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臺積電：高效能行動GPU成先進制程推力
隨著GPU日益成為影響下一代SoC面積、功率和效能的重要關鍵，以及設計人員可采用的先進矽晶制程選項越來越復雜，因此必須為設計流程和單元庫進行最佳化調(diào)校，才能使設計團隊在日趨縮短的時程內(nèi)達成最佳的效能、功耗和
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臺積電、Imagination合作
晶圓代工龍頭臺積電（2330）昨（25）日宣布與繪圖芯片矽智財供應商Imagination展開16納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程合作，雙方將結(jié)合Imagination的PowerVR Series6 GPU及臺積電16納米制程，共同開發(fā)最佳化的參考設
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賽靈思借3D IC技術(shù)優(yōu)勢 穩(wěn)FPGA先進制程市場地位
賽靈思(Xilinx)將以三維晶片(3D IC)技術(shù)優(yōu)勢，迎戰(zhàn)競爭對手Altera的先進制程新攻勢。Altera日前宣布將借力英特爾(Intel)14納米(nm)三閘極電晶體(Tri-gate Transistor)制程生產(chǎn)更先進的現(xiàn)場可編程閘陣列(FPGA)方案，
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全球半導體廠先進制程布局進度
半導體廠先進制程布局在28奈米階段被炒熱，主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求，使得28奈米需求旺盛。2012年僅臺積電有產(chǎn)能，但仍無法滿足大客戶需求，到2013年初，臺積電28奈米制程的產(chǎn)能已擴增倍數(shù)，目前
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半導體廠先進制程進度
半導體廠先進制程布局在28奈米階段被炒熱，主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求，使得28奈米需求旺盛。2012年僅臺積電有產(chǎn)能，但仍無法滿足大客戶需求，到2013年初，臺積電28奈米制程的產(chǎn)能已擴增倍數(shù)，目前單
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2013年半導體先進制程布局
半導體先進制程布局在28nm階段被炒熱，主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求，使得28nm需求旺盛。2012年僅臺積電有產(chǎn)能，但仍無法滿足大客戶需求，到2013年初，臺積電28nm制程的產(chǎn)能已擴增倍數(shù)，目前單月產(chǎn)能約
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半導體廠先進制程進度
半導體廠先進制程布局在28奈米階段被炒熱，主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求，使得28奈米需求旺盛。2012年僅臺積電有產(chǎn)能，但仍無法滿足大客戶需求，到2013年初，臺積電28奈米制程的產(chǎn)能已擴增倍數(shù)，目前
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半導體廠先進制程進度
半導體廠先進制程布局在28奈米階段被炒熱，主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求，使得28奈米需求旺盛。2012年僅臺積電有產(chǎn)能，但仍無法滿足大客戶需求，到2013年初，臺積電28奈米制程的產(chǎn)能已擴增倍數(shù)，目前單
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半導體廠先進制程進度
半導體廠先進制程布局在28奈米階段被炒熱，主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求，使得28奈米需求旺盛。2012年僅臺積電有產(chǎn)能，但仍無法滿足大客戶需求，到2013年初，臺積電28奈米制程的產(chǎn)能已擴增倍數(shù)，目前單
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格羅方德/三星支援Cadence先進制程技術(shù)
益華電腦(Cadence)宣布主要晶圓廠夥伴中的兩家--三星電子晶圓代工部門(Samsung Foundry)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)，可支援以20和14奈米先進制程設計為目標的嶄新Cadence客制/類比技術(shù)。這兩家晶圓廠將為最近導入的
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先進制程夯 半導體設備廠旺
半導體巨頭上市公司臺積電(2330)、英特爾與三星今年全力沖刺28奈米以下的先進制程，帶動上柜公司電子束檢測設備廠漢微科(3658)、上柜公司濕制程設備廠弘塑(3131)與設備廠家登(3680)今年營運成長表現(xiàn)，國際大廠采用臺
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臺積電市值創(chuàng)新高 外資看好制程升級
晶圓代工龍頭臺積電昨（20日）股價上漲2元，收在109元，再創(chuàng)12年以來新高，市值超過2.82兆元，再創(chuàng)公司市值新高。外資紛紛喊贊，看好臺積電在28納米先進制程優(yōu)勢將延續(xù)到20納米，巴黎證券一口氣將臺積電的目標價從11
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封測廠競奔先進制程 樂見臺積吃蘋果大單
一榮俱榮 【楊喻斐╱臺北報導】蘋果處理器A7代工訂單今年將花落臺積電（2330），成為臺灣半導體業(yè)界最為期待的大事，不僅是IC封測產(chǎn)業(yè)，就連封裝載板供應鏈也可望同步受惠，同時在智慧型手機、平板電腦成長趨勢不變
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聯(lián)電去年EPS 0.63元Q4每股盈余0.09元
聯(lián)電(UMC-US)(2303-TW)今(6)日公布2012 年第四季財務報告，營業(yè)收入為新臺幣260.9億元，與上季的新臺幣285.3億元相比降低8.5%，較2011年同期的新臺幣244.3億元成長6.8%。2012年全年每股賺0.63元，第四季每股賺0.09元
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聯(lián)電去年Q4EPS 0.09元，全年0.63元
聯(lián)電(2303)今日召開法說會，公布財報。2012年第四季稅后凈利為11.7億元，季減51.5%，每股稅后獲利為0.09元。2012年全年EPS為0.63元。 聯(lián)電2012年第四季營收為260.9億元，季減8.5%，年增6.8%。單季毛利率為16.8%，比
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臺積電董事會敲定3元現(xiàn)金股利、817億元資本支出
臺積電(2330-TW)(TSM-US)今(5)日召開董事會，會中擬定今年每普通股配發(fā)現(xiàn)金股利3元，此為該公司連續(xù)7年達成配發(fā)現(xiàn)金股利水準。董事會并核準817.32億升級先進制程等資本預算；臺積電預定6月11日上午舉行之股東會。臺積
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臺積電董事會敲定3元現(xiàn)金股利、817億元資本支出
臺積電(2330-TW)(TSM-US)今(5)日召開董事會，會中擬定今年每普通股配發(fā)現(xiàn)金股利3元，此為該公司連續(xù)7年達成配發(fā)現(xiàn)金股利水準。董事會并核準817.32億升級先進制程等資本預算；臺積電預定6月11日上午舉行之股東會。 臺
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封測雙雄先進制程 異中有同
封測大廠日月光和矽品今年發(fā)展先進封裝異中有同，日月光關注系統(tǒng)級封裝等技術(shù)，矽品觀察2.5D和3D IC趨勢；封測雙雄均切入新型扇出型晶圓級封裝。 展望近期先進封裝趨勢，矽品認為2.5D和3D IC市場還不會有明顯進展
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內(nèi)存廠旺宏2012年全年巨虧54億
內(nèi)存廠旺宏去年第4季虧損持續(xù)擴大，單季稅后凈損17.77億元，累計全年稅后凈損54.38億元，為最近7年來首次虧損。旺宏總經(jīng)理盧志遠30日表示，虧損主因為12寸廠產(chǎn)能利用率偏低，今年在產(chǎn)能利用率提升后，全年力拼不虧損
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聯(lián)電 老將回鍋拚制程
聯(lián)電（2303）新任執(zhí)行長顏博文上任2個月以來積極強化研發(fā)部門，業(yè)界傳出他成功延攬清大材料工程教授游萃蓉回鍋，擔任聯(lián)電研發(fā)部門高階主管，與現(xiàn)任聯(lián)電工程暨矽智財研發(fā)設計支援副總簡山杰，挑起28奈米重任，加速聯(lián)電
