美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應(yīng)用提供無與倫比的高功率性能

新器件適用于商用和軍事、地面和機(jī)載、二次監(jiān)視雷達(dá)，以及防撞空中交通管制設(shè)備21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅(silic

宜普公司擴(kuò)大其產(chǎn)品系列 推出全新150 V功率晶體管

21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司2013年9月宣布推出增強(qiáng)型氮化鎵功率晶體管系列產(chǎn)品中的最新成員- EPC2018。EPC2018 晶體管為5.76 mm2、150 VDS、12 A的器件，其最大RDS(on)為25 mΩ，在柵極電壓為 5 V。它可以實(shí)現(xiàn)更高

功率器件供應(yīng)趨緊 廠商加速擴(kuò)產(chǎn)

【導(dǎo)讀】自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對(duì)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關(guān)態(tài)擊穿與開態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實(shí)際工程對(duì)高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要

低電壓調(diào)節(jié)器

這些短路保護(hù)穩(wěn)壓器從汽車電池提供6, 7.5和9V的電壓，其中13.5 V是標(biāo)準(zhǔn)的；但是，如果它們連接到一個(gè)變壓器/整流器的平滑直流輸出，依然運(yùn)行正常。對(duì)于正負(fù)地面系統(tǒng)顯示兩種

恩智浦LDMOS RF功率晶體管支持TD-LTE全頻段應(yīng)用

【導(dǎo)讀】中國(guó)移動(dòng)日前在其官方網(wǎng)站正式公布了2013年TD-LTE無線主設(shè)備的招標(biāo)公告，此次集采涉及全國(guó)31個(gè)省市，采購(gòu)規(guī)模約為20.7萬個(gè)基站，共計(jì)55萬載扇。與此同時(shí)，中移動(dòng)還啟動(dòng)了2013年首次TD-LTE 4G終端集采，規(guī)模為

抗過飽和功能的直接刪除電路原理圖

抗過飽和功能的直接刪除電路原理圖

HL202的合理應(yīng)用的接線盒推薦參數(shù)

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恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶體管推動(dòng)LTE通訊變革

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品。隨著中國(guó)開始鋪設(shè)全球最大4G網(wǎng)絡(luò)，Gen8+的推出將

提高微波功率晶體管可靠性

1 引言微波功率晶體管(以下簡(jiǎn)稱微波功率管)是指用于微波頻段的功率放大，輸出較大功率，散發(fā)出較高熱量的晶體管。微波功率管是固態(tài)發(fā)射機(jī)及T/R組件的核心器件，其可靠性對(duì)系

恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶體管推動(dòng)TD-LTE通訊變革

21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品。隨著中國(guó)開始鋪設(shè)全球最大4G網(wǎng)絡(luò)，Gen8+的推出將鞏固恩智浦T

電壓反饋的閉環(huán)速度控制系統(tǒng)

電壓反饋的閉環(huán)速度控制系統(tǒng)

思卡爾RF業(yè)務(wù)部對(duì)美國(guó)航空航天和國(guó)防市場(chǎng)做出長(zhǎng)期承諾

RF功率領(lǐng)域先驅(qū)者創(chuàng)建面向航空航天和國(guó)防市場(chǎng)的器件;采用多技術(shù)方法利用LDMOS、GaAs和GaN產(chǎn)品線的優(yōu)勢(shì)飛思卡爾半導(dǎo)體日前宣布了一項(xiàng)重大舉措，主要展示其新型和現(xiàn)有商用RF功

飛思卡爾RF業(yè)務(wù)部對(duì)美國(guó)航空航天和國(guó)防市場(chǎng)做出長(zhǎng)期承諾

射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE:FSL)日前宣布了一項(xiàng)重大舉措，主要展示其新型和現(xiàn)有商用RF功率和微波RF器件如何滿足美國(guó)航空航天和國(guó)防(A&D)市場(chǎng)的需求。飛思卡爾計(jì)劃通過全新的氮化鎵(Ga

飛思卡爾塑料封裝的射頻功率晶體管出貨超1.75億

大功率射頻(RF)功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾半導(dǎo)體公司日前宣布已經(jīng)售出超過1.75億個(gè)塑料封裝的高頻大功率射頻功率晶體管，達(dá)到了業(yè)界難以企及的里程碑高度。飛思卡爾的射頻功率模壓塑料封裝憑借高性價(jià)比和可靠性

12V 30A 7812擴(kuò)流穩(wěn)壓電源

這個(gè)電路使用變壓器，整流二極管必須是非常高的峰值正向電流，典型100A以上。7812芯片將只通過1安培或更少電流，其余通過外接的晶體管流過。由于電路設(shè)計(jì)處理高達(dá)30安培負(fù)載

基于LAS6350芯片設(shè)計(jì)典型應(yīng)用電路

LAS6350典型應(yīng)用電路 采用過電流頻率偏移的鋸齒波振蕩器，具有雙脈沖抑制的線性后沿脈寬調(diào)整電路、溫度補(bǔ)償電路、電壓基準(zhǔn)電路、獨(dú)立的誤差放大器、功率晶體管輸出級(jí)和過

6A/12V自動(dòng)斷路充電電路

自動(dòng)斷路6A/12V充電電路自動(dòng)斷路6A/12V充電電路如圖為自動(dòng)斷路的6A/12V充電電路。該電路充電分3個(gè)階段。第1個(gè)階段在蓄電池電荷完全放完情況下，只有約2A電流充電，從而防止

由場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管輸出的發(fā)射機(jī)電路

RF功率晶體管耐用性驗(yàn)證方案

本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測(cè)試過程來判斷它們的耐用水平。眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作

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本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測(cè)試過程來判斷它們的耐用水平。眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作