEL日前宣布將砸下41億美元、投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML，加速其在18寸晶圓和EUV微影等先進(jìn)制程技術(shù)的發(fā)展，并吃下ASML 15%股權(quán)，臺(tái)積電也隨之表示，將投資11.14億歐元(約14億美元)，跟進(jìn)ASML投資案，近日飽受蘋
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18寸晶圓約在2014~2015年成主流
繼INTEL日前宣布將砸下41億美元、投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML，加速其在18寸晶圓和EUV微影等先進(jìn)制程技術(shù)的發(fā)展，并吃下ASML 15%股權(quán)，臺(tái)積電也隨之表示，將投資11.14億歐元(約14億美元)，跟進(jìn)ASML投資案，近日飽受蘋
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中芯國(guó)際中期業(yè)績(jī)公布 連續(xù)兩季收入雙位數(shù)增長(zhǎng)
國(guó)際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國(guó)際集成電路制造有限公司公布截至二零一二年六月三十日止六個(gè)月未經(jīng)審核的中期業(yè)績(jī)。抓住了今年上半年全球半導(dǎo)體業(yè)超預(yù)期增長(zhǎng)的機(jī)遇，中芯國(guó)際在上半年獲得了穩(wěn)步成長(zhǎng)。公司實(shí)現(xiàn)半年度
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中芯國(guó)際連續(xù)兩季雙位數(shù)增長(zhǎng)
8月30日消息，國(guó)際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國(guó)際集成電路制造有限公司昨日公布截至二零一二年六月三十日止六個(gè)月未經(jīng)審核的中期業(yè)績(jī)。抓住了今年上半年全球半導(dǎo)體業(yè)超預(yù)期增長(zhǎng)的機(jī)遇，中芯國(guó)際在上半年獲得了穩(wěn)步成長(zhǎng)
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中芯國(guó)際中期業(yè)績(jī)公布，連續(xù)兩季收入雙位數(shù)增長(zhǎng)
國(guó)際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國(guó)際集成電路制造有限公司已于今日公布截至二零一二年六月三十日止六個(gè)月未經(jīng)審核的中期業(yè)績(jī)。抓住了今年上半年全球半導(dǎo)體業(yè)超預(yù)期增長(zhǎng)的機(jī)遇，中芯國(guó)際在上半年獲得了穩(wěn)步成長(zhǎng)。公司實(shí)
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中芯國(guó)際連續(xù)兩季雙位數(shù)增長(zhǎng)
8月30日消息，國(guó)際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國(guó)際集成電路制造有限公司昨日公布截至二零一二年六月三十日止六個(gè)月未經(jīng)審核的中期業(yè)績(jī)。抓住了今年上半年全球半導(dǎo)體業(yè)超預(yù)期增長(zhǎng)的機(jī)遇，中芯國(guó)際在上半年獲得了穩(wěn)步成長(zhǎng)
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中芯國(guó)際中期業(yè)績(jī)公布，連續(xù)兩季收入雙位數(shù)增長(zhǎng)
國(guó)際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國(guó)際集成電路制造有限公司已于今日公布截至二零一二年六月三十日止六個(gè)月未經(jīng)審核的中期業(yè)績(jī)。抓住了今年上半年全球半導(dǎo)體業(yè)超預(yù)期增長(zhǎng)的機(jī)遇，中芯國(guó)際在上半年獲得了穩(wěn)步成長(zhǎng)。公司實(shí)
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