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研調(diào)估晶圓代工產(chǎn)值增18%
(記者張建中新竹5日電)研調(diào)機構(gòu)iSuppli預(yù)期，今年純晶圓代工廠產(chǎn)值可望達314億美元，將較去年成長達18.5%，成長表現(xiàn)將超越整體半導(dǎo)體制造業(yè)。iSuppli表示，無線通訊領(lǐng)域是驅(qū)動今年晶圓代工需求及產(chǎn)值高度成長的最大動
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晶圓代工廠先進制程概況
2012年受惠行動裝置和行動運算應(yīng)用熱門，造成臺積電28奈米制程產(chǎn)能狂缺，加上GlobalFoundries和三星電子(SamsungElectronics)也都朝先進制程猛攻，未來各廠能否快速布局先進制程技術(shù)成為晶圓代工廠致勝關(guān)鍵。根據(jù)市調(diào)
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晶圓代工廠先進制程概況
2012年受惠行動裝置和行動運算應(yīng)用熱門，造成臺積電28奈米制程產(chǎn)能狂缺，加上GlobalFoundries和三星電子(Samsung Electronics)也都朝先進制程猛攻，未來各廠能否快速布局先進制程技術(shù)成為晶圓代工廠致勝關(guān)鍵。 根據(jù)
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創(chuàng)意 28納米接單滿檔
圖／經(jīng)濟日報提供 創(chuàng)意（3443）獲臺積電助攻，明年將結(jié)束與韓國三星合作后，導(dǎo)入歐美日系統(tǒng)廠密集合作案，帶動創(chuàng)意28納米接單滿檔，明年營收有機會創(chuàng)歷史新高。創(chuàng)意目前是獨家為三星代工4G LTE基頻芯片的廠商，并透
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加碼擴產(chǎn)不手軟 晶圓廠車拚先進制程
晶圓代工廠在先進制程的競爭愈演愈烈。行動裝置對采用先進制程的晶片需求日益高漲，讓臺積電、聯(lián)電、GLOBALFOUNDRIES與三星等晶圓廠，皆不約而同加碼擴大先進制程產(chǎn)能，特別是現(xiàn)今需求最為殷切的28奈米制程，更是首要
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加碼擴產(chǎn)不手軟晶圓代工廠車拼先進制程
晶圓代工廠在先進制程的競爭愈演愈烈。行動裝置對采用先進制程的晶片需求日益高漲，讓臺積電、聯(lián)電、GLOBALFOUNDRIES與三星等晶圓廠，皆不約而同加碼擴大先進制程產(chǎn)能，特別是現(xiàn)今需求最為殷切的28奈米制程，更是首要
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臺積擴產(chǎn) 本土設(shè)備廠沾光
臺積電（2330）明年將持續(xù)擴增28與20奈米產(chǎn)能，市場預(yù)期資本支出也將再往沖高，為了降低設(shè)備的投資成本，臺積電近年來開始積極扶植本土設(shè)備廠商，包括無塵室、自動化等相關(guān)設(shè)備廠漢唐（2404）、盟立（2464）、家登（
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臺積擴產(chǎn) 本土設(shè)備廠沾光
【楊喻斐╱臺北報導(dǎo)】臺積電（2330）明年將持續(xù)擴增28與20奈米產(chǎn)能，市場預(yù)期資本支出也將再往沖高，為了降低設(shè)備的投資成本，臺積電近年來開始積極扶植本土設(shè)備廠商，包括無塵室、自動化等相關(guān)設(shè)備廠漢唐（2404）、
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臺積電2013年將采用FinFET技術(shù) 打造16/10nm制程
臺積電先進制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺積電2013～2015年還將進一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
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先進制程沖第一臺積電16/10nm搶先開火
臺積電先進制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺積電2013～2015年還將進一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
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先進制程沖第一臺積電16/10奈米搶先開火
臺積電先進制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺積電2013～2015年還將進一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
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先進制程沖第一臺積電16/10nm搶先開火
臺積電先進制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺積電2013～2015年還將進一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
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先進制程沖第一臺積電16/10奈米搶先開火
臺積電先進制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺積電2013～2015年還將進一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun
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18寸晶圓約在2014~2015年成主流
繼INTEL日前宣布將砸下41億美元、投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML，加速其在18寸晶圓和EUV微影等先進制程技術(shù)的發(fā)展，并吃下ASML 15%股權(quán)，臺積電也隨之表示，將投資11.14億歐元(約14億美元)，跟進ASML投資案，近日飽受蘋
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18寸晶圓約在2014~2015年成主流
繼INTEL日前宣布將砸下41億美元、投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML，加速其在18寸晶圓和EUV微影等先進制程技術(shù)的發(fā)展，并吃下ASML 15%股權(quán)，臺積電也隨之表示，將投資11.14億歐元(約14億美元)，跟進ASML投資案，近日飽受蘋
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中芯國際中期業(yè)績公布 連續(xù)兩季收入雙位數(shù)增長
國際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國際集成電路制造有限公司公布截至二零一二年六月三十日止六個月未經(jīng)審核的中期業(yè)績。抓住了今年上半年全球半導(dǎo)體業(yè)超預(yù)期增長的機遇，中芯國際在上半年獲得了穩(wěn)步成長。公司實現(xiàn)半年度
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中芯國際連續(xù)兩季雙位數(shù)增長
8月30日消息，國際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國際集成電路制造有限公司昨日公布截至二零一二年六月三十日止六個月未經(jīng)審核的中期業(yè)績。抓住了今年上半年全球半導(dǎo)體業(yè)超預(yù)期增長的機遇，中芯國際在上半年獲得了穩(wěn)步成長
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中芯國際中期業(yè)績公布，連續(xù)兩季收入雙位數(shù)增長
國際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國際集成電路制造有限公司已于今日公布截至二零一二年六月三十日止六個月未經(jīng)審核的中期業(yè)績。抓住了今年上半年全球半導(dǎo)體業(yè)超預(yù)期增長的機遇，中芯國際在上半年獲得了穩(wěn)步成長。公司實
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中芯國際連續(xù)兩季雙位數(shù)增長
8月30日消息，國際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國際集成電路制造有限公司昨日公布截至二零一二年六月三十日止六個月未經(jīng)審核的中期業(yè)績。抓住了今年上半年全球半導(dǎo)體業(yè)超預(yù)期增長的機遇，中芯國際在上半年獲得了穩(wěn)步成長
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中芯國際中期業(yè)績公布，連續(xù)兩季收入雙位數(shù)增長
國際主要半導(dǎo)體代工制造商中芯國際集成電路制造有限公司已于今日公布截至二零一二年六月三十日止六個月未經(jīng)審核的中期業(yè)績。抓住了今年上半年全球半導(dǎo)體業(yè)超預(yù)期增長的機遇，中芯國際在上半年獲得了穩(wěn)步成長。公司實
