美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應用提供無與倫比的高功率性能

新器件適用于商用和軍事、地面和機載、二次監(jiān)視雷達，以及防撞空中交通管制設備21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF晶體管擴展其基于碳化硅(silic

宜普公司擴大其產品系列 推出全新150 V功率晶體管

21ic訊 宜普電源轉換公司2013年9月宣布推出增強型氮化鎵功率晶體管系列產品中的最新成員- EPC2018。EPC2018 晶體管為5.76 mm2、150 VDS、12 A的器件，其最大RDS(on)為25 mΩ，在柵極電壓為 5 V。它可以實現更高

功率器件供應趨緊 廠商加速擴產

【導讀】自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對新結構、新技術的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關態(tài)擊穿與開態(tài)導通之間的矛盾，使得這類產品能夠有效地滿足實際工程對高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要

低電壓調節(jié)器

這些短路保護穩(wěn)壓器從汽車電池提供6, 7.5和9V的電壓，其中13.5 V是標準的；但是，如果它們連接到一個變壓器/整流器的平滑直流輸出，依然運行正常。對于正負地面系統(tǒng)顯示兩種

恩智浦LDMOS RF功率晶體管支持TD-LTE全頻段應用

【導讀】中國移動日前在其官方網站正式公布了2013年TD-LTE無線主設備的招標公告，此次集采涉及全國31個省市，采購規(guī)模約為20.7萬個基站，共計55萬載扇。與此同時，中移動還啟動了2013年首次TD-LTE 4G終端集采，規(guī)模為

抗過飽和功能的直接刪除電路原理圖

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HL202的合理應用的接線盒推薦參數

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恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶體管推動LTE通訊變革

恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產品線的擴展產品。隨著中國開始鋪設全球最大4G網絡，Gen8+的推出將

提高微波功率晶體管可靠性

1 引言微波功率晶體管(以下簡稱微波功率管)是指用于微波頻段的功率放大，輸出較大功率，散發(fā)出較高熱量的晶體管。微波功率管是固態(tài)發(fā)射機及T/R組件的核心器件，其可靠性對系

恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶體管推動TD-LTE通訊變革

21ic訊 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產品線的擴展產品。隨著中國開始鋪設全球最大4G網絡，Gen8+的推出將鞏固恩智浦T

電壓反饋的閉環(huán)速度控制系統(tǒng)

電壓反饋的閉環(huán)速度控制系統(tǒng)

思卡爾RF業(yè)務部對美國航空航天和國防市場做出長期承諾

RF功率領域先驅者創(chuàng)建面向航空航天和國防市場的器件;采用多技術方法利用LDMOS、GaAs和GaN產品線的優(yōu)勢飛思卡爾半導體日前宣布了一項重大舉措，主要展示其新型和現有商用RF功

飛思卡爾RF業(yè)務部對美國航空航天和國防市場做出長期承諾

射頻(RF)功率晶體管領域的全球領先企業(yè)飛思卡爾半導體(NYSE:FSL)日前宣布了一項重大舉措，主要展示其新型和現有商用RF功率和微波RF器件如何滿足美國航空航天和國防(A&D)市場的需求。飛思卡爾計劃通過全新的氮化鎵(Ga

飛思卡爾塑料封裝的射頻功率晶體管出貨超1.75億

大功率射頻(RF)功率晶體管的全球領導者飛思卡爾半導體公司日前宣布已經售出超過1.75億個塑料封裝的高頻大功率射頻功率晶體管，達到了業(yè)界難以企及的里程碑高度。飛思卡爾的射頻功率模壓塑料封裝憑借高性價比和可靠性

12V 30A 7812擴流穩(wěn)壓電源

這個電路使用變壓器，整流二極管必須是非常高的峰值正向電流，典型100A以上。7812芯片將只通過1安培或更少電流，其余通過外接的晶體管流過。由于電路設計處理高達30安培負載

基于LAS6350芯片設計典型應用電路

LAS6350典型應用電路 采用過電流頻率偏移的鋸齒波振蕩器，具有雙脈沖抑制的線性后沿脈寬調整電路、溫度補償電路、電壓基準電路、獨立的誤差放大器、功率晶體管輸出級和過

6A/12V自動斷路充電電路

自動斷路6A/12V充電電路自動斷路6A/12V充電電路如圖為自動斷路的6A/12V充電電路。該電路充電分3個階段。第1個階段在蓄電池電荷完全放完情況下，只有約2A電流充電，從而防止

由場效應功率晶體管輸出的發(fā)射機電路

RF功率晶體管耐用性驗證方案

本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作

RF功率晶體管耐用性驗證方案

本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作